精彩熱議:模塊電源的散熱應(yīng)對(duì)措施
發(fā)布時(shí)間:2015-09-21 責(zé)任編輯:sherry
【導(dǎo)讀】本篇文章將以實(shí)例為基準(zhǔn),分析一個(gè)設(shè)計(jì)方案中的模塊電源散熱問(wèn)題。本文的中的模塊采用100W,Vin24VVout5V,采用單管正激電路,使用的是UC3843B芯片控制,沒(méi)有采用有源嵌位和同步整流,工作頻率為300KHZ。
關(guān)于模塊電源,其超高的功率密度一直被設(shè)計(jì)者們稱道。但實(shí)現(xiàn)超高功率的同時(shí),散熱性能差的缺點(diǎn)也暴露出來(lái),設(shè)計(jì)者們雖然能夠?qū)σ恍┨囟ǖ脑O(shè)計(jì)進(jìn)行改進(jìn),但卻不是每種設(shè)計(jì)都適合的。
本篇文章將以實(shí)例為基準(zhǔn),分析一個(gè)設(shè)計(jì)方案中的模塊電源散熱問(wèn)題。本文的中的模塊采用100W,Vin24VVout5V,采用單管正激電路,使用的是UC3843B芯片控制,沒(méi)有采用有源嵌位和同步整流,工作頻率為300KHZ。
運(yùn)行后發(fā)現(xiàn)其并不能長(zhǎng)期實(shí)際工作在100W,長(zhǎng)期工作會(huì)使MOSFET或者次級(jí)二極管被熱擊穿,那么應(yīng)該用怎樣的辦法讓它可以長(zhǎng)期工作在100W以下?
目前試驗(yàn)了以下兩種方法:
1、增加MOSFET:使用多MOSFET并聯(lián),并更改驅(qū)動(dòng),3843B驅(qū)動(dòng)不了多MOSFET,但是效果并不好,不僅增加成本,還沒(méi)解決問(wèn)題。而且多個(gè)MOSFET并不能同時(shí)導(dǎo)通,總會(huì)有先有后,所以總是會(huì)有一個(gè)MOSFET擊穿。
2、增加次級(jí)二極管,使用多個(gè)并聯(lián),效果與方案1類似,也不理想。
下面咱們來(lái)說(shuō)說(shuō)解決方法,通常來(lái)說(shuō)器件的散熱性能與絕緣材料的導(dǎo)熱性能、壓緊力、殼的導(dǎo)熱性能、面積、殼外部的風(fēng)流條件有關(guān),可以從這幾點(diǎn)上下手改善。
或許也有人想到了同步整流技術(shù),但即便使用了同步整流技術(shù),效率也不可能在提高多少,該設(shè)計(jì)目前已經(jīng)達(dá)到了90%的效率,大多數(shù)達(dá)到89%。用同步整流效率不會(huì)更高多少了,那樣還是有很大的損耗,散熱還是問(wèn)題。
或者可以從驅(qū)動(dòng)波形的角度出發(fā),如果驅(qū)動(dòng)能力不夠,可是考慮加推挽驅(qū)動(dòng)電路。或者可以降低電源的頻率,來(lái)減小開(kāi)關(guān)損耗。另外一點(diǎn)就是變壓器的漏感,如果漏感大,那么失去的功率也就不少,發(fā)熱量也就不會(huì)小。電源過(guò)熱,容易造成熱擊穿(不可恢復(fù)),100W還不加散熱器,散熱肯定是一大問(wèn)題。
本篇文章從各個(gè)角度出發(fā),對(duì)模塊電源的散熱問(wèn)題進(jìn)行了全面的分析,通過(guò)實(shí)例的引入方便大家理解。希望大家能在本篇文章給出的分析當(dāng)中找到自己想要的答案。
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