產(chǎn)品特性：

• 超小型、高密度、高效率
• 導通電阻極低

應(yīng)用范圍：

• 智能手機、電腦、數(shù)碼相機、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備

全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)，為一系列的低功耗應(yīng)用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數(shù)碼相機、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。

新款的PQFN2x2器件提供20V、25 V和30 V的選擇，并帶有標準或邏輯水平柵極驅(qū)動器。這些器件只需要4平方毫米的占位空間，采用IR最新的低電壓N-通道和P-通道硅技術(shù)，從而達到極低的導通電阻 (RDS(on)) ，以及等同PQFN3.3x3.3或PQFN5x6封裝的高功率密度。

IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IR的新型PQFN2x2器件進一步擴展IR廣闊的功率 MOSFET系列，也可以滿足我們客戶的需求，進一步縮小封裝尺寸，并結(jié)合基準硅技術(shù)。這些新器件擁有超小尺寸和高密度，非常適合于高度數(shù)字化內(nèi)容相關(guān)的應(yīng)用。”

這個PQFN2x2系列包括為負載開關(guān)的高側(cè)而優(yōu)化的P-通道器件，帶來一個更簡單的驅(qū)動解決方案。同時，新器件的厚度少于1 mm，使它們與現(xiàn)有的表面貼裝技術(shù)兼容，并且擁有行業(yè)標準的占位空間，還符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令 (RoHS) 。

產(chǎn)品規(guī)格