碳化硅（SiC）功率器件領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)先者科銳公司日前宣布推出第二代碳化硅MOSFET器件。相對(duì)于同等成本的基于硅器件的系統(tǒng)，科銳新型碳化硅MOSFET器件可實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率及更小的系統(tǒng)尺寸。全新科銳1200V MOSFET器件可提供業(yè)界領(lǐng)先的功率密度及轉(zhuǎn)換效率，而每安培成本僅為上一代產(chǎn)品的50%。更高的性?xún)r(jià)比使得新型碳化硅MOSFET器件可為OEM廠商帶來(lái)更低的系統(tǒng)成本，并且由于基于碳化硅的系統(tǒng)尺寸更小、重量更輕，能夠提高效率并降低安裝成本，從而為最終用戶(hù)節(jié)省額外費(fèi)用。

德國(guó)弗萊堡 Fraunhofer研究所著名業(yè)界專(zhuān)家Bruno Burger教授指出：“我們已經(jīng)在我們新型先進(jìn)太陽(yáng)能電路中對(duì)科銳第二代碳化硅 MOSFET器件進(jìn)行了評(píng)估，科銳的產(chǎn)品擁有頂尖水平的效率，可以使得系統(tǒng)在更高開(kāi)關(guān)頻率下進(jìn)行工作，從而實(shí)現(xiàn)更小的無(wú)源器件尤其是更小的電抗器。這將從根本上提高太陽(yáng)能逆變器的性?xún)r(jià)比，從而獲得更小、更輕以及更高效的系統(tǒng)。”

新型碳化硅MOSFET器件出色的性能可以降低某些大功率應(yīng)用領(lǐng)域?qū)β势骷?0%-70%的額定電流需求。經(jīng)過(guò)適當(dāng)?shù)膬?yōu)化，客戶(hù)能以與硅器件方案相當(dāng)甚至更低的成本得到碳化硅器件所帶來(lái)的系統(tǒng)性能優(yōu)勢(shì)。對(duì)于太陽(yáng)能逆變器和不間斷電源（UPS）系統(tǒng)，性能提升的同時(shí)伴隨著尺寸和重量的減少。在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用方面，在增加效率的同時(shí)可以達(dá)到一倍以上的功率密度，與硅器件相比能提供高達(dá)兩倍的輸出扭矩。該產(chǎn)品覆蓋范圍已經(jīng)擴(kuò)展到25 mΩ芯片，目標(biāo)定位30 KW以上電源模塊市場(chǎng)。80 mΩ器件的目標(biāo)定位是作為第一代MOSFET 器件的升級(jí)產(chǎn)品，以更低的成本提供更高的性能。

科銳功率與射頻器件副總裁兼總經(jīng)理Cengiz Balkas表示：“基于科銳新型MOSFET平臺(tái)，我們已經(jīng)在多個(gè)細(xì)分市場(chǎng)獲得成功案例，由于市場(chǎng)對(duì)第二代碳化硅 MOSFET器件接受迅速，我們目前可以提前給到客戶(hù)一些產(chǎn)品，同時(shí)我們也正在加速量產(chǎn)以滿(mǎn)足客戶(hù)的需求。”

一顆25 mΩ裸片可為大功率模塊提供50 A單元。80 mΩ MOSFET器件采用TO-247封裝，較科銳第一代MOSFET CMF20120D產(chǎn)品，得到更高性能和更低成本。