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如何在設(shè)計(jì)中輕松搭載GaN器件？答案內(nèi)詳~~
如今，圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點(diǎn)，第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來電子產(chǎn)品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求，被認(rèn)為是突破傳統(tǒng)硅（Si）器件性能天花板的必由之路。
2024-10-27
GaN器件
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利用自動化技術(shù)賦能中國基礎(chǔ)設(shè)施現(xiàn)代化
許多中國基礎(chǔ)設(shè)施和運(yùn)營（I&O）領(lǐng)導(dǎo)者在實(shí)施基礎(chǔ)設(shè)施現(xiàn)代化項(xiàng)目時(shí)，希望利用自動化技術(shù)來簡化和加快IT基礎(chǔ)設(shè)施資源的配置、管理和擴(kuò)展。但是，中國企業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)往往各自為政，而技術(shù)專家又傾向于將自動化僅僅視為現(xiàn)有技術(shù)的延伸，導(dǎo)致自動化優(yōu)先任務(wù)之間的相互競爭，各團(tuán)隊(duì)間的協(xié)作受到限制，削弱...
2024-10-27
自動化技術(shù) 基礎(chǔ)設(shè)施 Gartner
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電源中的分壓器
在電源設(shè)計(jì)中，可以手動設(shè)置所需的輸出電壓。大多數(shù)集成電源電路以及開關(guān)和線性穩(wěn)壓器 IC 都是通過分壓器來實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)的。兩個(gè)電阻值的比率必須合適才能設(shè)置所需的輸出電壓。圖 1 顯示了一個(gè)分壓器。
2024-10-27
電源 分壓器
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了解交流電壓的產(chǎn)生
交流電 (AC) 不斷反轉(zhuǎn)方向，交替流向一個(gè)方向，然后流向另一個(gè)方向。交流電壓也可以類似地描述。通常，交流電壓和電流是正弦曲線，峰值、平均值和有效值之間存在確定的關(guān)系。
2024-10-26
交流電壓
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克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來電力電子應(yīng)用
隨著行業(yè)不斷探索解決方案，寬禁帶（WBG）材料，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），被視為解決之道。禁帶寬度描述了價(jià)帶頂部和導(dǎo)帶底部之間的能量差。硅的禁帶寬度相對較窄，為1.1電子伏特（eV），而SiC和GaN的禁帶寬度分別為3.3eV和3.4eV。
2024-10-26
碳化硅 電力電子應(yīng)用
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【泰克先進(jìn)半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室】 遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件
氮化鎵功率器件因其高速開關(guān)能力、高功率密度和成本效益而成為市場的熱門選擇。然而，由于工作電壓和長期可靠性的制約，這些器件的潛力并未得到充分發(fā)揮，主要在消費(fèi)電子領(lǐng)域內(nèi)競爭價(jià)格。近期，隨著高壓氮化鎵器件的陸續(xù)推出，我們看到了它們在更廣泛市場應(yīng)用中的潛力。
2024-10-20
泰克 遠(yuǎn)山半導(dǎo)體 氮化鎵 功率器件
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ADALM2000實(shí)驗(yàn)：變壓器
變壓器只適用于交流電(AC)。例如，變壓器會通過將電壓降低到更合適的電平來降低120V壁式功率，對于大多數(shù)消費(fèi)電子產(chǎn)品，降至僅幾伏；對于其他低功耗應(yīng)用，通常降至12V。變壓器還可以升高電壓以實(shí)現(xiàn)長距離傳輸，并降低電壓以實(shí)現(xiàn)安全配電。如果沒有變壓器，配電網(wǎng)絡(luò)中已經(jīng)很嚴(yán)重的電力浪費(fèi)將大到驚人...
2024-10-19
變壓器 電平
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如何減少逆變器中的電磁干擾
逆變器是用于將輸入的直流電轉(zhuǎn)換為輸出交流電的一種電路。逆變器可用于電池供電系統(tǒng)、可再生能源系統(tǒng)、不間斷電源、電機(jī)驅(qū)動等。逆變器是一種電力電子轉(zhuǎn)換器，能夠?qū)⑤斎氲闹绷麟娹D(zhuǎn)換為具有所需振幅和頻率的交流電。
2024-10-18
逆變器 電磁干擾
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如何設(shè)計(jì) DCM 反激式轉(zhuǎn)換器
本期，我們將聚焦于DCM 反激式轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)探討為何在低功耗、低電流應(yīng)用中DCM 反激式轉(zhuǎn)換器是一種結(jié)構(gòu)更緊湊、成本更低的選擇并講解完成此類設(shè)計(jì)的分步方法。
2024-10-13
DCM 反激式轉(zhuǎn)換器
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