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IR推出基準工業(yè)級30V MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列獲得工業(yè)認證的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET，為不間斷電源 (UPS) 逆變器、低壓電動工具、ORing應用和網(wǎng)絡通信及和服務器電源等應用提供非常低的柵極電荷 (Qg) 。
2009-08-27
IR 國際整流器 MOSFET 電源 逆變器
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SiE876DF：Vishay導通電阻最低的60V TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay宣布推出采用雙面冷卻、導通電阻最低的60V器件 --- SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK封裝，在10V柵極驅(qū)動下的最大導通電阻為6.1Ω，比市場上可供比較的最接近器件減小了13%。
2009-08-26
SiE876DF MOSFET Vishay
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DFN系列：Vishay精密薄膜表面貼裝電阻網(wǎng)絡和分壓電阻
日前，Vishay宣布，推出業(yè)界首款精密薄膜表面貼裝電阻網(wǎng)絡和分壓電阻 --- DFN系列。器件采用引腳間距為0.65mm、厚度為1mm的4mm x 4mm雙平面無鉛封裝。與傳統(tǒng)的5mm x 6mm SOIC 8引線封裝相比，DFN系列的新封裝可節(jié)省53%的印制電路板空間。
2009-08-25
軍工 測試 Vishay DFN 電阻網(wǎng)絡 分壓電阻
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IGBT在客車系統(tǒng)逆變器中的應用與保護
IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(InsulatedGateBipolarTransistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場效應管的優(yōu)點而發(fā)展的一種新型復合電子器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降的優(yōu)點
2009-08-24
IGBT 逆變器應用 過熱保護
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信息安全論壇首進成都 凸顯西部軍備電子地位
軍事電子裝備與系統(tǒng)研發(fā)生產(chǎn)居全國第一。擁有國家信息安全基地，信息安全產(chǎn)業(yè)居全國領先水平。電子信息產(chǎn)業(yè)布局相對集中，集聚優(yōu)勢正在形成。四川形成了以成都和綿陽兩點為支撐，沿成（都）、綿（陽）、廣（元）一線布局的電子信息產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)
2009-08-24
信息安全論壇 西部電子論壇 成都 cef XCEF
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電子峰會：掌控綠色技術(shù)的關(guān)鍵詞——節(jié)能、可靠、環(huán)保
高科技產(chǎn)業(yè)的風向標——美國硅谷2008年吸引的“綠色”技術(shù)風險投資比上年猛增94％，達到19億美元。這讓我們看到在全球變暖、能源短缺、經(jīng)濟危機的形勢下，“綠色”技術(shù)將可能成為在當前經(jīng)濟形勢下為企業(yè)盈利的突破口。
2009-08-24
CEF 西部電子論壇 成都 XCEF
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三大研討會解讀儀控和電子制造業(yè)領先技術(shù)趨勢
與“2009中國（成都）電子展”（CEF西部展）同期拉開序幕的三大研討會——“第十二屆國際電子測試與測量專業(yè)研討會”、“第二屆工業(yè)電子論壇”、“中國SMT國際論壇”（西部地區(qū)SMT與電子制造學術(shù)研討會）將在8月27號于成都隆重召開
2009-08-24
西部電子論壇 成都 三大會議 XCEF
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成都：國際頂尖電子技術(shù)產(chǎn)業(yè)將匯聚蓉城
西部電子論壇內(nèi)容準備就緒，國際和國內(nèi)領先電子技術(shù)和服務公司，將于8月27聚集成都世紀城新國際會展中心圍繞西部市場需求，研討供應服務、商業(yè)合作和技術(shù)解決方案
2009-08-24
成都 電子技術(shù) 蓉城 西部電子論壇 XCEF
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成都電子展：吹響電子信息產(chǎn)業(yè)“復蘇”號角
2008年全省信息產(chǎn)業(yè)完成營業(yè)收入1526億元，同比增長25%；其中，電子信息產(chǎn)業(yè)銷售收入1224億元，同比增長31.8％，實現(xiàn)增加值470億元，同比增長28％。主要經(jīng)濟指標在全國省級排名第9位，中西部地區(qū)首位
2009-08-22
四川 成都電子展 西部電子論壇 XCEF
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