你的位置:首頁 > 測(cè)試測(cè)量 > 正文
功率半導(dǎo)體,大漲價(jià)下的國(guó)產(chǎn)替代之路
發(fā)布時(shí)間:2017-12-28 責(zé)任編輯:wenwei
【導(dǎo)讀】功率半導(dǎo)體器件可以用來控制電路通斷,從而實(shí)現(xiàn)電力的整流、逆變、變頻等變換。一般將額定電流超過 1A 的半導(dǎo)體器件歸類為功率半導(dǎo)體器件,這類器件的阻斷電壓分布在幾伏到上萬伏。常見的功率半導(dǎo)體器件有金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、絕緣柵雙極晶體管芯片(IGBT)及模塊等。
半導(dǎo)體功率器件廣泛應(yīng)用于汽車、家電、光伏、風(fēng)電、軌交等領(lǐng)域,滲透進(jìn)了人們生活的方方面面。從 2016 年下半年開始,功率半導(dǎo)體器件行情回暖,需求持續(xù)旺盛,但是受限于產(chǎn)能,原廠交貨周期開始延長(zhǎng)。一般來說 MOSFET、整流管和晶閘管的交貨周期是 8 周左右,但現(xiàn)在部分 MOSFET、整流管和晶閘管交期已被延長(zhǎng)到 24 至 30 周。
我國(guó)的功率半導(dǎo)體器件的起步雖然較晚,但是市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)迅速。從 2011 年的 1386 億元增長(zhǎng)到 2016 年的 2088 億元,年均復(fù)合增速達(dá) 8.53%, 已經(jīng)成為全球最大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)之一。但是我國(guó)的功率半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商與國(guó)際巨頭相比還有較大差距。 目前全球主要的功率半導(dǎo)體廠商均為英飛凌、德儀、 STM、恩智浦等國(guó)外企業(yè)。國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體器件需要大量進(jìn)口,如 IGBT 有 90%依賴進(jìn)口,因此進(jìn)口替代空間巨大。
為推動(dòng)我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展, 2014 年國(guó)家成立了千億規(guī)模的國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(簡(jiǎn)稱“大基金”)。由于從本質(zhì)上講,功率半導(dǎo)體器件與集成電路(IC)芯片非常類似,它們都由 PN結(jié)、雙極型晶體管、 MOS 結(jié)構(gòu)構(gòu)成,因此兩者的理論基礎(chǔ)相同,大多數(shù)工藝也相同。 因此大基金的設(shè)立也有利于功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展。 2016 年, 大基金以 6 億元入股士蘭微,投資 8 英寸芯片生產(chǎn)線,用于生產(chǎn) IGBT。
國(guó)內(nèi)的企業(yè)也在積極追趕,并取得了不錯(cuò)的成果。如捷捷微電已經(jīng)具備自主設(shè)計(jì)和制造晶閘管的能力, 研發(fā)并生產(chǎn) 200 多種型號(hào)和規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品。 揚(yáng)杰科技的產(chǎn)品涵蓋了整流橋、二極管、MOSFET 模塊等產(chǎn)品,并積極布局 SiC 寬禁帶半導(dǎo)體。 士蘭微的產(chǎn)品在全球中等尺寸(芯片尺寸小于等于 150mm)的芯片生產(chǎn)企業(yè)中位居第五位, 8 英寸芯片生產(chǎn)線也在 2017 年上半年已經(jīng)進(jìn)入試生產(chǎn)階段。華微電子已經(jīng)成功研發(fā)第六代 IGBT 產(chǎn)品,并且在新能源汽車、充電樁、變頻家電等領(lǐng)域取得了良好的應(yīng)用反饋。
功率半導(dǎo)體器件,
電力控制的核心器件
通常所用的電力有交流和直流兩種,比如從公用電網(wǎng)上得到的電力是 50Hz 的交流電,從蓄電池或干電池得到的是直流電。而從這些電源得到的電源往往不能直接滿足使用要求,需要進(jìn)行電力變換。電力變換通常分為四類:交流變直流、直流變交流、直流變直流、交流變交流。交流變直流稱為整流,直流變交流稱為逆變。直流變直流是指電壓(或電流)改變。交流變交流的內(nèi)容比較多,可以改變頻率、相數(shù)或電壓。
電力變換的種類
比如電動(dòng)汽車中的蓄電池輸出的是直流電,而電動(dòng)車使用的電動(dòng)機(jī)主要是交流感應(yīng)電機(jī)和永磁電機(jī)。以交流異步電機(jī)為例,它由外面的固定的定子和內(nèi)部的轉(zhuǎn)子組成。當(dāng)在定子上通上交流電,電流的變化就能產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)的合成磁場(chǎng)。旋轉(zhuǎn)的合成磁場(chǎng)就使內(nèi)部的轉(zhuǎn)子閉合線圈產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì),并跟著磁場(chǎng)轉(zhuǎn)動(dòng)。 交流異步電動(dòng)機(jī)的常用調(diào)速方法是改變接通在定子上的交流電的頻率來改變轉(zhuǎn)子的轉(zhuǎn)速。 因此對(duì)于電動(dòng)汽車來說,需要將蓄電池輸出的直流電逆變成為交流電,并且能控制交流電的頻率。
交流異步電機(jī)的原理圖
逆變電路的基本結(jié)構(gòu)是通過四個(gè)開關(guān)來改變負(fù)載上的電流方向。 當(dāng) S1 和 S4 閉合, S2 和 S3 斷開,負(fù)載上的電流從左往右。當(dāng) S1 和 S4 斷開, S2 和 S3 閉合,負(fù)載上的電流從右往左。通過這種方法就可以將直流電逆變成為交流電,而且通過控制開關(guān)的頻率可以控制交流電的頻率。 類似的電力變換還有很多,如風(fēng)力發(fā)電和太陽能發(fā)電產(chǎn)生的電力是不穩(wěn)定的粗電,需要精煉之后才能上傳到電網(wǎng)上使用;照明用的 LED 燈需要鎮(zhèn)流器先將交流電轉(zhuǎn)為直流電;快充蓄電池也需要將交流電先轉(zhuǎn)為直流電;電動(dòng)汽車中不同的電子設(shè)備(如顯示屏、車燈、雨刷器等)使用的電壓不同,需要將蓄電池輸出的電壓進(jìn)行升壓或降壓。 電子電力技術(shù)已經(jīng)滲透進(jìn)了人們生活的方方面面。
逆變電路原理
功率半導(dǎo)體器件可以用來控制電路通斷, 從而實(shí)現(xiàn)電力變換。 一般將額定電流超過 1A 的半導(dǎo)體器件歸類為功率半導(dǎo)體器件,這類器件的阻斷電壓分布在幾伏到上萬伏。常見的功率半導(dǎo)體器件有金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、絕緣柵雙極晶體管芯片(IGBT)及模塊、快恢復(fù)二極管(FRD)、垂直雙擴(kuò)散金屬-氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(VDMOS)、可控硅(SCR)、 5 英寸以上大功率晶閘管(GTO)、集成門極換流晶閘管(IGCT)等。
英飛凌的功率器件
功率半導(dǎo)體器件可以分為不可控、 半控型和全控型三種。半控型只能通過控制信號(hào)過可以控制其導(dǎo)通而不能控制其關(guān)斷, 典型的有晶閘管。全控型則可以通過控制信號(hào)來控制其導(dǎo)通和關(guān)斷,典型的有 MOSFET 和 IGBT。目前在中小功率范圍內(nèi),全控型器件已經(jīng)取代了過去傳統(tǒng)的半控型器件晶閘管,但是因?yàn)榫чl管的擊穿電壓更高,因此在大功率應(yīng)用領(lǐng)域還有較大份額。 從本質(zhì)上講,功率半導(dǎo)體器件與集成電路(IC)芯片非常類似,它們都由 PN 結(jié)、雙極型晶體管、 MOS 結(jié)構(gòu)構(gòu)成,因此兩者的理論基礎(chǔ)相同,大多數(shù)工藝也相同。不過功率半導(dǎo)體器件用于電力變換和控制,而集成電路芯片用于信息處理,前者需要工作在幾伏到上萬伏的環(huán)境中, 而后者只工作在幾伏的環(huán)境中,用高低電平來表示 1 和 0。
功率半導(dǎo)體的分類
功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)分析
我國(guó)的功率半導(dǎo)體器件的起步雖然較晚,但是市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)迅速。從 2011 年的 1386 億元增長(zhǎng)到 2016 年的2088 億元,年均復(fù)合增速達(dá) 8.53%。已經(jīng)成為全球最大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)之一。但是我國(guó)的功率半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商與國(guó)際巨頭相比還有較大差距。
我國(guó)功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)規(guī)模
2015 年全球主要的功率半導(dǎo)體廠商均為英飛凌、德儀、 STM、恩智浦等國(guó)外企業(yè)。 國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體器件需要大量進(jìn)口,如 IGBT 有 90%依賴進(jìn)口。
2015 年全球功率半導(dǎo)體主要廠商市場(chǎng)份額
2014 年,我國(guó)成立了國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(簡(jiǎn)稱“大基金”)用于推動(dòng)我國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展?;鸪跗谝?guī)模 1200 億元,截止 2017 年 6 月規(guī)模已達(dá)到 1387 億元, 撬動(dòng)的地方集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(包括籌建中)達(dá) 5145 億元。 大基金設(shè)立以來, 實(shí)施項(xiàng)目覆蓋了集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試、裝備、材料、生態(tài)建設(shè)等各環(huán)節(jié),實(shí)現(xiàn)了在產(chǎn)業(yè)鏈上的完整布局。 由于從本質(zhì)上講,功率半導(dǎo)體器件與集成電路(IC)芯片非常類似,它們都由 PN 結(jié)、雙極型晶體管、 MOS 結(jié)構(gòu)構(gòu)成,因此兩者的理論基礎(chǔ)相同,大多數(shù)工藝也相同。因此大基金的設(shè)立也有利于功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展。 2016 年,大基金以 6 億元入股士蘭微,投資 8 英寸芯片生產(chǎn)線,用于生產(chǎn) IGBT。
國(guó)家大基金投資的企業(yè)
下游需求旺盛,
功率半導(dǎo)體器件交貨期延長(zhǎng)
從 2016 年下半年開始,功率半導(dǎo)體器件行情回暖,需求持續(xù)旺盛,但是受限于產(chǎn)能,原廠交貨周期開始延長(zhǎng)。 一般來說 MOSFET、整流管和晶閘管的交貨周期是 8 周左右,但現(xiàn)在部分 MOSFET、整流管和晶閘管交期已被延長(zhǎng)到 24 至 30 周。供不應(yīng)求加劇,供應(yīng)商開始上調(diào)價(jià)格。 2017 年 9 月 1 日,長(zhǎng)電科技發(fā)出通知,將公司所有的 MOSFET 價(jià)格上調(diào) 20%。 9 月 19 日,長(zhǎng)電科技再次上調(diào)價(jià)格。 在長(zhǎng)電大漲 MOSFET 價(jià)格后,其它供貨商立刻全面跟進(jìn)漲價(jià),包括大中、尼克松、富鼎等臺(tái)系 MOSFET 供貨商紛紛漲價(jià)。
電子元器件的周期延長(zhǎng)
功率半導(dǎo)體器件需求旺盛的一個(gè)重要原因是下游新能源汽車的高速增長(zhǎng)。 我國(guó)作為全球最大的新能源汽車市場(chǎng), 2017 年前十月新能源汽車產(chǎn)量達(dá) 51.7 萬輛,同比增長(zhǎng) 45.63%,預(yù)計(jì)全年 70 萬輛銷售目標(biāo)有望完成。 而汽車電子是功率半導(dǎo)體器件最主要的應(yīng)用領(lǐng)域之一, 2016 年占比達(dá) 42%。
我國(guó)新能源汽車產(chǎn)量保持高速增長(zhǎng)
中國(guó)功率半導(dǎo)體下游應(yīng)用市場(chǎng)分布
常見的功率半導(dǎo)體器件
MOSFET 和 IGBT 是目前最常用的兩種功率半導(dǎo)體器件。 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管, 是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。 通過在柵極(G)上施加電壓, 使得源極(S)和漏極(D)之間導(dǎo)通,當(dāng)撤去電壓或施加負(fù)電壓,則使得源極(S)和漏極(D)之間斷開。 n 基極層是為了防止在關(guān)斷的情況下元件被高壓擊穿。 因此需要承受的電壓越高, n 基極層就越厚,電阻也就越大。
MOSFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)
為了改善 MOSFET 的電壓耐受性, 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在 MOSFET 的基礎(chǔ)上增加一層 P+層,與n 基極層形成了一個(gè) pn 二極管。在關(guān)斷情況下,形成的 pn 結(jié)承受了絕大股份電壓,而結(jié)構(gòu)中的 MOSFET 不需要承受高壓,因此提高了元件的耐壓性能。因此 IGBT 一般用在高壓功率產(chǎn)品上,電壓范圍一般 600V-6500V;MOSFET 應(yīng)用電壓相對(duì)較低,從十幾伏到 1000V。 但是 IGBT 的延遲時(shí)間要大于 MOSFET,因此 IGBT 應(yīng)用在切換頻率低于 25kHz 的場(chǎng)景,而 MOSFET 可以應(yīng)用于切換頻率大于 100kHz 的場(chǎng)景。
IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)
全球功率 MOSFET 的主要廠商有英飛凌、安森美半導(dǎo)體、瑞薩等國(guó)際巨頭。其中英飛凌在功率 MOSFET的市場(chǎng)份額達(dá)到 26.4%,是第二位的安森美半導(dǎo)體的兩倍,是功率 MOSFET 行業(yè)的龍頭。 國(guó)內(nèi)的功率 MOSFET市場(chǎng)份額也主要被英飛凌、安森美半導(dǎo)體、瑞薩等國(guó)際巨頭占據(jù),只有士蘭微和華微電子分別占據(jù)了 1.9%和 1.1%的市場(chǎng)份額,進(jìn)口替代的空間巨大。
2016 年全球功率 MOSFET 主要廠商市場(chǎng)份額
2016 年國(guó)內(nèi)功率 MOSFET 主要廠商市場(chǎng)份額
國(guó)內(nèi)功率 MOSFET 的主要生產(chǎn)廠商
IGBT 應(yīng)用領(lǐng)域極其廣泛,小到家電、數(shù)碼產(chǎn)品,大到軌道交通、航空航天,以及清潔發(fā)電、新能源汽車、智能電網(wǎng)等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)都會(huì)用到 IGBT。按電壓分布來看,消費(fèi)電子領(lǐng)域的所用的 IGBT 一般在 600V 以下;
太陽能逆變器和新能源汽車通常在 1200V 左右;軌道交通所使用的 IGBT 電壓在 3300V-6500V 之間。
按電壓分布 IGBT 各應(yīng)用領(lǐng)域
根據(jù)中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù),截至 2015 年, 我國(guó) IGBT 市場(chǎng)規(guī)模 94.8 億元, 2008-2015 年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到13.65%;但我國(guó) IGBT 起步晚,國(guó)產(chǎn)化率僅為 10%,其余 90%的 IGBT 仍依賴進(jìn)口。
我國(guó) IGBT 市場(chǎng)規(guī)模復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá) 13.65%
我國(guó) IGBT 器件國(guó)產(chǎn)化率僅 10%
我國(guó)大功率 IGBT 在軌交領(lǐng)域的率先實(shí)現(xiàn)了自主研發(fā)生產(chǎn)和進(jìn)口替代, 新能源汽車領(lǐng)域相對(duì)薄弱,進(jìn)口替代進(jìn)行時(shí)。 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 主要運(yùn)用于電力驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、車載空調(diào)系統(tǒng)和充電樁。
①IGBT 主要用于電機(jī)控制器中,在電機(jī)控制器的成本占比約為 30%, IGBT 將動(dòng)力電池的直流電逆變成交流電提供給驅(qū)動(dòng)電機(jī)。
②充電樁中, IGBT 主要運(yùn)用于直流快充電樁,直流電樁通過三相電網(wǎng)輸入交流電,經(jīng)過三相橋式不可控整流電路整流變成直流電,濾波后提供給高頻 DC-DC 功率變換器, 進(jìn)而輸出需要的直流,為電動(dòng)汽車動(dòng)力蓄電池充電。
③車載空調(diào)系統(tǒng)中也會(huì)用到 IGBT,實(shí)現(xiàn)小功率的 DC/AC 逆變,從而驅(qū)動(dòng)空調(diào)系統(tǒng)運(yùn)行。
IGBT 在電動(dòng)汽車領(lǐng)域的典型應(yīng)用
根據(jù)行業(yè)研究數(shù)據(jù),新能源汽車所用的 IGBT 一般約占電動(dòng)汽車總成本的 10%。截至 2016 年年底,我國(guó)新能源汽車產(chǎn)量達(dá)到 51.7 萬輛; 2016 年 11 月國(guó)務(wù)院印發(fā)《“十三五”國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃的通知》:到 2020 年, 新能源汽車實(shí)現(xiàn)當(dāng)年產(chǎn)銷 200 萬輛以上,累計(jì)產(chǎn)銷超過 500 萬輛。根據(jù)我們的測(cè)算, 2017-2020 年我國(guó)新能源汽車年均增速約為 40%, 2017-2020 年新增新能源汽車產(chǎn)量約為 516 萬輛,按照平均每輛車 10 萬生產(chǎn)成本, IGBT 占比 10%計(jì)算, 2017-2020 年,新能源汽車所帶動(dòng)的 IGBT 市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 516 億元。
我國(guó)新能源汽車產(chǎn)品預(yù)計(jì)每年 40%增速
IGBT 主要運(yùn)用于直流充電樁。 2015 年 11 月,發(fā)改委、能源局、工信部、住建部四部委聯(lián)合印發(fā)《電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展指南(2015-2020 年)》通知,明確到 2020 年,新增集中式充換電站超過 1.2 萬座,分散式充電樁超過 480 萬個(gè),以滿足全國(guó) 500 萬輛電動(dòng)汽車充電需求。
目前我國(guó)充電樁市場(chǎng)存量約為 20 萬座,十三五期間仍有近 500 萬充電樁的建設(shè)需求,假設(shè)其中直流充電樁100 萬座,單位成本 10 萬, IGBT 占總成本比例為 20%,則 2017-2020 年,充電樁所帶動(dòng)的 IGBT 市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 200 億元。
綜上,整個(gè)新能源汽車領(lǐng)域(汽車+充電樁)的快速布局和發(fā)展,將有力拉動(dòng) IGBT 市場(chǎng)需求,十三五剩余期間(2017-2020), IGBT 在新能源汽車產(chǎn)業(yè)的市場(chǎng)規(guī)模將超過 700 億元。
IGBT 方面全球 IGBT 市場(chǎng)中最主要的供應(yīng)廠商包括英飛凌(Infineon)、三菱(Mitsubishi)、富士電機(jī)(FujiElectric)、東芝(Toshiba)、 ABB、仙童(Fairchild)。其中,西門康、仙童 (Fairchild)等企業(yè)在消費(fèi)級(jí) IGBT 領(lǐng)域處于優(yōu)勢(shì)地位; ABB、英飛凌、三菱電機(jī)在中等電壓的工業(yè)級(jí) IGBT 領(lǐng)域占據(jù)優(yōu)勢(shì); 在 3300V 以上高電壓等級(jí)的領(lǐng)域, 英飛凌、 ABB、三菱三家公司占據(jù)壟斷地位, 代表著國(guó)際 IGBT 技術(shù)的最高水平。
根據(jù)英飛凌年報(bào), 2015 年英飛凌以 27.6%的市占率穩(wěn)坐全球 IGBT 市場(chǎng)頭把交椅,其次為三菱電機(jī)和 Fuji,分別 20.6%和 12.5%的市場(chǎng)份額;全球 CR5 達(dá)到 73.2%,集中度較高。
2015 年全球功率半導(dǎo)體器件 IGBT 市場(chǎng)份額占比
國(guó)內(nèi) IGBT 產(chǎn)業(yè)起步較晚,產(chǎn)業(yè)鏈中主要有 26 家企業(yè),其中 IDM 模式企業(yè)有 7 家,封裝模塊企業(yè) 6 家,芯片設(shè)計(jì) 10 家,芯片制造 5 家。
國(guó)內(nèi) IGBT 產(chǎn)業(yè)鏈主要公司及主要產(chǎn)品
國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體進(jìn)口替代進(jìn)行時(shí)
捷捷微電的主要產(chǎn)品是晶閘管、半導(dǎo)體防護(hù)器件。 從產(chǎn)品構(gòu)造劃分,可以分為功率半導(dǎo)體芯片和封裝器件。封裝器件是芯片經(jīng)過后道工序封裝后制成,因此芯片是決定功率半導(dǎo)體分立器件性能的核心。 晶閘管主要用于電力變換與控制,通過微小的信號(hào)功率對(duì)大功率的電力進(jìn)行控制,具有體積小、重量輕、耐壓高、容量大、效率高、控制靈敏、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。晶閘管除了用于整流,還可以作為無觸點(diǎn)開關(guān)實(shí)現(xiàn)電力的逆變和變頻等變換。半導(dǎo)體防護(hù)器件主要有半導(dǎo)體放電管(TSS)、瞬態(tài)抑制二極管(TVS)、靜電防護(hù)元件(ESD)、高壓觸發(fā)二極管(SIDAC)等,可用于汽車電子、手機(jī)、戶外安防、電腦主機(jī)等各類需要防浪涌沖擊、防靜電的領(lǐng)域,用于保護(hù)電子電路。
現(xiàn)階段,相比全控型的功率半導(dǎo)體分立器件如 MOSFET 和 IGBT,晶閘管是我國(guó)半導(dǎo)體分立器件中技術(shù)比較成熟的細(xì)分產(chǎn)品。此外在普通晶閘管的基礎(chǔ)上,已經(jīng)派生出了單向晶閘管、雙向晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管、高頻晶閘管等新型晶閘管,在性能上彌補(bǔ)了普通晶閘管的不足。在功率半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng),晶閘管的價(jià)格明顯低于 MOSFET 和 IGBT。而且在所有功率半導(dǎo)體分立器件中,晶閘管耐壓容量最高(可達(dá) 12KV 以上)、電流容量最大(可達(dá) 6000A 以上),因此在高壓直流輸電、靜止無功補(bǔ)償、大功率直流電源等領(lǐng)域占有十分重要的地位。
芯片經(jīng)過封裝后形成功率半導(dǎo)體分立器件
國(guó)內(nèi)大多數(shù)半導(dǎo)體分立器件制造商不具備芯片設(shè)計(jì)和制造的能力, 僅從事半導(dǎo)體分立器件的封裝。而捷捷微電已經(jīng)形成以芯片研發(fā)和制造為核心,芯片封裝為配套的完整生態(tài)鏈,已經(jīng)研發(fā)并生產(chǎn) 200 多種型號(hào)和規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品。國(guó)內(nèi)外知名客戶如西班牙法格電子公司、浙江德力西電器股份有限公司、無錫羅姆半導(dǎo)體科技有限公司等都在逐步增加對(duì)公司產(chǎn)品的采購(gòu)數(shù)量。 近幾年,公司收入保持較快增長(zhǎng), 營(yíng)業(yè)收入從 2011 年的 1.7 億元增長(zhǎng)到 2016 年的 3.32 億元,復(fù)合增速為 14.25%。 2017 年前三季度營(yíng)業(yè)收入同比增長(zhǎng) 32%,歸母凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng) 27%。公司收入的增長(zhǎng)主要來源于產(chǎn)品銷量的增加。
揚(yáng)杰科技: 積極布局 SiC 寬禁帶功率半導(dǎo)體器件
公司產(chǎn)品比較齊全,涵蓋了整流橋、二極管、 MOSFET 模塊等產(chǎn)品,采用 IDM(設(shè)計(jì)+制造+封測(cè))經(jīng)營(yíng)模式。集成電路領(lǐng)域的兩個(gè)重要基礎(chǔ)是工藝能力和設(shè)計(jì)能力。因?yàn)閿?shù)字邏輯芯片的生命周期短,迭代較快,采用一般采用 fabless 模式,適應(yīng)行業(yè)的快速發(fā)展。但是分立器件的壁壘是制造工藝,而工藝的迭代速度要比電路設(shè)計(jì)的迭代速度慢,因此分立器件有較長(zhǎng)的生命周期,采用 IDM 模式能提高自己的技術(shù)壁壘。 公司的光伏二極管、貼片式整流橋及車用大功率二極管芯片能產(chǎn)品的市場(chǎng)占有率居于行業(yè)領(lǐng)先地位。
公司沿著建設(shè)硅基 4 寸、 6 寸、 8 寸晶圓工廠,以及分別對(duì)應(yīng)的中高端二極管、 MOSFET、 IGBT 封裝工廠的道路不斷提升工藝水平。同時(shí)進(jìn)行碳化硅基同類晶圓和封裝產(chǎn)線的建設(shè), 把握行業(yè)趨勢(shì),積極布局寬禁帶半導(dǎo)體。目前公司在 4 寸晶圓板塊持續(xù)擴(kuò)大 GPP 工藝芯片和汽車電子芯片產(chǎn)能。6 寸晶圓板塊加大研發(fā),實(shí)現(xiàn) Trench工藝芯片、中高端 MOSFET 芯片大規(guī)模量產(chǎn)。 8 寸晶圓板塊還處于規(guī)劃中。外延并購(gòu)方面,收購(gòu) MCC(美國(guó))、美微科(臺(tái)灣)和美微科(深圳)。 公司營(yíng)收保持快速發(fā)展,營(yíng)業(yè)收入從 2011 年的 4.50 億元增長(zhǎng)到 2016 年的11.90 億元,復(fù)合增速達(dá) 21.49%。
士蘭微: 國(guó)家大基金入股, 8 寸線如期試產(chǎn)
公司主要產(chǎn)品包括集成電路、半導(dǎo)體分立器件、 LED 產(chǎn)品等三大類,采用 IDM 模式。公司芯片產(chǎn)能達(dá) 20萬片/月,根據(jù) IC insight 在 2016 年 12 月發(fā)布的數(shù)據(jù),士蘭微的產(chǎn)品在全球中等尺寸(芯片尺寸小于等于 150mm)的芯片生產(chǎn)企業(yè)中位居第五位。 2016 年公司的 8 英寸芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目獲得了國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金 6 億元投資, 2017 年上半年已經(jīng)進(jìn)入試生產(chǎn)階段,下半年將完成高壓集成電路、超結(jié) MOSFET、 IGBT 等工藝平臺(tái)的導(dǎo)入和量產(chǎn)爬坡。 公司營(yíng)業(yè)收入穩(wěn)步增長(zhǎng),從 2011 年的 15.46 億元增長(zhǎng)到 2016 年的 23.75 億元,復(fù)合增速為8.97%。 但是歸母凈利潤(rùn)波動(dòng)比較大,主要是因?yàn)殇N售凈利率比較低,僅有 5%左右,因此受成本和研發(fā)費(fèi)用波動(dòng)的影響比較大。
華微電子: 第六代 IGBT 產(chǎn)品研發(fā)成功
公司采用 IDM 模式, 擁有 4 英寸、 5 英寸與 6 英寸等多條功率半導(dǎo)體分立器件及 IC 芯片生產(chǎn)線。公司芯片加工能力超過 400 萬片/年,封裝資源為 60 億只/年。公司產(chǎn)品有 IGBT、 VDMOS、 FRED、 SBD、 BJT、 IPM等,主要應(yīng)用于汽車電子、電力電子、光伏逆變、工業(yè)控制與 LED 照明等領(lǐng)域。 目前公司第六代 IGBT 產(chǎn)品已經(jīng)研發(fā)成功,并且在新能源汽車、充電樁、變頻家電等領(lǐng)域取得了良好的應(yīng)用反饋。 2012 年開始公司毛利率和凈利率大幅下降,毛利率僅有 20%左右,下降了近 10 個(gè)百分點(diǎn),凈利率僅有 3%左右。但是 2017 年開始毛利率和凈利率出現(xiàn)了回升。而營(yíng)業(yè)收入和歸母凈利潤(rùn)也在振蕩上升。預(yù)計(jì)隨著第六代 IGBT 的出貨,公司的業(yè)績(jī)將有望改善。
推薦閱讀:
特別推薦
- 兆易創(chuàng)新GD32F30x STL軟件測(cè)試庫獲得德國(guó)萊茵TüV IEC 61508功能安全認(rèn)證
- 芯科科技第三代無線開發(fā)平臺(tái)引領(lǐng)物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展
- MSO 4B 示波器為工程師帶來更多臺(tái)式功率分析工具
- 艾為電子推出新一代高線性度GNSS低噪聲放大器——AW15745DNR
- 瑞薩發(fā)布四通道主站IC和傳感器信號(hào)調(diào)節(jié)器, 以推動(dòng)不斷增長(zhǎng)的IO-Link市場(chǎng)
- e絡(luò)盟現(xiàn)貨供應(yīng) Abracon 新推出的 AOTA 系列微型鑄型電感器
- 加賀富儀艾電子推出支持Wi-Fi 6和藍(lán)牙的無線局域網(wǎng)/藍(lán)牙組合模塊
技術(shù)文章更多>>
- 【“源”察秋毫系列】 Keithley在碳納米管森林涂層纖維復(fù)合材料的應(yīng)用
- 數(shù)字驅(qū)動(dòng)工業(yè),智能賦能制造 AMTS & AHTE SOUTH CHINA 2024同期會(huì)議全公開!
- 團(tuán)體觀展招募!104CEF開啟組團(tuán)觀眾通道,解鎖更多禮遇
- 觸摸式OLED顯示屏有望重新定義汽車用戶界面
- 用Python自動(dòng)化雙脈沖測(cè)試
技術(shù)白皮書下載更多>>
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門搜索
電阻觸控屏
電阻器
電阻作用
調(diào)速開關(guān)
調(diào)諧器
鼎智
動(dòng)力電池
動(dòng)力控制
獨(dú)石電容
端子機(jī)
斷路器
斷路器型號(hào)
多層PCB
多諧振蕩器
扼流線圈
耳機(jī)
二極管
二極管符號(hào)
發(fā)光二極管
防靜電產(chǎn)品
防雷
防水連接器
仿真工具
放大器
分立器件
分頻器
風(fēng)力渦輪機(jī)
風(fēng)能
風(fēng)扇
風(fēng)速風(fēng)向儀