美高森美推出新一代大功率高性能650V NPT IGBT
發(fā)布時間:2013-08-21 責(zé)任編輯:admin
【導(dǎo)讀】近日,美高森美推出新一代大功率高性能650V NPT IGBT,快速高效的40A、70A和95A晶體管提供業(yè)界最佳的開關(guān)損耗性能。專為嚴(yán)苛環(huán)境工作而設(shè)計(jì),尤其適用于太陽能逆變器、焊接機(jī)和開關(guān)電源等工業(yè)產(chǎn)品。
美高森美宣布提供下一代650V非穿通型(non-punch through, NPT)絕緣柵雙極晶體管(insulated bipolar gate transistors, IGBT)產(chǎn)品,備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPT IGBT產(chǎn)品系列專為嚴(yán)苛環(huán)境工作而設(shè)計(jì),尤其適用于太陽能逆變器、焊接機(jī)和開關(guān)電源等工業(yè)產(chǎn)品。
美高森美新的功率器件通過提供業(yè)界最佳的損耗性能來改進(jìn)效率,與最接近競爭廠商的IGBT產(chǎn)品相比,效率提高了大約8%。新的NPT IGBT器件還能夠?qū)崿F(xiàn)高達(dá)150 kHz的極高開關(guān)速率,在與美高森美的碳化硅(silicon carbide, SiC)續(xù)流二極管(free-wheeling diode)配對使用,開關(guān)速率可獲得進(jìn)一步提高。針對最高150 KHz的較低速率應(yīng)用,這些領(lǐng)先的650V NPT IGBT通過替代成本更高的600V至650V MOSFET器件,可讓開發(fā)人員降低總體系統(tǒng)成本。
下一代650V產(chǎn)品系列中的所有器件都基于美高森美先進(jìn)的Power MOS 8™ 技術(shù),并且采用了最先進(jìn)的晶圓薄化(wafer thinning)工藝。與競爭解決方案相比,顯著降低總體開關(guān)損耗,且可讓器件在難以置信的快速開關(guān)頻率工作。利用公司大功率高可靠性市場的傳統(tǒng),美高森美期望擴(kuò)大IGBT市場份額,根據(jù)Yole Développement最新報(bào)告,這個市場正從現(xiàn)今的36億美元增長到2018年的60億美元。
這些NPT IGBT器件易于并聯(lián)(Vcesat正溫度系數(shù)),可以提升大電流模塊的可靠性。它們還具有額定短路耐受時間(short circuit withstand time rated, SCWT),可以在嚴(yán)苛的工業(yè)環(huán)境中可靠運(yùn)作。
新的IGBT器件備有各種封裝,包括TO-247、T-MAX和模塊。要了解更多信息或獲取樣品,請聯(lián)絡(luò)當(dāng)?shù)胤咒N商或美高森美銷售代表,或發(fā)送電子郵件到sales.support@microsemi.com。要了解更多的生產(chǎn)信息,請?jiān)L問公司網(wǎng)站www.microsemi.com。
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