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這可是個(gè)新方法，保證電源的高效率、高性能！
利用ADC、PLL和RF收發(fā)器的現(xiàn)代信號(hào)處理系統(tǒng)設(shè)計(jì)通常需要更低的功耗和更高的系統(tǒng)性能。為這些噪聲敏感的設(shè)備選擇合適的電源始終是系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員的難點(diǎn)。這些設(shè)計(jì)總是需要在高效率和高性能之間做出取舍。
2019-09-10
電源 高效率 高性能
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德州儀器：DC DC 轉(zhuǎn)換器 EMI 的工程師指南（四）——輻射發(fā)射
這篇系列文章的第 4 部分針對(duì)電源轉(zhuǎn)換器（特別是工業(yè)和汽車領(lǐng)域使用的電源轉(zhuǎn)換器）在開關(guān)時(shí)產(chǎn)生的輻射排放闡述了一些觀點(diǎn)。
2019-09-10
DC DC 轉(zhuǎn)換器 EMI 輻射發(fā)射
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2020第十屆亞太國(guó)際電源產(chǎn)品及技術(shù)展覽會(huì)邀請(qǐng)函
政策表明，十三五期間，伴隨著中國(guó)經(jīng)濟(jì)的持續(xù)快速增長(zhǎng)，中國(guó)電源產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)良好的發(fā)展態(tài)勢(shì)，2016年中國(guó)電源市場(chǎng)規(guī)模首次突破2000億大關(guān)，截止至2017年中國(guó)電源行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到2321億元，同比增長(zhǎng)12.89%。
2019-09-10
電源產(chǎn)品
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德州儀器：DC DC 轉(zhuǎn)換器 EMI 的工程師指南（三）——了解功率級(jí)寄生效應(yīng)
DC/DC轉(zhuǎn)換器中半導(dǎo)體器件的高頻開關(guān)特性是主要的傳導(dǎo)和輻射發(fā)射源。本文章系列的第2部分回顧了DC/DC 轉(zhuǎn)換器的差模（DM）和共模（CM）傳導(dǎo)噪聲干擾。
2019-09-10
DC DC 轉(zhuǎn)換器 EMI 寄生效應(yīng)
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模擬電路8大概念，你爛熟于心了嗎？
在電子電路中，電源、放大、振蕩和調(diào)制電路被稱為模擬電子電路，因?yàn)樗鼈兗庸ず吞幚淼氖沁B續(xù)變化的模擬信號(hào)。
2019-09-10
模擬電路 放大器
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詳解FIR濾波器與IIR濾波器的具體區(qū)別
兩種濾波器都是數(shù)字濾波器。根據(jù)沖激響應(yīng)的不同，將數(shù)字濾波器分為有限沖激響應(yīng)（FIR）濾波器和無(wú)限沖激響應(yīng)（IIR）濾波器。對(duì)于FIR濾波器，沖激響應(yīng)在有限時(shí)間內(nèi)衰減為零，其輸出僅取決于當(dāng)前和過(guò)去的輸入信號(hào)值。對(duì)于IIR濾波器，沖激響應(yīng)理論上應(yīng)會(huì)無(wú)限持續(xù)，其輸出不僅取決于當(dāng)前和過(guò)去的輸入信...
2019-09-09
FIR濾波器 IIR濾波器 區(qū)別
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揭曉ADC的“前世今生”：RF采樣ADC給系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來(lái)獨(dú)特優(yōu)勢(shì)
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器充當(dāng)現(xiàn)實(shí)模擬世界與數(shù)字世界之間的橋梁已有數(shù)十年的歷史。從占用多個(gè)機(jī)架空間并消耗大量電能（例如DATRAC 11位50kSPS真空管ADC的功耗為500W）的分立元件起步，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器現(xiàn)已蛻變?yōu)楦叨燃傻膯涡酒琁C。
2019-09-09
ADC RF采樣
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熱失控保護(hù)
熱失控對(duì)電子設(shè)備的威脅日益加劇，原因在于電子設(shè)備中越來(lái)越大的功率被壓縮于愈加緊湊的空間 當(dāng)中；傳統(tǒng)方法無(wú)法妥善應(yīng)對(duì)這種威脅。SMD溫度保險(xiǎn)絲提供了一種解決方案，可實(shí)現(xiàn)260°C回流 焊，又能在達(dá)到210°C時(shí)熔斷。
2019-09-09
熱失控保護(hù) 溫度保險(xiǎn)絲
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MOSFET Qrr—在追求能效時(shí)，忽視這一參數(shù)是危險(xiǎn)的
在電流流經(jīng)MOSFET體二極管的應(yīng)用中，反向恢復(fù)電荷Qrr會(huì)引起一些重大的挑戰(zhàn)，設(shè)計(jì)工程師需要仔細(xì)處理。在低功耗充電器和適配器產(chǎn)品應(yīng)用中，其開關(guān)頻率高且負(fù)載電流一般小于5A，對(duì)I2R損耗的關(guān)注較少，設(shè)計(jì)工程師應(yīng)密切關(guān)注動(dòng)態(tài)損耗。選擇低Qrr MOSFET可以降低尖峰值，提高效率，降低EMI輻射。
2019-09-09
MOSFET EMI輻射
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