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邁向更綠色的未來(lái)：GaN技術(shù)的變革性影響
過(guò)去幾十年間，人口和經(jīng)濟(jì)活動(dòng)的快速增長(zhǎng)推動(dòng)了全球能源消耗的穩(wěn)步增長(zhǎng)，并且預(yù)計(jì)這一趨勢(shì)還將持續(xù)。這種增長(zhǎng)是線下與線上活動(dòng)共同作用的結(jié)果。因此，數(shù)據(jù)中心的快速擴(kuò)張顯著增加了全球電力需求。據(jù)估計(jì)，2022年全球數(shù)據(jù)中心耗電量約為240-340太瓦時(shí)（TWh）。近年來(lái)，全球數(shù)據(jù)中心的能源消耗以每年2...
2024-12-26
GaN技術(shù)
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ADC 總諧波失真
了解了 ADC 中的缺失代碼如何導(dǎo)致 ADC 輸出失真。這種失真將導(dǎo)致輸入信號(hào)的諧波出現(xiàn)在 ADC 的輸出中。雖然具有缺失代碼的 ADC 確實(shí)會(huì)產(chǎn)生大量諧波失真，但缺失代碼并不是諧波失真的來(lái)源。 ADC 輸出中的諧波失真是由 ADC 特性中存在的任何非線性引起的。每個(gè)實(shí)用的 ADC 都具有非線性特性。因此，每個(gè)...
2024-12-25
ADC 總諧波 失真
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貿(mào)澤電子持續(xù)擴(kuò)充工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品陣容
專(zhuān)注于引入新品的全球電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 持續(xù)擴(kuò)充其來(lái)自業(yè)界知名制造商和解決方案供應(yīng)商的工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品陣容，幫助客戶(hù)奠定工業(yè)5.0發(fā)展的基礎(chǔ)。
2024-12-25
貿(mào)澤電子 工業(yè)自動(dòng)化
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將“微型FPGA”集成到8位MCU，是種什么樣的體驗(yàn)？
在半導(dǎo)體領(lǐng)域，微控制器（MCU）是一個(gè)很卷的賽道。為了能夠從眾多競(jìng)爭(zhēng)者中脫穎而出，MCU產(chǎn)品一直在不斷添加新“技能”，以適應(yīng)市場(chǎng)環(huán)境的新要求。因此，時(shí)至今日，如果你“打開(kāi)”一顆MCU，會(huì)發(fā)現(xiàn)其早已不再是一顆傳統(tǒng)意義上簡(jiǎn)單的計(jì)算和控制芯片，而是集成了CPU內(nèi)核以及豐富外設(shè)功能模塊的SoC。
2024-12-25
微型FPGA MCU
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應(yīng)用于體外除顫器中的電容器
除顫器1的設(shè)計(jì)旨在通過(guò)向心臟施加受控的電擊，即向心肌輸送電流，以治療心律失常癥狀，并促使心臟恢復(fù)正常跳動(dòng)。在這一關(guān)鍵的救生過(guò)程中，電容器扮演著舉足輕重的角色。在今天的文章中，我們將為您詳細(xì)闡述除顫器電路的基本構(gòu)成元素，并深入分析電容器選型在除顫器系統(tǒng)設(shè)計(jì)中所起到的關(guān)鍵作用。
2024-12-25
體外除顫器 電容器
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用于模擬傳感器的回路供電（兩線）發(fā)射器
在過(guò)程控制系統(tǒng)中，測(cè)量信號(hào)通常轉(zhuǎn)換為模擬升高零電流：4 至 20 毫安 （4-20 mA）。信號(hào)在范圍的低端 （0%） 為 4 mA，在滿量程 （100%） 時(shí)為 20 mA。
2024-12-25
模擬傳感器 發(fā)射器
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（八）——利用瞬態(tài)熱阻計(jì)算二極管浪涌電流
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-25
功率器件 熱設(shè)計(jì) 瞬態(tài)熱阻 二極管 浪涌電流
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（九）——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散
任何導(dǎo)熱材料都有熱阻，而且熱阻與材料面積成反比，與厚度成正比。按道理說(shuō)，銅基板也會(huì)有額外的熱阻，那為什么實(shí)際情況是有銅基板的模塊散熱更好呢？這是因?yàn)闊岬臋M向擴(kuò)散帶來(lái)的好處。
2024-12-22
功率器件 熱設(shè)計(jì) 功率半導(dǎo)體模塊 熱擴(kuò)散
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第12講：三菱電機(jī)高壓SiC芯片技術(shù)
三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了高耐壓SiC MOSFET，并將其產(chǎn)品化，率先將其應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)鐵路車(chē)輛的變流器中，是一家在市場(chǎng)上擁有良好業(yè)績(jī)記錄的SiC器件制造商。本篇帶你了解三菱電機(jī)高壓SiC芯片技術(shù)。
2024-12-22
三菱電機(jī) SiC 芯片技術(shù)
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