【導(dǎo)讀】LED的亮度與通過LED的電流成正比,因此,為使LED電流大小一致,需要設(shè)計一款恒流驅(qū)動器。本文設(shè)計的寬電壓輸入、大電流、高調(diào)光比LED恒流驅(qū)動芯片,具有結(jié)構(gòu)簡單、動態(tài)響應(yīng)快、不需要補(bǔ)償電路等優(yōu)點,通過DIM引腳,芯片可以方便的進(jìn)行LED開關(guān)、模擬調(diào)光和寬范圍的PWM調(diào)光。
隨著LED技術(shù)的發(fā)展,大功率LED在燈光裝飾和照明等領(lǐng)域得到了普遍的使用,同時功率型LED驅(qū)動芯片也顯得越來越重要。由于LED的亮度輸出與通過LED的電流成正比,為了保證各個LED亮度、色度的一致性,有必要設(shè)計一款恒流驅(qū)動器,使LED電流的大小盡可能一致。
基于LED發(fā)光特性,本文設(shè)計了一種寬電壓輸入、大電流、高調(diào)光比LED恒流驅(qū)動芯片。該芯片采用遲滯電流控制模式,可以用于驅(qū)動一顆或多顆串聯(lián)LED。在6V~30V的寬輸入電壓范圍內(nèi),通過對高端電流的采樣來設(shè)置LED平均電流,芯片輸出電流精度控制在5.5%,同時芯片可通過DIM引腳實現(xiàn)模擬調(diào)光和PWM調(diào)光,優(yōu)化后的芯片響應(yīng)速度可使芯片達(dá)到很高的調(diào)光比。
本文對整體電路進(jìn)行了分析,并介紹各個重要子模塊的設(shè)計,最后給出了芯片的整體仿真波形、版圖和結(jié)論。
LED驅(qū)動電路系統(tǒng)原理
圖1是芯片整體架構(gòu)以及典型應(yīng)用電路圖。
該電路包括帶隙基準(zhǔn)、電壓調(diào)整器、高端電流采樣、遲滯比較器、功率管M1、PWM和模擬調(diào)光等模塊。此外該芯片還內(nèi)置欠壓和過溫保護(hù)電路,從而能在各種不利的條件下,有效的保證系統(tǒng)能夠穩(wěn)定的工作。
圖1:LED驅(qū)動芯片整體等效架構(gòu)圖
從圖1中可以看到電感L、電流采樣電阻RS、續(xù)流二極管D1形成了一個自振蕩的連續(xù)電感電流模式的恒流LED控制器。該芯片采用遲滯電流控制模式,因為LED驅(qū)動電流的變化就反應(yīng)在RS兩端的壓差變化上,所以在電路正常工作時,通過采樣電阻RS采樣LED中的電流并將其轉(zhuǎn)化成一定比例的采樣電壓VCS,然后VCS進(jìn)入滯環(huán)比較器,通過與BIAS模塊產(chǎn)生的偏置電壓進(jìn)行比較,產(chǎn)生PWM控制信號,再經(jīng)柵驅(qū)動電路從而控制功率開關(guān)管的導(dǎo)通與關(guān)斷。
下面具體分析電路的工作原理。首先芯片在設(shè)計時會內(nèi)設(shè)兩個電流閾值IMAX和IMIN。當(dāng)電源VIN上電時,電感L和電流采樣電阻RS的初始電流為零,LED電流也為零。這時候,CS_COMP遲滯比較器的輸出為高,內(nèi)置功率NMOS開關(guān)管M1導(dǎo)通,SW端的電位為低,流過LED的電流開始上升。電流通過電感L、電流采樣電阻RS、LED和內(nèi)部功率開關(guān)從VIN流到地,此時電流上升斜率由VIN、電感(L)、LED壓降決定。當(dāng)LED電流增大到預(yù)設(shè)值IMAX時,CS_COMP遲滯比較器的輸出為低,此時功率開關(guān)管M1關(guān)閉,由于電感電流的連續(xù)性,此時電流以另一個下降斜率流過電感(L)、電流采樣電阻(RS)、LED和續(xù)流肖特基二極管(D1),當(dāng)電流下降到另外一個預(yù)定值IMIN時,功率開關(guān)重新打開,電源為電感L充電,LED電流又開始增大,當(dāng)電流增大到IMAX時,控制電路關(guān)斷功率管,重復(fù)上一個周期的動作,這樣就完成了對LED電流的滯環(huán)控制,使得LED的平均電流恒定不變。
從以上分析可知,LED的平均驅(qū)動電流是由內(nèi)設(shè)的閾值IMAX和IMIN決定,因而不存在類似于峰值電流控制模式的反饋回路。所以與峰值電流控制模式相比,滯環(huán)電流控制模式具有自穩(wěn)定性,不需要補(bǔ)償電路,另外峰值電流檢測模式動態(tài)響應(yīng)調(diào)節(jié)一般需要幾個周期的時間,而滯環(huán)電流控制至多一個周期就可以穩(wěn)定系統(tǒng)的動態(tài)響應(yīng),所以滯環(huán)電流控制的動態(tài)響應(yīng)更加迅速。當(dāng)然滯環(huán)電流控制模式存在著輸出紋波較大,變頻控制容易產(chǎn)生變頻噪聲等缺點,但是在大功率LED照明驅(qū)動應(yīng)用中,一定的紋波變化和開關(guān)頻率變化不會對LED的整體照明性能產(chǎn)生較大影響。
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LED驅(qū)動電路子模塊設(shè)計
帶隙基準(zhǔn)(Bandgap)
圖2為采用共源共柵電流鏡,可以改善電源抑制和初始精度的CMOS自偏置基準(zhǔn)電路。其中,R1和PH4組成啟動電路,當(dāng)電源上電時,若電路出現(xiàn)零電流狀態(tài),此時VA為低,MOS管PH4開啟,并向基準(zhǔn)核心電路中注入電流,使得基準(zhǔn)電路擺脫零簡并偏置點,當(dāng)電路正常工作時,通過合理的設(shè)置P7和P8的寬長比,使它們都處于深線性區(qū),由于R2和R3阻值很大,此時VA的大小接近輸入電壓,MOS管PH4關(guān)斷,啟動結(jié)束。此外,由于VA的電壓接近電源電壓,通過電阻R2和R3的分壓后,電壓VB就能表征電源電壓,從而在電源電壓低于設(shè)定值時,輸出欠壓信號,關(guān)斷功率管,起到欠壓保護(hù)的功能。
圖2:帶隙基準(zhǔn)電壓源電路圖
由于基準(zhǔn)電路的輸入電壓最高可達(dá)到30V,而普通MOS管漏源和柵耐壓為5V。而且為了使電流鏡像更加匹配,P1、P2、P5、P7必須使用普通的MOS管。所以,為了防止管子在高壓時被擊穿,需在這些管子的漏源之間加入柵漏短接的厚柵氧MOS管作為保護(hù)管,即PH1、PH2、PH3。
遲滯比較器(CS_COMP)
圖3為遲滯比較器等效電路圖,其中VTH_H和VTH_L為BIAS模塊提供的偏置基準(zhǔn)電壓,而CS為電流采樣模塊提供的采樣電壓。電流采樣和遲滯比較器模塊是組成該芯片的核心模塊,通過這兩個模塊就可以很好的實現(xiàn)滯環(huán)電流控制。
圖3:遲滯比較器等效電路圖
電路工作時,高端電流采樣模塊采樣輸出電流,并按一定比例轉(zhuǎn)化成采樣電壓CS,當(dāng)CS電壓大于VTH_H時,P_OFF為高,P_ON為低,M1關(guān)M2開啟,此時COMP1_G負(fù)端輸入VTH_L,并且此時由于P_ON為低,功率管關(guān)斷,LED電流開始減小,采樣電壓也開始減小。當(dāng)CS電壓小于VTH_L時,P_OFF為低,P_ON為高,M1開啟,M2關(guān)斷,COMP_G負(fù)端輸入VTH_H,此時P_ON為高,功率管開啟,LED電流開始增大,采樣電壓也開始增大。當(dāng)CS電壓大于VTH_H時,遲滯比較器模塊將重復(fù)上一個周期的動作。這樣通過遲滯比較器就能產(chǎn)生一定占空比的方波來控制功率開關(guān)管關(guān)與斷,從而有效控制外部LED的電流大小。
此外,高端電流采樣和遲滯比較器模塊需要有較高的單位增益帶寬GBW,從而提高電流采樣和遲滯比較的速度,這樣就可以減少電路延遲,提高芯片的響應(yīng)速度,同時也提高了芯片輸出電流精度。
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模擬和PWM調(diào)光(DIM)
通常希望在不同的應(yīng)用場合和環(huán)境下,LED的發(fā)光亮度能夠隨著應(yīng)用和環(huán)境的變化隨時可調(diào),這就需要LED驅(qū)動器具有調(diào)光的功能。現(xiàn)在,最常用的LED調(diào)光方式有:模擬調(diào)光、PWM調(diào)光、數(shù)字調(diào)光等方式。
模擬調(diào)光是通過線性的改變LED驅(qū)動器的輸出電流來調(diào)整LED的發(fā)光亮度,它的優(yōu)點是能夠避免由PWM或數(shù)字調(diào)光所產(chǎn)生的噪聲等問題,缺點是模擬調(diào)光會改變LED的驅(qū)動電流,從而引起LED的色偏。PWM調(diào)光方式是通過反復(fù)開關(guān)LED驅(qū)動器,在PWM信號使能期間輸出電流,其它時間內(nèi)關(guān)閉LED驅(qū)動,通過調(diào)節(jié)PWM信號的占空比可來實現(xiàn)調(diào)光。PWM調(diào)光的原理是利用人眼的‘視覺暫留’效應(yīng),但為了避免人眼能夠看到LED的閃爍,PWM調(diào)光的頻率應(yīng)在100Hz以上。
由于不會改變LED平均電流,PWM調(diào)光也就不會改變LED的色度。
圖4:模擬調(diào)光等效電路圖
圖4給出了模擬調(diào)光等效電路圖。圖4是一個差分輸入結(jié)構(gòu)。其中輸入V1為一固定電平2.5V,V2為DIM引腳的輸入經(jīng)電阻分壓后的電平。由于本電路只工作于大信號情況下,所以首先對其大信號進(jìn)行分析。N1、N2管組成的電流鏡將兩通路電流強(qiáng)制相等,則:
壓大于V1時,由于L2點電壓為低N3、N4截止。輸出Io為零,無調(diào)光效果。當(dāng)V2減小到2.5V,兩邊電流相等,輸出也為零。此時若V2從2.5V減小ΔV,由公式(3)可知電壓L1與L3之差就增大ΔV,這樣引起的電壓差在電阻上產(chǎn)生的電流經(jīng)過N3、N4鏡像后就得到輸出電流Io。該電流將進(jìn)入電流采樣模塊,并影響電流采樣電壓CS的大小,從而起到改變輸出電流的作用。
圖5給出了芯片模擬調(diào)光過程仿真圖。從圖中可以看到,當(dāng)DIM引腳電壓逐漸降低時,LED平均電流IL也開始按一定比例降低,在DIM引腳電壓低于0.3V時,功率管被關(guān)斷,LED電流下降到零。這就說明模擬調(diào)光模塊能很好的控制LED驅(qū)動電流大小。
圖5:模擬調(diào)光過程仿真圖
[page]圖6給出了PWM調(diào)光等效電路圖,通過在DIM引腳加入可變占空比的PWM信號就可以改變輸出電流,從而實現(xiàn)PWM調(diào)光。
圖6:PWM調(diào)光等效電路圖
圖6中,當(dāng)DIM由高變低,小于VT_L時,使能變EN為高。此時VT選通為VT_H,當(dāng)DIM由低變高,高于VT_H時使能轉(zhuǎn)換,并實現(xiàn)一定的電壓遲滯。如果輸入信號是PWM信號,同樣通過上述工作過程,這樣EN輸出同樣為PWM信號,控制內(nèi)部功率管的開關(guān),從而達(dá)到控制輸出電流的目的。
圖7給出了當(dāng)DIM輸入典型值20kHz、占空比為50%的PWM方波時,輸出電流波形。從圖中可以看到在DIM引腳輸入一定占空比的方波時,LED的平均電流與PWM方波的占空比成正比,因此通過設(shè)定PWM方波的占空比,就可以改變LED平均電流的大小。
圖7:PWM調(diào)光波形圖
由上圖還可以看出,當(dāng)輸出一個電感電流周期時,PWM方波具有最小的占空比,約為4%,此時最大調(diào)光比為25:1。顯然,采用周期越長,頻率越低的PWM方波進(jìn)行數(shù)字調(diào)光所獲得的調(diào)光比就越高,但考慮到人眼的視覺暫留效應(yīng),為防止輸出LED電流頻率過低引起閃爍,應(yīng)用時一般設(shè)置最低fDIM=100Hz,此時最大調(diào)光比可高達(dá)5000:1。
LED驅(qū)動芯片仿真結(jié)果
本文基于1μm40VCSMC工藝模型,使用HSPICE軟件,對整體芯片進(jìn)行了仿真驗證。
表1給出了典型條件下,采樣電阻RS=0.33ohm,電感L=100μH時,在不同的電源電壓,不同LED連接數(shù)目下,LED輸出電流精度。芯片由于采樣延遲、采樣精度、驅(qū)動級延遲等因素,會導(dǎo)致輸出電流產(chǎn)生誤差。在不同的電源電壓和負(fù)載條件下,從表一中可以看到輸出電流精度均能很好的控制在5.5%以內(nèi)。同時也可以看到,要實現(xiàn)較好的電流精度,固定負(fù)載下需要相應(yīng)的電源電壓與之匹配。
表1:輸出電流精度
結(jié)束語
本文基于1μm40VCSMC高壓工藝,設(shè)計了一種寬電壓輸入、大電流、高調(diào)光比LED恒流降壓驅(qū)動芯片。在滯環(huán)電流控制模式下,芯片具有結(jié)構(gòu)簡單、動態(tài)響應(yīng)快、不需要補(bǔ)償電路等優(yōu)點。通過DIM引腳,芯片可以方便的進(jìn)行LED開關(guān)、模擬調(diào)光和寬范圍的PWM調(diào)光。仿真結(jié)果表明,當(dāng)輸入電壓從8V變化到30V時,芯片輸出電流最大偏差不超過5.5%。此外,在芯片驅(qū)動7個LED時,效率可高達(dá)97%。
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