新聞事件：

• 英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線

事件影響：

• CoolMOS™ 晶體管技術得到不斷優(yōu)化

近日，英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產的第35億顆CoolMOS™ 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應商。通過不斷改進芯片架構，使得CoolMOS™ 晶體管技術不斷優(yōu)化，這為取得成功奠定了堅實基礎。

在晶體管問世55年后，英飛凌于2002年憑借突破性的CoolMOS™ 晶體管技術，喜獲“德國工業(yè)創(chuàng)新獎”。這種高壓功率晶體管提升了一系列產品的能效，例如PC電源、服務器、太陽能逆變器、照明設備與通信電源設備等。而且這些節(jié)能晶體管如今還是各種消費類電子產品的核心器件，例如平板電視和游戲機等。當前所有電力工業(yè)設備和家用電器的都將高能效和節(jié)能做為主要性能指標。采用英飛凌的高能效半導體解決方案可使全球節(jié)省25%的能耗。例如，通過選用CoolMOS™產品，服務器電路板的功耗可減少約30W。全球服務器若按約6,000萬臺計算，共計可節(jié)電18億瓦，這相當于一座核電站的發(fā)電量。

英飛凌副總裁兼電源管理與供應分立式器件業(yè)務總經理Andreas Urschitz指出：“我們堅持不懈地提升CoolMOS™ 晶體管技術，確保能效達到最優(yōu)，使客戶具備強有力的競爭優(yōu)勢。我們?yōu)閷崿F(xiàn)資源利用可持續(xù)利用做出了巨大的貢獻，此舉造福子孫后代。臺灣高雄足球場的太陽能發(fā)電系統(tǒng)就是采用我們CoolMOS™ 技術的很成功例子。太陽能逆變器選用CoolMOS™芯片，可確保最高的能效。該太陽能發(fā)電站的年發(fā)電量可達110萬千瓦小時，并年均減少約660噸的碳排放。”

代表最新技術的650V CoolMOS™ CFD2

英飛凌目前正推出另一項重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS™ MOSFET。這種全新的650V CoolMOS™ CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。較軟的換向性能帶來更出色的抗電磁干擾特性，從而使該器件競爭力首屈一指。CoolMOS™ CFD 2 650V產品具備快速開關超結結構MOSFET的所有優(yōu)點，例如更高的輕載效率、更低的柵極電荷、方便的使用和出色的可靠性。英飛凌預計這種晶體管的最大潛在市場主要集中在太陽能逆變器、電腦服務器、LED照明和通信設備等領域。

英飛凌的CoolMOS™ 技術

革命性的CoolMOS™ 功率晶體管系列在能效方面樹立了行業(yè)新標桿。作為高壓MOSFET技術的領導者，CoolMOS™ 可大幅降低導通和開關損耗，確保高端電源轉換系統(tǒng)實現(xiàn)高功率密度和高能效。針對應用專門優(yōu)化的CoolMOS™器件適用于消費類產品、可再生能源、通信電源、適配器和其他產品。憑借其出類拔萃的性價比，CoolMOS™ 成為滿足目前不斷攀升的能源需求的理想之選。尤其是最新的，代表最高技術含量的高壓功率MOSFET使交流/直流電源系統(tǒng)更高效、更緊湊、更輕更涼。這種高壓MOSFET之所以取得這樣的成功，得益于其每種封裝上具備最低的通態(tài)電阻、最快的開關速度和最低的柵極驅動需求。