傳統(tǒng)的拓撲結構
　　
為特定應用選擇拓撲結構時有幾個考慮因素，包括輸入電壓范圍是全球通用還是只針對特定地區(qū)，輸出電壓是單一還是多重(電流大小也是重要的條件)，效能目標，特別是在不同負載下的效能表現(xiàn)。傳統(tǒng)上，在大批量生產(chǎn)電源時多以成本，設計工程師對拓撲結構的熟悉度以及元件是否容易采購為考慮因素，其他因素還包括設計是否容易實現(xiàn)和設計方式是否在電源產(chǎn)業(yè)鏈中為大家所熟知等。
　　
較受歡迎的傳統(tǒng)設計方式主要為單開關正向、雙開關正向和半橋結構，這些結構提供了滿足目前需求的穩(wěn)固解決方案。不過如上所述，新興的標準需要電源能夠達成比先前更高的效能。過去，典型的臺式電腦電源可以達到60%～70%的最高效能，但現(xiàn)在則要求電源在額定負載的20%、50%和100%時都能達到最低80%的效能。同時，最近更出現(xiàn)了希望能夠在低于20%負載時達到70%或以上效能的趨勢，且待機功耗能夠持續(xù)下降。我們將探討三種傳統(tǒng)拓撲的優(yōu)缺點，并介紹兩種新型的拓撲。
　
單開關正向
　　
圖1中的這個拓撲相當受到歡迎，主要原因是元件數(shù)少且設計要求簡單，但對于不同負載情況的高效能要求卻為這個拓撲帶來新挑戰(zhàn)。在接近滿載或滿載時，這個拓撲的效能受到50%占空比的限制。而在較輕負載時，開關耗損是造成效能不佳的主要原因。許多較新的設計采用功率因數(shù)校正(PFC)前端來降低諧波電流，在400 V的PFC輸出電壓下，單開關正向方式被迫使用大于900 V的開關，提高了FET的成本。

圖1：單開關正向拓補

雙開關正向
　　
圖2是另一個使用相當普遍的拓撲，它是解決開關電壓限制問題的升級版本。這依舊是一個會有高開關耗損的硬開關電路。其所帶來的問題是需要使用門極驅(qū)動變壓器或芯片驅(qū)動電路來推動高電壓端MOSFET。

圖2 ：雙開關正向拓補　

半橋
　　
圖3中的半橋變壓器是高功率要求的另一個選擇。和單開關或雙開關正向變壓器相反，半橋變壓器可以在兩個象限工作并降低原邊FET的電流。變壓器組成結構和輸出整流比單一正向拓撲結構復雜，也存在高開關耗損問題。

圖3：半橋拓補電路結構　　

新興拓撲結構
　　
為了符合更高效能的要求，業(yè)界已開發(fā)了數(shù)種新的拓撲結構。這些新電路拓撲不一定是指新發(fā)明，而是新近在商業(yè)大批量應用的。其中，兩種最受重視的拓撲分別為有源鉗位正激和雙電感加電容(LLC)。
　
有源鉗位正激
　　
圖4中的有源鉗位正激拓撲是一個存在已久的軟開關結構，雖然這種結構和傳統(tǒng)的正向式拓撲結構類似，但過去一直被視為是難以實現(xiàn)的結構，因此主要應用在特殊領域，比如電信領域。不過，隨著新IC的推出，這種結構的實現(xiàn)變得非常簡單。

圖4 ：采用安森美半導體NCP1562的有源鉗位正激拓補結構　　

在這個拓撲結構中，變壓器在主開關的整個關閉時間內(nèi)通過附屬開關串行的電容進行復位，這樣做可以消除單開關正向結構中的無效時間。它的主要優(yōu)點包括低開關耗損，可在50%以上占空比工作，降低了原邊開關的電流應力。同時，這個結構也提供了自驅(qū)動同步整流功能，省去了專用門極驅(qū)動電路。加之低電壓MOSFET越來越低的價格，采用MOSFET和同步整流已經(jīng)成為實現(xiàn)低輸出電壓高電流整流的可行方案。
　　
使用有源鉗位器件和進行有源鉗位FET的控制雖然看起來會增加電路的復雜度，但卻可以通過節(jié)省緩沖電路、復位電路和較低整體開關要求加以補償。這個結構也能夠在寬廣的輸入電壓范圍下工作，因而適合多種應用，包括電視游戲機。
　　
這個結構的主要缺點是沒有大批量應用，比如在計算機中，因此一般臺式機的設計工程師對它感到陌生。不過隨著像安森美半導體等公司不斷推出產(chǎn)品，這個拓撲結構的實現(xiàn)難度已經(jīng)降低了。在較大批量應用中采用這個結構也能夠降低采用元件的成本。這個拓撲的另一缺點是，和雙開關正向或半橋變壓器比較，需要較高額定電壓的開關。       

LLC諧振半橋
　　
圖5中的LLC拓撲結構特別適用需要高輸出電壓的場合，如液晶和等離子電視等應用。

圖5：LLC諧振半橋拓補結構　　

和有源鉗位拓撲一樣，這也是一款因超低開關耗損達到超高效能的軟開關拓撲結構。其他優(yōu)點還包括不需輸出電感，因此可以降低實現(xiàn)的整體成本。最后，由于采用半橋配置，可以降低原邊元件的壓力。
　　
另一方面，這個結構也有一些缺點，最主要的是增加了復雜的磁性設計，輸出電容上的高紋波電流和可變頻率。同時，這個結構在設計較寬輸入電壓范圍上也比較困難。
　　
各式拓撲結構的比較
　　
雖然我們無法采用單一拓撲結構作為所有應用的解決方案，但卻可以依具體情況來決定采用何種電路結構。在這里，我們使用12V、20A輸出的變壓器設計來比較以上所述各式結構的差異，比較重點放在主要的設計問題，如原邊開關、整流器、磁性、存儲電容等。雖然還有其他差異點，但不在本文的討論范圍內(nèi)。各式拓撲結構的差異結構總結如下。

表1：不同拓撲結構的差異總結

● 原邊開關：在300～400Vdc的輸入電壓范圍，有源鉗位變壓器的原邊峰值電流最低，單開關和雙開關正向拓撲則擁有和有源鉗位類似的RMS電流，但卻因MOSFET額定電壓而會有較大的導電耗損。
● 諧振半橋變壓器的直流次級整流器電壓應力最低，接著是有源鉗位，然后是單開關和雙開關正向變壓器。由于開關突波的關系，傳統(tǒng)電路結構上的壓力更高。
● 保持時間要求可以通過增大電容容值或變壓器輸入范圍來達到。
● 在磁性方面，諧振半橋通過移除輸出電感提供明顯的簡化，不過在變壓器設計上則會有相當高的挑戰(zhàn)性。和傳統(tǒng)正向變壓器比較，有源鉗位變壓器在相同頻率下的輸出電感可以減小約13%。
● 諧振半橋變壓器由于沒有輸出電感，因此輸出電容電流紋波最高。
● 有源鉗位正激變壓器的開關頻率可以推升到更高(200～300kHz)，硬開關拓撲結構則在150kHz以下。諧振半橋是一個可變頻率的變壓器，在滿載低電源電壓時，其最低頻率通常設定在60～70kHz；高電源電壓輕載工作時，最高頻率可以達到數(shù)百kHz。