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科士達(dá)太陽能光伏逆變器新品亮相廣交會
近日，第106屆廣交會一期在廣州琶洲國際會展中心成功舉行，深圳科士達(dá)科技股份有限公司攜全線UPS不間斷電源、一體化柜式機(jī)房及太陽能光伏逆變器新產(chǎn)品參加本屆展會。在本屆展會人氣整體回暖，海外客商同比增加的背景下，科士達(dá)憑借全系列創(chuàng)新產(chǎn)品的顯著競爭力，在為期5天的展期中喜攬遠(yuǎn)超預(yù)期的訂單...
2009-10-27
科士達(dá) 太陽能 光伏逆變器
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降壓轉(zhuǎn)換器電流取樣電阻三種位置的選擇
本文介紹了電流模式降壓轉(zhuǎn)換器的電流取樣電阻放置的三種位置，即輸入端、輸出端及續(xù)流管，同時(shí)詳細(xì)地說明了這三種位置各自的優(yōu)點(diǎn)及缺點(diǎn)，還闡述了由此而產(chǎn)生的峰值電流模式和谷點(diǎn)電流模式的工作原理，以及它們各自的工作特性。本文也給出了使用高端主開關(guān)管導(dǎo)通電阻、低端同步開關(guān)管導(dǎo)通電阻，以及...
2009-10-26
降壓轉(zhuǎn)換器 峰值電流模式 谷點(diǎn)電流模式
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基于Buck變換器的LED驅(qū)動器反饋環(huán)路設(shè)計(jì)及測試
本文討論了基于Buck變換器的LED驅(qū)動器與常規(guī)的Buck變換器的設(shè)計(jì)差異，介紹了這種LED驅(qū)動器高端電流取樣和低端電流取樣各自的優(yōu)缺點(diǎn)，然后闡述了AOZ0181的工作特性，同時(shí)介紹了AOZ0181反饋環(huán)路的設(shè)計(jì)過程。最后，分析了不能直接測量Buck型LED驅(qū)動器增益裕量和相位裕量的原因，并給出了通過增加一個(gè)電...
2009-10-26
Buck變換器 LED 增益裕量 相位裕量 電壓跟隨器
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使用自鉗位MOSFET設(shè)計(jì)電動工具控制器
本文介紹了電動工具控制器的工作原理，詳細(xì)的分析了電動工具中MOSFET的功率損耗以及線路引線電感對MOSFET開關(guān)波形的影響，同時(shí)，介紹了自鉗位MOSFET的工作特性以及在設(shè)計(jì)電動工具驅(qū)動電路時(shí)應(yīng)注意的問題，并給出了使用自鉗位MOSFET設(shè)計(jì)的電動工具控制器的工作波形和測試結(jié)果。
2009-10-26
電動工具 自鉗位MOSFET 驅(qū)動
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理解功率MOSFET的開關(guān)損耗
本文先分別介紹了功率MOSFET的Ciss，Coss，Crss及相對應(yīng)的Qg，Qds和Qgs在開關(guān)過程中對開關(guān)損耗的影響?；谠诶硐霠顟B(tài)下，用工程簡化方式計(jì)算出MOSFET在開關(guān)過程中不同階段的開關(guān)損耗，并分析出Crss及相對應(yīng)的Qgd對于MOSFET管的開關(guān)損耗起主導(dǎo)作用。然后，論述了在實(shí)際狀態(tài)下，Coss對開通和關(guān)斷過程...
2009-10-26
米勒電容 開關(guān)損耗 零電壓開關(guān)
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基于MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)優(yōu)化的驅(qū)動電路
功率MOSFET具有開關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn)，因此在開關(guān)電源，馬達(dá)控制等電子系統(tǒng)中的應(yīng)用越來越廣。通常在實(shí)際的設(shè)計(jì)過程中，電子工程師對其的驅(qū)動電路以及驅(qū)動電路的參數(shù)調(diào)整并不是十分關(guān)注，尤其是從來沒有基于MOSFET內(nèi)部的微觀結(jié)構(gòu)去考慮驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)，導(dǎo)致在實(shí)際的應(yīng)用中，MOSFET產(chǎn)生一定...
2009-10-26
MOSFET 驅(qū)動電路
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電動車無刷電機(jī)超靜音控制器設(shè)計(jì)----基于高速A/D實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)電流補(bǔ)償
本文根據(jù)直流永磁無刷電動機(jī)的轉(zhuǎn)矩特性，分析了在電機(jī)運(yùn)行中產(chǎn)生脈動轉(zhuǎn)矩的原因，并針對換相電流引起轉(zhuǎn)矩脈動進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)，在實(shí)際應(yīng)用中取得了較好的效果。
2009-10-26
直流永磁無刷電機(jī) 轉(zhuǎn)矩脈動 電流補(bǔ)償
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帶有內(nèi)置ESD保護(hù)的MOSFET
CMLDM7003是一種雙通道N溝道的增強(qiáng)模式MOSFET，帶有內(nèi)置的2kV ESD保護(hù)。它帶有兩個(gè)獨(dú)立的50V，280mA的MOSFET，在每個(gè)器件的源極和柵極之間帶有瞬變電壓抑制柵。該器件的導(dǎo)通電阻RDS(on)在50mA，1.8V時(shí)是3.0歐姆
2009-10-26
CMLDM7003 MOSFET ESD保護(hù)
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CTLSH1-40M563 ：Central Semiconductor推出低正向壓降整流器
Central Semiconductor推出功耗達(dá)500mW的低正向壓降整流器
2009-10-26
整流器 Central Semiconductor CTLSH1-40M563 TLM563
- 如何解決在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
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