如圖1所示，變壓器是反激變壓器，變壓器符號直接找的，所以同名端不對，但電路是對的。此反激電路用途為給次級的大電容充電，輸入220v直流，需要給6800uF*4的電容充電到500v。電路由分立元件組成，由驅(qū)動芯片驅(qū)動開關(guān)IGBT，次級電流減小到0后再次開通IGBT。

那么問題來了，圖2中的初級電流波形太難看，開通和關(guān)斷時(shí)沖擊電流太大，且震蕩嚴(yán)重，變壓器參數(shù)初級100uH,匝數(shù)比1:3，變壓器初級并聯(lián)電容25nF，是如何造成的呢?

測試方法的方法是：次級開路，初級測并聯(lián)電容，頻率100kHZ。

使用到的變壓器繞發(fā)是：

變壓器初級6匝，初級6匝中間密繞，1.5mm特氟龍線;次級18匝，次級0.5mm特氟龍線繞滿一層，貼近骨架在最里層。
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可以確定的是，波形是沒有錯誤的，波形的異常是由IGBT拖尾造成的，換MOSFET即可。下面的表格中總結(jié)了MOSFET和IGBT的開關(guān)時(shí)間。


第一個(gè)表格是MOSFET的開關(guān)時(shí)間，第二個(gè)表格是IGBT的開關(guān)時(shí)間，只有關(guān)斷延時(shí)時(shí)間長一些，其他三個(gè)時(shí)間差不多，那么這些關(guān)斷延時(shí)是否對初級電流的波形產(chǎn)生了影響?實(shí)際上，這些時(shí)間是電流降到額定10%的時(shí)間，實(shí)際上還有一條細(xì)長尾巴，并且由于電流較小，所以這條尾巴就越發(fā)明顯。

在更換了MOSFET的型號之后，測量出來的波形如下圖所示：

從圖3中我們可以看到MOS管開啟和關(guān)斷時(shí)震蕩仍然很大，關(guān)斷后的電流還有比較大的起伏。這是因?yàn)楣茏記]有開起來的緣故，Vgs12V電阻6.2歐，按照pdf手冊應(yīng)該是可以開起來的，但是由于IC有內(nèi)阻，導(dǎo)致Id沒有升起來。

有人也許會問，C內(nèi)阻大點(diǎn)是應(yīng)該發(fā)熱比較嚴(yán)重，不至于引起這么大的震蕩吧?

電源是給高壓大電容充電的，輸入220V直流，初級峰值電流10A。電流在圖上可以看到，振蕩部分遠(yuǎn)大于10A，采樣電阻10毫歐，震蕩峰值有30-40A，所以要選這么大管子。

如果是用幾個(gè)微秒的掃描時(shí)間去測量一個(gè)工頻電路基本都會顯示類似的震檔波形，其實(shí)這個(gè)波形是不真實(shí)的東西。只是一個(gè)無關(guān)緊要的瞬間斷續(xù)電流的信號，如果用示波器兩通道把這個(gè)電流波形與正弦電壓波同時(shí)測量顯示出來，就比較容易看明白了。

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