【導(dǎo)讀】本身他們的作用都很小,通俗一點講就是中性的,但是當(dāng)這2種材料結(jié)合在一起的時候,就會變得神奇,他們的行為方式會非常的不同,就會產(chǎn)生“PN 結(jié)”的東西。
N型材料與P型材料的結(jié)合形成二極管,會形成PN結(jié),那么是怎么形成的呢?
硅摻雜少量銻時,就是 N 型半導(dǎo)體材料,當(dāng)硅材料摻雜少量硼時,會形成 P 型半導(dǎo)體材料。
本身他們的作用都很小,通俗一點講就是中性的,但是當(dāng)這2種材料結(jié)合在一起的時候,就會變得神奇,他們的行為方式會非常的不同,就會產(chǎn)生“PN 結(jié)”的東西。
當(dāng)他們結(jié)合在一起的時候,就會產(chǎn)生很大密度階梯,就是施主雜質(zhì)原子的一些自由電子開始遷移穿過這個新形成的結(jié)以填充產(chǎn)生負(fù)離子的 P 型材料中的空穴。
這個時候電子已經(jīng)從N 型硅穿過 PN 結(jié)移動到 P 型硅,在負(fù)側(cè)留下有帶正電的供體離子,在受體雜質(zhì)的空穴遷移穿過結(jié)在相反方向進入有大量自由電子的區(qū)域。
當(dāng)沿結(jié)的 P 型電荷密度被帶著負(fù)電的 NA 填充,沿結(jié)的 N 型電荷密度變?yōu)檎姾?,這個過程來回繼續(xù)的時候,當(dāng)穿過結(jié)的電子數(shù)量更多的電荷排斥并阻止任何更多的電荷流子穿過結(jié),終,當(dāng)施主原子排斥空穴而受體原子排斥電子時,將出現(xiàn)平衡狀態(tài)(電中性情況),在結(jié)區(qū)域周圍產(chǎn)生“勢壘”區(qū)域。
由于沒有自由載流子可以停留在存在勢壘的位置,因此與遠(yuǎn)離結(jié)的 N 型和 P 型材料相比,結(jié)兩側(cè)的區(qū)域現(xiàn)在完全耗盡了任何更多的自由載流子。PN 結(jié)周圍的這個區(qū)域現(xiàn)在稱為耗盡層。
總之,PN 結(jié)每一側(cè)的總電荷必須相等且方向相反,才能保持中性電荷狀態(tài),就是說2者的關(guān)系為 Dp*N A = Dn*N D。
現(xiàn)在來說說耗盡層的距離
由于N型材料失去了電子,P型失去了空穴,N型材料相對于P型變成了正極。然后,結(jié)兩側(cè)存在的雜質(zhì)離子會導(dǎo)致在該區(qū)域建立電場,N 側(cè)相對于 P 側(cè)處于正電壓。
現(xiàn)在的問題是,自由電荷需要一些額外的能量來克服現(xiàn)在存在的障礙,使其能夠穿過耗盡區(qū)結(jié)。
擴散過程產(chǎn)生的電場在結(jié)點上產(chǎn)生了一個“內(nèi)置電位差”,其開路(零偏置)電位為:
PN結(jié)電位
其中:E o是零偏置結(jié)電壓,V T是室溫下 26mV 的熱電壓,N D和N A是雜質(zhì)濃度,n i是本征濃度。
在通常的情況下,硅耗盡層兩端的電壓約為 0.6 – 0.7 伏,鍺約為 0.3 – 0.35 伏。即使設(shè)備沒有連接到任何外部電源,這種勢壘也將始終存在。
那么在PN結(jié)的理論中,可以通過將不同摻雜的半導(dǎo)體材料連接或擴散在一起來制作 PN 結(jié),以生產(chǎn)稱為二極管的電子設(shè)備,該二極管可用作整流器的基本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),所有類型晶體管、LED、太陽能電池和更多此類固態(tài)設(shè)備。
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