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CSD86350Q5D 功率模塊實(shí)現(xiàn)最高的效率、頻率以及功率密度

發(fā)布時(shí)間:2010-06-12

產(chǎn)品特性:

  • 5 毫米 x 6 毫米 SON 外形
  • 無需增加功率損耗便可將頻率提高 2 倍;
  • 底部采用裸露接地焊盤的 SON 封裝可簡化布局。

應(yīng)用范圍:

  • 服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)與筆記本電腦、基站、交換機(jī)、路由器以及高電流負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器


德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實(shí)現(xiàn)超過 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋,其占位面積僅為同類競(jìng)爭功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過高級(jí)封裝將 2 個(gè)非對(duì)稱 NexFET 功率 MOSFET 進(jìn)行完美整合,可為服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)與筆記本電腦、基站、交換機(jī)、路由器以及高電流負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器等低電壓同步降壓半橋應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高性能。

NexFET 功率模塊除提高效率與功率密度外,還能夠以高達(dá) 1.5 MHz 的開關(guān)頻率生成高達(dá) 40 A 的電流,可顯著降低解決方案尺寸與成本。優(yōu)化的引腳布局與接地引線框架可顯著縮短開發(fā)時(shí)間,改善整體電路性能。此外,NexFET 功率模塊還能夠以低成本方式實(shí)現(xiàn)與 GaN 等其他半導(dǎo)體技術(shù)相當(dāng)?shù)男阅堋?/p>

CSD86350Q5D 功率模塊的主要特性與優(yōu)勢(shì):
    -- 5 毫米 x 6 毫米 SON 外形僅為兩個(gè)采用 5 毫米 x 6 毫米 QFN 封裝的分立式
       MOSFET 器件的 50%;
    -- 可在 25 A 的工作電流下實(shí)現(xiàn)超過 90% 的電源效率,與同類競(jìng)爭器件相比,效
       率高 2%,功率損耗低 20 %;
    -- 與同類解決方案相比,無需增加功率損耗便可將頻率提高 2 倍;
    -- 底部采用裸露接地焊盤的 SON 封裝可簡化布局。
 
供貨與價(jià)格情況
采用 5 毫米 x 6 毫米 SON 封裝的 NexFET 功率模塊器件現(xiàn)已開始批量供貨,可通過 TI 及其授權(quán)分銷商進(jìn)行訂購。此外,樣片與評(píng)估板也已同步開始提供。
 

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