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怎樣既限制主MOS管最大反峰又使RCD吸收回路功耗最???

發(fā)布時間:2013-01-10 責任編輯:Lynnjiao

【導讀】在一對或多對相互對立的條件面前做出選擇,那是常有的事。而我們今天討論的這個話題就是一對相互對立的條件。(即要限制主MOS管最大反峰,又要RCD吸收回路功耗最?。?br />

  
在討論前我們先做幾個假設(shè):

開關(guān)電源的工作頻率范圍:20~200KHZ;
② RCD中的二極管正向?qū)〞r間很短(一般為幾十納秒);
③ 在調(diào)整RCD回路前主變壓器和MOS管,輸出線路的參數(shù)已經(jīng)完全確定。

MOS管
圖題:MOS管  

有了以上幾個假設(shè)我們就可以先進行計算:

首先對MOS管的VD進行分段:
  
ⅰ,輸入的直流電壓VDC;
ⅱ,次級反射初級的VOR;
ⅲ,主MOS管VD余量VDS;
ⅳ,RCD吸收有效電壓VRCD1。
 
對于以上主MOS管VD的幾部分進行計算:
  
ⅰ,輸入的直流電壓VDC。
  
在計算VDC時,是依最高輸入電壓值為準。如寬電壓應選擇AC265V,即DC375V。
VDC=VAC *√2
  
ⅱ,次級反射初級的VOR。
  
VOR是依在次級輸出最高電壓,整流二極管壓降最大時計算的,如輸出電壓為:5.0V±5%(依Vo =5.25V計算),二極管VF為0.525V(此值是在1N5822的資料中查找額定電流下VF值).
VOR=(VF  Vo)*Np/Ns
  
ⅲ,主MOS管VD的余量VDS。
  
VDS是依MOS管VD的10%為最小值.如KA05H0165R的VD=650應選擇DC65V.
VDC=VD* 10%
  
ⅳ,RCD吸收VRCD。

MOS管的VD減去ⅰ,ⅲ三項就剩下VRCD的最大值。實際選取的VRCD應為最大值的90%(這里主要是考慮到開關(guān)電源各個元件的分散性,溫度漂移和時間飄移等因素得影響)。
VRCD=(VD-VDC -VDS)*90%
  
注意:

① VRCD是計算出理論值,再通過實驗進行調(diào)整,使得實際值與理論值相吻合。
② MOS管VD應當小于VDC的2倍.(如果大于2倍,則主MOS管的VD值就過大了)。
③ VRCD是由VRCD1和VOR組成的。
④ VRCD必須大于VOR的1.3倍.(如果小于1.3倍,則主MOS管的VD值選擇就太低了)。
⑤ 如果VRCD的實測值小于VOR的1.2倍,那么RCD吸收回路就影響電源效率。
  
ⅴ,RC時間常數(shù)τ確定。
  
τ是依開關(guān)電源工作頻率而定的,一般選擇10~20個開關(guān)電源周期。

試驗調(diào)整VRCD值
  
首先假設(shè)一個RC參數(shù),R=100K/RJ15, C="10nF/1KV"。再上市電,應遵循先低壓后高壓,再由輕載到重載的原則。在試驗時應當嚴密注視RC元件上的電壓值,務必使VRCD小于計算值。如發(fā)現(xiàn)到達計算值,就應當立即斷電,待將R值減小后,重復以上試驗。(RC元件上的電壓值是用示波器觀察的,示波器的地接到輸入電解電容“+”極的RC一點上,測試點接到RC另一點上)。一個合適的RC值應當在最高輸入電壓,最重的電源負載下,VRCD的試驗值等于理論計算值。
 
試驗中值得注意的現(xiàn)象
  
輸入電網(wǎng)電壓越低VRCD就越高,負載越重VRCD也越高。那么在最低輸入電壓,重負載時VRCD的試驗值如果大于以上理論計算的VRCD值,是否和(三)的內(nèi)容相矛盾哪?一點都不矛盾,理論值是在最高輸入電壓時的計算結(jié)果,而現(xiàn)在是低輸入電壓。重負載是指開關(guān)電源可能達到的最大負載。主要是通過試驗測得開關(guān)電源的極限功率。
  
RCD吸收電路中R值的功率選擇
  
R的功率選擇是依實測VRCD的最大值,計算而得。實際選擇的功率應大于計算功率的兩倍。
 
RCD吸收電路中的R值如果過小,就會降低開關(guān)電源的效率。然而,如果R值如果過大,MOS管就存在著被擊穿的危險。

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