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羅姆開發(fā)出世界最小的“VML2”封裝快速恢復(fù)二極管!

發(fā)布時(shí)間:2012-05-09

產(chǎn)品特性:
  • 與傳統(tǒng)的TUMD2S(2513)封裝相比,體積減少約86%
  • 使高密度貼裝成為可能的背面引腳
應(yīng)用范圍:
  • 可應(yīng)用于智能手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社近日面向智能手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)等追求小型、薄型化的各種電子設(shè)備,開發(fā)出世界最小※1的“VML2”封裝快速恢復(fù)二極管。

本產(chǎn)品預(yù)計(jì)從4月份開始出貨樣品(樣品價(jià)格為30日元/個(gè)),從 7月份開始以月產(chǎn)100萬個(gè)的規(guī)模進(jìn)行批量生產(chǎn)。生產(chǎn)基地為ROHM-Wako Electronics (Malaysia)Sdn. Bhd.(馬來西亞)。

本產(chǎn)品與0.5mm的鉛筆


近年來,以智能手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)為首的便攜設(shè)備的小型、薄型化發(fā)展迅速,進(jìn)而對(duì)于能夠減少各種整機(jī)產(chǎn)品的空間、實(shí)現(xiàn)高密度貼裝的小型零部件的需求旺盛。此外,隨著產(chǎn)品的發(fā)展,數(shù)碼相機(jī)、乃至智能手機(jī)都內(nèi)置閃光燈,與此相應(yīng),高耐壓需求也日益高漲。但是,在保持耐壓的同時(shí)實(shí)現(xiàn)小型化封裝,涉及到放電等諸多課題,所以此前一直未能實(shí)現(xiàn)。

這次,羅姆通過改善結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和裝配工藝使封裝得到優(yōu)化,成功開發(fā)出了世界最小的“VML2”封裝(1006尺寸∶1.0mm×0.6mm)快速恢復(fù)二極管。與傳統(tǒng)的2513尺寸(2.5mm×1.3mm)相比,體積減少約86%。不僅體積小巧,高達(dá)450V耐壓特性也是其特長之一。

羅姆今后也將充分利用獨(dú)創(chuàng)技術(shù),加速開發(fā)緊隨客戶需求的二極管產(chǎn)品,同時(shí),進(jìn)一步努力擴(kuò)充相關(guān)產(chǎn)品系列。

<特點(diǎn)>

1)實(shí)現(xiàn)了世界最小尺寸

與傳統(tǒng)的TUMD2S(2513)封裝相比,體積減少約86%,并實(shí)現(xiàn)了高達(dá)450V的高耐壓。

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2)使高密度貼裝成為可能的背面引腳

<規(guī)格>

《參考》
將VML2封裝亦擴(kuò)展應(yīng)用到肖特基勢壘二極管產(chǎn)品。根據(jù)不同用途共推出了七款系列產(chǎn)品。


<術(shù)語解說>
?快速恢復(fù)二極管(Fast Recovery Diode: FRD)
是指縮短電流發(fā)生逆流的時(shí)間、即恢復(fù)時(shí)間(反向恢復(fù)時(shí)間)快的一種二極管。
能夠大幅度降低開關(guān)損耗、實(shí)現(xiàn)低損耗的高速開關(guān)。

?肖特基勢壘二極管(Schottky-Barrier Diode:SBD)
使金屬和半導(dǎo)體接觸從而形成肖特基結(jié),利用其可得到整流性(二極管特性)的二極管。具有“無少數(shù)載流子存儲(chǔ)效應(yīng),高速性能卓越”的特點(diǎn)。
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