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2009年歲末電子產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)回顧與2010年展望
2008年下半年，國際金融風暴席卷全球，以出口為主導的中國大陸電子信息產(chǎn)業(yè)直接受到?jīng)_擊，產(chǎn)品進出口受阻，導致產(chǎn)品產(chǎn)量不斷下降，到今年元月份下降到谷底。由于中國政府及時實行積極的財政政策，調(diào)整產(chǎn)品結構，努力擴大內(nèi)需，電子信息產(chǎn)業(yè)從2月份開始逐漸回升。雖然在個別月份有所波動，但回升趨勢...
2009-12-24
電子產(chǎn)業(yè) 數(shù)據(jù) 回顧 展望
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Toshiba-components推出低導通電阻 快速轉換的30V MOSFET
新產(chǎn)品包括5個N溝道MOSFET和1個MOSBD，MOSBD的單芯片組合了MOSFET和肖特基阻擋二極管，提供了低電感結構，因此提高了能源效率。該產(chǎn)品提供了一系列的特性，使設計人員能夠滿足不同的系統(tǒng)要求。額定電流范圍為13A~26A，RDS(ON) (典型值)為4.3~12.2毫歐(mΩ)，輸入電容從999~2200微微法（pF）（典型值...
2009-12-24
東芝 低導通電阻 快速轉換 MOSFET
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Gartner：全球半導體設備將增長45%
據(jù)國外媒體報道，Gartner研究副總Dean Freeman指出，晶圓代工支出與少數(shù)內(nèi)存廠商的選擇性支出，帶動了2009下半年半導體設備市場的增長，2010年的增長主要將由上半年技術升級的帶動，2010年第3季單季增長率在產(chǎn)能增加前將微幅下滑，整體資本設備產(chǎn)業(yè)預期自2010年底起將一路大幅增長至2011年。
2009-12-24
Gartner 全球 半導體 增長
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美國科學家研發(fā)出一種新型光纖傳感器
美國科學家研發(fā)出一種可以在極端條件下使用的新型光學壓力傳感器。這種光纖傳感器不但可以測量高達1800萬帕(2620磅/平方英寸)的壓力，將感測頭放進-196°C的液態(tài)氮中或者加熱到538°C，性能也不會有明顯改變
2009-12-24
美國 科學家 新型 光纖傳感器
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Vishay推出適用于線焊組裝的新PSC系列RF螺旋電感器
螺旋電感具有1nH~100nH的寬感值范圍，采用0.045英寸x0.045英寸x0.010英寸的小尺寸外形。PSC器件同時具有低寄生電容、低至0.26Ω的DCR、高達10.2GHz的SRF，在250MHz和1000MHz下的Q值分別為13和18。
2009-12-23
Vishay 線焊組裝 PSC RF 螺旋電感器
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太陽能產(chǎn)業(yè)或?qū)吞K 預計明年增長50%
近年來，在美國對環(huán)保項目刺激資金的投入、稅收優(yōu)惠措施延長，新融資涌入等因素的影響下，太陽能產(chǎn)業(yè)增長速度超過了40%，預計明年全球太陽能產(chǎn)業(yè)的增長將達到50%，價格將下降8%至10%，2010年前景較為樂觀。
2009-12-23
太陽能 復蘇 增長 樂觀
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第三季度全球半導體設備出貨額達到45.4億美元
SEMI近日報告稱2009年第三季度全球半導體制造設備出貨額達到45.4億美元，較第二季度增長69%，較去年同期減少31%;第三季度全球半導體設備訂單額為58.3億美元，較第二季度增長98%，較去年第三季度增長4%。
2009-12-23
半導體 出貨額 SEMI SEAJ
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分析：稱重傳感器技術發(fā)展動向
稱重傳感器技術的發(fā)展國際上主要有兩種發(fā)展途徑：以美國為代表的先軍工后民用，先提高后普及的途徑和以日本為代表的實用化商品化，先普及后提高的途徑。我國應屬于后者，盡管軍工部門研究應用較早，但快速發(fā)展和普及還是在近20年,急需提高我國稱重傳感器的總體技術、工藝和質(zhì)量水平。
2009-12-22
稱重傳感器 工藝 技術
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微電子產(chǎn)業(yè)亟待國家政策扶持
無論哥本哈根聯(lián)合國氣候變化大會最終有怎樣的結果，這樣一個能將全球近200個國家和地區(qū)的上萬名代表聚攏到談判桌前的會議讓我們看到：控制碳排放，延緩甚至改變氣候變暖是大勢所趨?？刂铺寂欧抛h題既屬責任范疇，也孕育著商業(yè)機會。
2009-12-22
低碳經(jīng)濟 微電子 光電子 新能源
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