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電源測量的導(dǎo)線布局如何影響測量精度？
在電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)測試是驗(yàn)證穩(wěn)定性的核心環(huán)節(jié)。然而，工程師往往忽視一個關(guān)鍵細(xì)節(jié)——待測電源與負(fù)載之間的連接線布局。本文通過ADI（亞德諾半導(dǎo)體）ADP2386評估板的實(shí)測數(shù)據(jù)，揭示導(dǎo)線寄生電感對測試結(jié)果的直接影響。
2025-05-13
電源測量 導(dǎo)線布局
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熱敏電阻技術(shù)全景解析：原理、應(yīng)用與供應(yīng)鏈戰(zhàn)略選擇
本文基于Yole Development 2025年傳感器市場報(bào)告及中國電子元件行業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù)，深度剖析熱敏電阻技術(shù)演進(jìn)與產(chǎn)業(yè)格局，為工程師提供選型決策支持。熱敏電阻（Thermistor）是電阻值隨溫度顯著變化的半導(dǎo)體器件。
2025-05-12
熱敏電阻
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壓敏電阻技術(shù)全解析與選型的專業(yè)指南
壓敏電阻（Varistor，Voltage Dependent Resistor）是一種電壓敏感型非線性電阻器，核心材料為氧化鋅（ZnO）陶瓷摻雜Bi?O?、Co?O?等金屬氧化物。其電阻值隨外加電壓呈指數(shù)級變化，具備雙向?qū)ΨQ的伏安特性，主要功能為過電壓保護(hù)。
2025-05-11
壓敏電阻
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功率器件新突破！氮化鎵實(shí)現(xiàn)單片集成雙向開關(guān)
氮化鎵（GaN）單片雙向開關(guān)正重新定義功率器件的電流控制范式。 傳統(tǒng)功率器件（如MOSFET或IGBT）僅支持單向主動導(dǎo)通，反向電流需依賴體二極管或外接抗并聯(lián)二極管實(shí)現(xiàn)第三象限傳導(dǎo)。這種被動式反向?qū)ú粌H缺乏門極控制能力，更因二極管壓降導(dǎo)致效率損失。為實(shí)現(xiàn)雙向可控傳導(dǎo)，工程師常采用背對背（B...
2025-05-11
氮化鎵 單片雙向開關(guān) 功率器件
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BMS開路檢測新突破：算法如何攻克電芯連接故障識別難題？
噪聲敏感器件的功耗不斷提高。醫(yī)療超聲成像系統(tǒng)、5G收發(fā)器和自動測試設(shè)備(ATE)等應(yīng)用需要在面積較小的PCB上實(shí)現(xiàn)高輸出電流(>5 A)、低噪聲水平和高帶寬。由于對輸出電流的需求較高，以前使用的傳統(tǒng)雙級（降壓+低壓差(LDO)穩(wěn)壓器）解決方案需要的PCB面積較大，導(dǎo)致功耗較高，因此不太受歡迎。
2025-05-11
BMS電路 電芯連接
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功率電阻從原理到選型的工程實(shí)踐指南
功率電阻是專用于高功率電路的能量耗散器件，其設(shè)計(jì)基準(zhǔn)以熱管理為核心。
2025-05-11
功率電阻
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薄膜電阻技術(shù)深度解析與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用指南
薄膜電阻（Thin Film Resistor）通過物理/化學(xué)氣相沉積（PVD/CVD）工藝，在陶瓷基板（Al?O?或AlN）表面形成納米級（50-250nm）金屬或合金薄膜（如NiCr、TaN）。
2025-05-10
薄膜電阻
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雙脈沖測試系統(tǒng)如何確保晶體管性能可比較性
在電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中，為確保電源晶體管的性能評估準(zhǔn)確性，選擇合適的器件至關(guān)重要。理想情況下，功率半導(dǎo)體供應(yīng)商提供的數(shù)據(jù)表應(yīng)包含一致且可比較的動態(tài)參數(shù)。然而，在實(shí)際操作中，尤其是針對表征寬帶gap（WBG）功率晶體管的動態(tài)開關(guān)特性測試，實(shí)現(xiàn)使寄生蟲保持較小且從系統(tǒng)之間保持一致的挑戰(zhàn)。本...
2025-05-10
雙脈沖測試系統(tǒng) 動態(tài)特征
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金屬膜電阻技術(shù)解析與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用指南
金屬膜電阻（Metal Film Resistor）是在高純度陶瓷基板（通常為Al?O?）表面，通過真空沉積工藝形成鎳鉻合金（NiCr）或氮化鉭（TaN）薄膜，再經(jīng)激光微調(diào)達(dá)到目標(biāo)阻值的精密電阻器。
2025-05-09
金屬膜電阻
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