圖1：TPS61161的典型應用　　

TPS61161升壓轉換器除了提供10顆LED的驅動能力外，在EMI問題上也有相應的設計考慮，其典型應用如圖1所示。在TPS61161開關設計上采取兩次開關過程，有效降低了EMI的輻射強度，從而避免驅動器對手機其他模塊的影響。如圖2黑色曲線所示，當TPS61161打開內部MOSFET開關管時，MOSFET的漏源電壓Vds在很短的時間內從高壓變成接近于零的低壓，即很大的電壓變化率dv/dt；并且在開關開啟的初期，由于MOSFET的特性，流過MOSFET開關管的電流變化率也很大，即di/dt?？紤]到dv/dt和di/dt對于EMI產生的作用，在MOSFET開啟初期，采用減慢開關電壓變化率dv/dt來減少EMI強度，如圖2紅色曲線所示。

圖2：當TPS61161打開內部MOSFET開關管時，MOSFET的漏源電壓VDS在很短的時間內從高壓變成接近于零的低壓　

傳統(tǒng)的開關技術和二次開關技術在實際EMI測試結果證明，TPS61161的二次開關技術減低了EMI輻射能量。在EMI測試試驗中，TPS61161通過電池電壓3.7V驅動10顆串聯(lián)LED。圖3a表示了EMI測試環(huán)境空間的白噪聲，圖3b表示了TPS61161采用傳統(tǒng)開關的EMI測試結果，圖3c表示了TPS61161采用現(xiàn)有二次開關技術的EMI測試結果。試驗結果表明，二次開關使得EMI輻射強度減少了10db。

圖3：(A)表示了EMI測試環(huán)境空間的自噪聲

(B)表示了TPS61161采用傳統(tǒng)開關的EMI測試結果

(C)表示了TPS61161采用現(xiàn)有二次開關技術的EMI測試結果　　

另外，TPS61161支持線性調光技術——通過調節(jié)LED的導通電流，改變LED的發(fā)光強度。這種調光方法有效地避免了由于LED調光所引起的EMI干擾。此類干擾經常發(fā)生在PWM調光方式。