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四大政策推動(dòng)國內(nèi)逆變器市場需求
據(jù)統(tǒng)計(jì)，2009年光伏逆變器的需求量約為150MW左右，由于2009年兆瓦級光伏電站的大批上馬，逆變器需求量與2008年相比翻了7倍，但由于2009年逆變器產(chǎn)品價(jià)格下降幅度較大，規(guī)模增長較為平穩(wěn)。
2010-04-28
四大政策 國內(nèi) 逆變器 市場需求
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BEAR推出用于智能電表的可定制電源
該電源遵循IEEE C62.41-1991 (R1995)標(biāo)準(zhǔn),可承受如閃電引起的高瞬態(tài)浪涌。其他性能包括工作溫度范圍為-40°C~+70°C。
2010-04-28
BEAR 智能電表 定制電源
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Taosinc推出工作在后向深色玻璃的環(huán)境光傳感器
該公司新一代數(shù)字環(huán)境光傳感器和接近檢測系列的首個(gè)成員，無需在傳感器前端使用透明玻璃/塑料或在顯示器、擋板或框架中鉆孔/槽，以便光線能到達(dá)傳感器。
2010-04-28
Taosinc 后向 深色玻璃 光傳感器
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中國數(shù)字告示市場國內(nèi)外品牌格局分析
近幾年，數(shù)字告示在中國市場地發(fā)展速度非常迅速，無論是來自國外的領(lǐng)頭羊，還是本土占絕對數(shù)量優(yōu)勢的生力軍，不同規(guī)模的數(shù)字告示企業(yè)幾年間拔地而起，讓整個(gè)市場“硝煙彌漫”。
2010-04-28
數(shù)字告示 市場 國內(nèi)外 品牌格局
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片式元器件大勢所趨 小型薄膜化是方向
歷經(jīng)金融風(fēng)暴一番洗禮，電子元器件行業(yè)步入新型元器件時(shí)代，產(chǎn)品朝著高頻化、片式化、微型化、薄型化、低功耗、響應(yīng)速率快、高分辨率、高功率、多功能、模塊化和智能化等方向發(fā)展，安全性、綠色化亦成影響行業(yè)發(fā)展的重要元素。
2010-04-28
元器件 風(fēng)華高科 電子制造業(yè)
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半導(dǎo)體設(shè)備制造商的好日子己經(jīng)到來
按Hill看法, 今年半導(dǎo)體業(yè)有13-15%的增長, 而半導(dǎo)體設(shè)備市場今年可能有80%的超常增長。同時(shí)，VLSI市場研究公司認(rèn)為2010年全球半導(dǎo)體市場達(dá)2315億美元, 相比于09年增長21.9%,而09年IC市場下降8,4%。2010年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場可達(dá)332億美元, 相比于09年增長42.5%, 而09年IC設(shè)備市場下降43.1%。
2010-04-28
半導(dǎo)體設(shè)備 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 芯片
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醫(yī)療電子現(xiàn)商機(jī) 農(nóng)村市場成亮點(diǎn)
隨著經(jīng)濟(jì)與社會的發(fā)展，人的健康意識、健康需求以及醫(yī)療支付能力正不斷提高，在個(gè)體需求上，經(jīng)濟(jì)形勢的好壞對人們的醫(yī)療服務(wù)需求難以產(chǎn)生影響，這也使得便攜醫(yī)療電子產(chǎn)品特別是家用便攜醫(yī)療電子產(chǎn)品市場繼續(xù)穩(wěn)步擴(kuò)大。而對于醫(yī)用便攜醫(yī)療電子產(chǎn)品，由于政府已經(jīng)成為這類產(chǎn)品的絕對購買主力，在中國...
2010-04-28
便攜 醫(yī)療電子 農(nóng)村市場
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Cree宣布推出突破性創(chuàng)新照明類LED器件
Cree 公司宣布推出突破性創(chuàng)新照明類 LED 器件——XLamp XM LED。這款新型單芯片 LED 不僅在 350 mA的驅(qū)動(dòng)電流下提供了創(chuàng)紀(jì)錄的160 lm/w高光效，而且還能在 2 A 電流下提供 750 lm 的光通量，這意味著不足 7 W 的此類 LED 能夠產(chǎn)生相當(dāng)于 60 W 的白熾燈產(chǎn)生的光輸出。
2010-04-27
Cree 照明 LED XM LED Screen Master 4mm LED
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飛兆半導(dǎo)體和英飛凌科技達(dá)成功率MOSFET兼容協(xié)議
全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33?)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達(dá)成封裝合作伙伴協(xié)議。
2010-04-27
飛兆半導(dǎo)體 英飛凌 MOSFET
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