【導(dǎo)讀】負(fù)載開關(guān)Q1導(dǎo)通瞬間會(huì)暫時(shí)流過比穩(wěn)態(tài)電流大得多的電流。輸出側(cè)的負(fù)載容量CL的電荷接近零時(shí)，向輸出VO施加電壓的瞬間會(huì)流過大充電電流。
關(guān)于負(fù)載開關(guān)ON時(shí)的浪涌電流
負(fù)載開關(guān)Q1導(dǎo)通瞬間會(huì)暫時(shí)流過比穩(wěn)態(tài)電流大得多的電流。輸出側(cè)的負(fù)載容量CL的電荷接近零時(shí)，向輸出VO施加電壓的瞬間會(huì)流過大充電電流。
這種流過大電流的現(xiàn)象稱作浪涌電流（Flash Current）。
浪涌電流的峰值大體可以通過輸入電壓VI、MOSFET Q1的RDS（on）和負(fù)載側(cè)負(fù)載容量CL的ESR確定，輸入電壓VIN變大時(shí)，電流也相應(yīng)變大。
浪涌電流顯著變大時(shí)，有可能會(huì)引起誤動(dòng)作和系統(tǒng)問題。
而且，在超過最大額定電流時(shí)，有導(dǎo)致破壞的危險(xiǎn)。通過與MOSFET Q1的柵極、源極間電阻R1并聯(lián)追加電容器C2， 并緩慢降低Q1的柵極電壓，可以緩慢地使RDS（on）變小，從而可以抑制浪涌電流。
■負(fù)載開關(guān)等效電路圖
關(guān)于Nch MOSFET負(fù)載開關(guān)ON時(shí)的浪涌電流應(yīng)對(duì)措施
■Nch MOSFET負(fù)載開關(guān)等效電路圖
Nch MOSFET 負(fù)載開關(guān)：RSQ020N03
VIN=5V， IO=1A，Q1_1G=1V→12V
Q2 OFF時(shí)，負(fù)載SWQ1 ON。（Q1的柵極電壓設(shè)定在VO（VGSQ1）之上。）
Q2 ON時(shí)，負(fù)載SWQ1 OFF。
Q1 ON時(shí)，由于會(huì)流過浪涌電流，所以作為應(yīng)對(duì)措施追加C2。
關(guān)于負(fù)載開關(guān)OFF時(shí)的逆電流
即使在負(fù)載開關(guān)Q1從ON到OFF時(shí)，由于存在輸出側(cè)負(fù)載容量CL，所以輸出VO引腳的電壓會(huì)殘留一定時(shí)間。
輸入VI側(cè)比輸出VO側(cè)電壓低時(shí)，由于MOSFET Q1的漏極、源極間存在寄生二極管，所以有時(shí)寄生二極管導(dǎo)通會(huì)發(fā)生從輸出VO側(cè)到輸入VIN側(cè)的逆電流。
要注意，不要超過MOSFET Q1的額定電流值。
關(guān)于輸入旁路電容器CIN的容量值，請(qǐng)?jiān)诔浞痔接懾?fù)載側(cè)條件、上升時(shí)間后再?zèng)Q定。
■負(fù)載開關(guān)等效電路圖
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