本人做LED也有些年頭了，比較慶幸，剛畢業(yè)出來(lái)實(shí)習(xí)，第一家就是做LED的，然后從此就沒(méi)離開過(guò)這個(gè)行業(yè)，從LED成品到LED電源?，F(xiàn)在證明我那時(shí)并沒(méi)有選錯(cuò)，雖說(shuō)LED現(xiàn)在競(jìng)爭(zhēng)激烈，沒(méi)多少利潤(rùn)，但是做LED的工程很吃香，現(xiàn)在想和大家分享下這幾年的經(jīng)驗(yàn)，從電源研發(fā)到EMI整改認(rèn)證到做成品燈。說(shuō)是分享，大家可以發(fā)表不同的意見，畢竟比起做了十幾、二十年的工程來(lái)說(shuō)，只是班門弄斧。先說(shuō)下EMI整改吧，畢竟對(duì)剛接觸整改的年輕工程師來(lái)說(shuō)，最頭痛的就是輻射整改。

此圖顯示已經(jīng)明顯超標(biāo)了，接下來(lái)給大家慢慢介紹整改過(guò)程和整改方法。

上PCB，對(duì)于EMI來(lái)說(shuō)，走線就是靈魂。由于板子要內(nèi)置，有尺寸要求，并且還要有可控硅調(diào)光功能，由于節(jié)省了很多EMI元件，導(dǎo)致明顯超標(biāo)。

右邊的電源，由兩片板組合，8W調(diào)光。

第二頁(yè)：EMI整改方法分享

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網(wǎng)友總結(jié)的整改方法

1、應(yīng)對(duì)垂直30M-50M超標(biāo)的絕招之一：MOS管S極串入磁珠，可以有效減少30M位置。
MOS管DS加入吸收，能有效減少輻射。加入47PF/1KV電容（實(shí)際47PF-100PF都行，在能過(guò)輻射的條件下，盡量小，因?yàn)檫@個(gè)吸收電容有損耗，會(huì)使MOS管發(fā)熱嚴(yán)重，并降低效率，不太建議用100PF，想效果明顯的，最好用RC吸收）

經(jīng)過(guò)兩個(gè)步驟的處理之后，輻射圖如下：

有人問(wèn)到為什么磁珠加在S極，不是D極？磁珠串在D級(jí)有效減小50-80M輻射，對(duì)30M輻射效果不大，卡在灌膠輻射增加的同志們，我去測(cè)試的時(shí)候常常和遇到的工程聊這個(gè)話題，輻射余量越大當(dāng)然越好，工程們也安心，但對(duì)于我這款不用灌膠的電源來(lái)說(shuō)，3DB足以，因?yàn)橐鎸?duì)的不僅是EMI，還有成本，空間壓力，并不能加入太多EMI元件，會(huì)考慮到灌膠，余量不止6DB整改。

2.解決EMI和效率之間的平衡問(wèn)題關(guān)鍵絕招是：鋁殼子接地，對(duì)于大功率，在板子多個(gè)地方和地之間加入Y電容。
 
最終整改的輻射圖

輻射的關(guān)鍵在于，適當(dāng)?shù)念l率（50-60K),良好的走線。