雖然隔離至關重要，但它的設計也極其復雜?？刂乒β屎蛿祿盘柾ㄟ^隔離柵時，會產生電磁干擾（EMI）。這些輻射發(fā)射（RE）會對其他電子系統(tǒng)和網絡的性能產生負面影響。

 

對于帶隔離的電路設計，一個重要的步驟是跨隔離柵傳輸功率，并緩解產生的RE。雖然傳統(tǒng)方法可能行之有效，但往往需要權衡取舍，其中可能包括使用分立式電路和變壓器來傳輸功率。這種方法笨重耗時，會占用寶貴的PCB空間，無一不會增加成本。更經濟高效的解決方案是將變壓器和所需的電路集成到更小外形中，如芯片封裝。

 

雖然這樣可以節(jié)省電路板空間，降低設計的復雜性和成本，但也使得變壓器體積變小，具備的繞組更少，需要更高的開關頻率（高達200MHz）才能高效地將所需的功率傳輸到次級端。在更高頻率下，寄生共模（CM）電流可能通過變壓器的繞組以容性方式從初級端耦合至次級端。因隔離柵的性質所限，沒有物理路徑可以讓這些CM電流返回初級端。隔離柵形成一個偶極，將能量以CM電流的形式輻射，并讓其返回到初級端。這就引發(fā)了另一個重要考慮因素：合規(guī)性。

 

電磁兼容性（EMC）要求

 

產品上市前，必須符合EMC規(guī)定。將變壓器和所需的電路集成到更小的封裝中會產生EMI，因此需要采用復雜且成本高昂的RE抑制技術，以滿足電磁兼容性（EMC）法規(guī)的要求。

 

EMC是指電子系統(tǒng)在其目標環(huán)境中正常工作而不干擾其他系統(tǒng)的能力。全球不同地區(qū)都有EMC法規(guī)，用于確保所有產品在有其他產品存在的情況下都能正常工作。輻射發(fā)射量必須低于目標使用環(huán)境和應用場合所對應的規(guī)定水平。因此，EMC測試和認證已成為產品上市過程的一個重要組成部分。在歐盟銷售的產品需要具有CE標志，而在美國銷售的產品則需要獲得FCC分類認證。為取得這些認證，需要對系統(tǒng)執(zhí)行一套EMC測試。在工業(yè)、醫(yī)療、通信和消費環(huán)境中，輻射發(fā)射通常必須符合CISPR 11/EN55011、CISPR22/EN 55022或FCC Part15標準。

 

圖1：發(fā)射量增高的示例

 

CISRP 11/EN 55011

 

此標準適用于為工業(yè)、科學和醫(yī)療（ISM）目的而設計的產生射頻能量的設備。在標準范圍內，設備可能分為兩組。第2組包含有意生成并在局部使用射頻能量的所有ISM RF設備。第1組包含此標準范圍內不屬于第2組的所有設備。

 

CISRP 22/EN 55022

 

此標準適用于滿足下述條件的信息技術設備（ITE）：主要功能是將輸入、存儲、顯示、檢索、傳輸、處理、交換或控制數據和電信信息結合起來，可能配備一個或多個終端端口，通常用于傳輸信息。

 

在各個標準下，設備被進一步分類，每個類別需遵循一組單獨的排放限制：

 

● A類：用在工業(yè)應用和非住宅區(qū)的設備

● B類：用在住宅環(huán)境中的設備

 

由于B類限制覆蓋的是住宅（或輕工業(yè)）環(huán)境，而這種環(huán)境中的產品更有可能彼此非常接近（廣播和電視接收器的10米范圍內），因此更加嚴格（比A類低10dB之多），以免引起干擾問題。

 

圖2顯示了與CISPR11/EN55011和CISPR22/EN55022相關的A類和B類限制線。在這個頻率范圍內，符合CISPR22/EN55022B類標準意味著也符合CISPR11/EN55011B類標準。

 

圖2：輻射發(fā)射標準—限制線

 

在設計周期一開始就考慮EMC

 

據報道，50%的產品首次EMC測試都以失敗告終。這可能是因為缺乏相關知識，且未能在產品設計階段的早期應用EMC設計技術。如果在功能設計完成之前一直忽略EMC問題，通常會帶來耗費時間且代價高昂的挑戰(zhàn)。此外，隨著產品開發(fā)過程的不斷深入，能夠用來解決EMC問題的技術也越來越少，因為產品方面的更改必將導致計劃超時和成本增加。

 

想要最大限度地縮短設計時間和降低項目成本，在項目開始時就進行EMC設計是至關重要的。組件的選擇和放置也很重要。將符合行業(yè)標準的器件納入選擇和設計可以提高合規(guī)性。

 

EMC抑制技術：亟需更好的方法

 

與使用分立式變壓器的傳統(tǒng)方法相比，將變壓器和電路集成到芯片級封裝中可減少組件數量，進而大大節(jié)省PCB空間，但可能會引入更高的輻射發(fā)射。輻射發(fā)射抑制技術會使PCB的設計更加復雜，或需要額外組件，因此可能會抵消集成變壓器所節(jié)省的成本和空間。

 

例如，在PCB級別抑制輻射發(fā)射的一種常見方法是為CM電流形成一個從次級端至初級端的低阻抗路徑，從而降低RE水平。要實現這一點，可以在初級端和次級端之間使用旁路電容。該旁路電容可以是分立式電容，也可以是嵌入式夾層電容。

 

分立式電容是最簡單的解決方案，可能是有引線或表面安裝組件。它還具有適用于2層PCB的優(yōu)點，但分立式電容價格昂貴且體積龐大，會占用寶貴的PCB空間，特別是在可能堆疊了多個組件的隔離柵旁。

 

另一個不是很理想的解決方案是使用嵌入式旁路電容，當PCB中的兩個面重合時就會形成該電容（圖3）。此類電容具有一些非常有用的特性，原因在于平行板電容的電感極低，因此在更大的頻率范圍內都有效。它可以提高發(fā)射性能，但因為需要自定義層厚來獲得正確的電容，且PCB需要四層或更多層，所以設計復雜性和成本都會增高。此外，還必須通過隔離的方式，確保內部重疊層的間距滿足相關隔離標準所規(guī)定的最低距離標準。

 

圖3：中心電源和接地層之間形成的內部PCB旁路電容

 

旁路電容還允許交流泄漏及瞬變跨隔離柵從一個接地層耦合至另一個接地層。雖然旁路電容一般很小，但高壓高速瞬變可通過此電容跨隔離柵注入大量電流。如果應用需承受惡劣的電磁瞬變，如靜電放電、電快速瞬變和浪涌，也必須考慮到這一點。

 

無論是分立式還是嵌入式，使用旁路電容都不是理想的抑制技術。它雖然可以幫助減少輻射發(fā)射，卻要以增加組件、采用復雜的PCB布局和提高瞬態(tài)敏感性為代價。理想的抑制技術不需要采用旁路電容，因此可以降低成本和PCB設計的復雜性。

 

免去使用復雜抑制技術的必要

 

理想情況下，集成的隔離電源組件應該包含降低芯片輻射發(fā)射的措施，無需在外部額外增加復雜的措施，即可確保通過系統(tǒng)級輻射發(fā)射測試。這樣一來，只需將組件放置到2層板上，即可通過嚴格的輻射發(fā)射測試，而無需多次制作電路板。

 

低輻射發(fā)射隔離器

 

下一代isoPower®系列產品采用創(chuàng)新的設計技術，可以避免產生大量輻射發(fā)射，甚至在沒有旁路電容的2層板上也不例外。ADuM5020和ADuM5028在以大幅裕量滿足CISPR22/EN55022B類限制的同時，可以分別跨隔離柵提供500mW和330mW功率。

 

圖4：ADuM5020和ADuM5028

 

ADuM5020采用16引腳寬體SOIC封裝，而對于ADuM5028，可以選擇的最小封裝是8引腳SOIC。ADuM5020/ADuM5028提供3V和5V兩種電源選項，以及3kV rms額定隔離。

 

為了減少輻射發(fā)射，ADuM5020/ADuM5028具有出色的線圈對稱性和線圈驅動電路，有助于將通過隔離柵的CM電流傳輸最小化。擴頻技術也被用來降低某一特定頻率的噪聲濃度，并將輻射發(fā)射能量擴散到更廣泛的頻段。在次級端使用低價鐵氧體磁珠會進一步減少輻射發(fā)射。在RE合規(guī)測試期間，這些技術可以改善峰值和準峰值測量水平。

 

圖5：ADuM5020和鐵氧體特性曲線

 

圖5顯示了放置在靠近VISO和GNDISO引腳的次級端鐵氧體磁珠。這些鐵氧體在寬頻率范圍內具有高阻抗（100MHz時為1800Ω，1GHz時為2700Ω）。這些鐵氧體降低了偶極的有效輻射效率。如圖6所示，因為鐵氧體磁珠的阻抗，CM電流環(huán)減小，偶極的有效長度明顯縮短，使得偶極效率降低，輻射發(fā)射減少。

 

圖6：使用鐵氧體磁珠來減少有效偶極

 

ADuM5020/ADuM5028提供即用型直流-直流電源解決方案。這種解決方案的性價比高、復雜性低，占地面積小，且RE性能出色，如果在設計周期開始時就納入到產品設計中，將有助于滿足EMC法規(guī)的要求。

 

來自測試室的結果

 

ADuM5020/ADuM5028根據CISPR22/EN55022測試指南在10m半波暗室中進行測試。圖7所示為一個典型的10m測試室。按照標準規(guī)定，ADuM5020/ADuM5028評估PCB被放置在距離天線校準點10m遠的非導電工作臺上。確保DUT附近沒有其他導電表面，因為這會影響測試結果。圖8顯示了用于確定DUT的高發(fā)射頻率的峰值掃描。這些點定位后，就可以進行準峰值測量。在準峰值測量期間，工作臺會旋轉360°，天線高度從1m升高到4m。記錄最壞情況的準峰值測量結果，并與限制線要求進行比較。

 

圖7：10 m測試室的圖像和評估PCB

 

確保沒有任何外部設備、金屬平面或電纜會干擾DUT的輻射發(fā)射測試。為了測試ADuM5020/ADuM5028評估板，使用帶板載低壓差穩(wěn)壓器的電路來保持較小的電源電流環(huán)，并消除不必要的布線。

 

圖8：峰值圖—ADuM5020/ADuM5028

 

圖8顯示了在不同配置下捕獲的ADuM5020/ADuM5028的峰值圖。由于ADuM5020/ADuM5028中采用了擴頻技術，需要注意寬頻段范圍內的能量擴散情況。圖9顯示了最壞情況下的準峰值測量值與CISPR22/EN55022B類限制線相比的裕量。ADuM5020在輸出電源為5V（500mW），負載為100mA的情況下，以超過5dB的裕量通過了CISPR22/EN55022測試，大大增加了設計靈活性。這種裕量幅度很有益，而且推薦達到這種裕量，因為在不同的測試設施中，測試室的質量、校準和設備的精度可能存在差異，可能導致測量結果出現波動。如果最終產品需要在不同的測試室進行測試，且必須符合CISPR22/EN55022標準，那么這一點至關重要。

 

圖9：最壞情況下的準峰值測量值與CISPR22/EN55022B類限制線相比的裕量

 

下一代isor系列產品提供緊湊的即用型電源解決方案，無需為了滿足輻射發(fā)射限制而采用復雜的PCB級抑制技術。ADuM5020/ADuM5028提供適用于隔離設計的直流-直流即用型電源解決方案，滿足以下輻射發(fā)射和產品標準要求：

 

● X CISPR 22/EN 55022（B類）：信息技術設備

● CISPR11/EN55011（B類）：工業(yè)、科學和醫(yī)療設備

● X IEC 61000-6-4：通用標準—工業(yè)環(huán)境的輻射發(fā)射標準

● X IEC 61000-6-3：通用標準—住宅、商業(yè)和輕工業(yè)環(huán)境的輻射發(fā)射標準

● IEC 61131-2：可編程控制器—第2部分：設備要求和測試

● X IEC 621326：用于測量、控制及實驗室用途的電氣設備

● X EMC要求—第1部分：一般要求

● IEC 60601-1-2：醫(yī)療電氣設備第1-2部分：基本安全和基本性能的一般要求—附加標準：電磁干擾—要求和測試

● IEC 61800-3：變速電力驅動系統(tǒng)—第3部分：EMC要求和具體的測試方法

● IEC 63044-5-1：家用和建筑電子系統(tǒng)（HBES）及建筑自動化和控制系統(tǒng)（BACS）—第5-1部分：EMC要求、條件和測試設置

 

減少隔離設計中的復雜性和矛盾

 

設計隔離式電源可能是設計過程中最具挑戰(zhàn)性的一個方面。構建一個解決方案需要權衡各種設計需求，且需要遵守全球多個不同地區(qū)的法規(guī)要求。由此做出的犧牲往往帶來了尺寸、重量和性能方面的負面影響，或者降低了滿足EMC標準的能力。

 

為了順利滿足EMC標準，可以在設計階段的早期采用已經通過行業(yè)標準驗證的器件。EMC應該納入到設計過程中，而不是事后才考慮。采用諸如旁路電容之類的抑制技術會降低電子系統(tǒng)抗瞬變的能力，并增加成本和設計復雜性。

 

下一代isoPower系列產品提供輻射發(fā)射抑制技術，無需具備旁路電容，仍可滿足EN55022/CISPR22B類標準要求。ADuM5020/ADuM5028采用擴頻技術，可降低任意頻率下的功率水平。出色的設計、變壓器線圈對稱性和兩個低價小鐵氧體的使用有助于減少跨隔離柵流向次接地層的CM電流。ADM5020/ADuM5028滿足CISPR 22/EN 55022 B類要求，在2層PCB上具有大幅裕量，無需采用成本高昂的PCB級RE抑制技術，因此可降低成本。

 

 

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