在 10A 的額定電流下，硅續(xù)流二極管展現(xiàn)出最低的正向壓降，SiC 肖特基二極管的 Vf 更高，而快速硅二極管展現(xiàn)出最高的正向壓降。正向電壓與溫度之間的關(guān)聯(lián)差別很大：快速硅二極管具有負(fù)的溫度系數(shù)，150°C 下的 Vf 比 25°C 下的 Vf 低。對(duì)于 12A 以上的電流，CAL 的溫度系數(shù)為正，SiC 肖特基二極管即使電流為 4A 時(shí)，溫度系數(shù)也為正。由于二極管通常并聯(lián)以實(shí)現(xiàn)大功率器件，需要具有正溫度系數(shù)以避免并聯(lián)二極管中的電流不平衡和運(yùn)行溫度不均勻。這里，SiC 肖特基二極管顯示出最佳的性能。但與常規(guī)硅二極管相比，SiC 肖特基二極管的靜態(tài)損耗較高。由于二極管是基于 10A 額定電流進(jìn)行比較的，考慮不同供應(yīng)商的器件之間有時(shí)不同的額定電流定義是很重要的。為了更加深入地了解器件性能，畫(huà)出電流密度（正向電流除以芯片面積）與正向壓降之間的關(guān)系是有用的，它考慮到了芯片的面積。圖 1.b 顯示了等效電流密度，傳統(tǒng)硅二極管和 SiC 肖特基二極管具有非常相似的正向壓降，而快速硅二極管的 Vf 仍然是最高的。換句話說(shuō)，當(dāng)使用相同的芯片面積時(shí)，硅二極管和 SiC 二極管具有可比的靜態(tài)損耗。通常 SiC 芯片尺寸更小，由于額度電流的確考慮到了靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗，額定電流，所以帶來(lái)較小的總損耗，因此縮小了芯片的尺寸。

 

看一下 SiC 肖特基二極管的動(dòng)態(tài)損耗，可以清楚地看到 SiC 器件的主要優(yōu)點(diǎn)，見(jiàn)表 1。

 

 

表 1：傳統(tǒng)硅續(xù)流二極管（CAL HD）、SiC 肖特基二極管和快速硅二極管的動(dòng)態(tài)參數(shù)。所有二極管額定電壓 1200V，額度電流 10A。

 

 

于常規(guī)硅二極管相比，SiC 肖特基二極管的反向恢復(fù)電流 IRRM 要低 50%以上，反向恢復(fù)電荷 QRR 降低了 14 倍，關(guān)斷損耗 Eoff 降低了 16 倍。Si- 快速二極管顯示了比常規(guī)硅二極管更好的特性，但它不會(huì)達(dá)到 SiC 肖特基二極管那樣的優(yōu)異動(dòng)態(tài)特性。由于 SiC 肖特基二極管動(dòng)態(tài)損耗低，可以顯著減少逆變器損耗，節(jié)約用于冷卻的開(kāi)支并且增加逆變器的功率密度。此外，低動(dòng)態(tài)損耗使 SiC 肖特基二極管非常適合高開(kāi)關(guān)頻率。

 

另一方面，快速開(kāi)關(guān)的續(xù)流二極管可能有個(gè)缺點(diǎn)，反向電流非常陡峭的下降可能導(dǎo)致電流截止和振蕩。在使用硅二極管的情況下，電流截止是由軟關(guān)斷特性控制的。圖 2 比較了在 CAL HD 和 SiC 肖特基續(xù)流二極管的關(guān)斷特性。

 

 

圖 2：硅二極管和 SiC 續(xù)流二極管關(guān)斷特性。SiC 二極管的關(guān)斷損耗幾乎看不出來(lái)。由于 SiC 二極管的關(guān)斷損耗小，反向電流迅速下降，使得反向電流和電壓上的振蕩小。

 

有了硅基 CAL HD 二極管，能夠觀測(cè)到 CAL 硅續(xù)流二極管眾所周知的軟關(guān)斷行為。由于反向電流平滑地減小，沒(méi)有看到電壓尖峰和振蕩。另一方面，軟關(guān)斷行為會(huì)帶來(lái)顯著的關(guān)斷損耗，因?yàn)楫?dāng)二極管上的電壓上升時(shí)有相當(dāng)大的反向電流流過(guò)。SiC 肖特基二極管基本上沒(méi)有顯示出任何的反向恢復(fù)電荷，因此關(guān)斷損耗非常低。由于反向電流的迅速減小，產(chǎn)生小的振蕩，可以在反向電流和壓降中見(jiàn)到紋波。在我們的例子中，SiC 肖特基二極管的快速關(guān)斷行為通過(guò)優(yōu)化 DCB 上的芯片布局和模塊的低雜散電感進(jìn)行處理。因此，電壓振蕩很小，不會(huì)導(dǎo)致顯著過(guò)電壓尖峰。因此，能夠管理快速開(kāi)關(guān)二極管的缺點(diǎn)，并通過(guò)優(yōu)化的模塊設(shè)計(jì)充分利用 SiC 肖特基二極管的優(yōu)點(diǎn)。圖 3 中，通過(guò)對(duì)比傳統(tǒng)硅模塊和帶有快速硅 IGBT 和 SiC 肖特基二極管的 SiC 混合模塊顯示出 SiC 二極管的優(yōu)點(diǎn)。

 

圖 3：傳統(tǒng)硅三相橋模塊的輸出電流（1200V，450A 溝道型 IGBT+CAL 續(xù)流二極管）和 SiC 混合三相橋模塊（1200V，300A 快速 IGBT 和 SiC 肖特基二極管）。安裝在水冷散熱器上的 SKiM93 模塊的熱損耗計(jì)算。

 

正如所料，SiC 肖特基二極管的優(yōu)異動(dòng)態(tài)特性顯著增加了模塊的輸出功率。給定芯片設(shè)置，該設(shè)置被選擇用于較高開(kāi)關(guān)頻率下實(shí)現(xiàn)最佳性能，30kHz 下的可用輸出電流可以增加超過(guò) 70%。隨著開(kāi)關(guān)頻率的進(jìn)一步升高，混合 SiC 模塊所帶來(lái)的好處甚至更大。較低的損耗和由此而產(chǎn)生更大模塊級(jí)功率輸出可以以幾種方式被利用。逆變器的重量和體積可顯著減少，這對(duì)諸如汽車(chē)和航空航天應(yīng)用很重要。利用高開(kāi)關(guān)頻率，采用較小的 LC 濾波器是可能的，這可以減少逆變器尺寸和成本。最后但并非最不重要的是，更低的損耗在能效方面也是顯著的優(yōu)勢(shì)，對(duì)諸如太陽(yáng)能、UPS 和汽車(chē)應(yīng)用很重要。

 

全 SiC 模塊

使用如 SiC MOSFETS 這樣的 SiC 開(kāi)關(guān)，可進(jìn)一步降低功率模塊的整體損耗。在表 2 中，對(duì)比了 1200V、25A 的三相橋 IGBT 模塊和 20A 全 SiC 組件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗。

 

 

表 2：1200V、25A IGBT 模塊（溝道型 IGBT+CAL 二極管）與 20A 全 SiC 模塊（SiC MOSFET 和 SiC 肖特基二極管）之間的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗對(duì)比

 

全 SiC 模塊的靜態(tài)損耗高 17%，而動(dòng)態(tài)損耗顯著降低：導(dǎo)通損耗低 3 倍，關(guān)斷損耗低超過(guò) 6 倍。從而，一個(gè)完整的 SiC 模塊的可用輸出功率大大高于傳統(tǒng)的硅技術(shù)，特別是在較高的開(kāi)關(guān)頻率下，如圖 4.a 所示。

 

 

圖 4.a：1200V、20A 三相橋全 SiC 模塊和傳統(tǒng) 1200V、25A 三相橋 IGBT 模塊的輸出功率 Pout。 4.b：輸出功率除以芯片面積表示所用功率半導(dǎo)體的功率密度。熱損耗計(jì)算基于風(fēng)冷散熱器，40°C 的環(huán)境溫度。

 

開(kāi)關(guān)頻率高于 20KHz 時(shí)，全 SiC 模塊的輸出功率比 IGBT 模塊高 100%以上。此外，輸出功率對(duì)開(kāi)關(guān)頻率的依賴也小。反過(guò)來(lái)，全 SiC 功率模塊可用于非常高的開(kāi)關(guān)頻率，因?yàn)榕c 10kHz 時(shí)的輸出功率相比，40kHz 時(shí)的輸出功率只低 28%。當(dāng)開(kāi)關(guān)頻率低于 5kHz 時(shí)，IGBT 模塊顯示出較高的輸出功率。這是以內(nèi)全 SiC 的模塊中所用的 SiC 芯片組是針對(duì)非常高的開(kāi)關(guān)頻率而優(yōu)化的。針對(duì)較低開(kāi)關(guān)頻率的優(yōu)化也是可能的。再次，通過(guò)考慮用于硅和 SiC 芯片的芯片面積，來(lái)處理這兩個(gè)模塊的功率密度是有用的。在圖 4b 中，輸出功率除以芯片面積得到功率密度。全 SiC 模塊的功率密度比 IGBT 模塊要高得多，甚至在開(kāi)關(guān)頻率低于 5kHz 時(shí)。因此，通過(guò)使用更大的芯片面積來(lái)優(yōu)化用于低開(kāi)關(guān)頻率的全 SiC 模塊是可能的。 只要 SiC 芯片尺寸合適，SiC 器件可以在廣泛的開(kāi)關(guān)頻率范圍內(nèi)提供更高的輸出電流和輸出功率。

 

大功率 SiC 器件

大功率要求功率芯片和模塊大量并聯(lián)。目前，可以獲得額定電流高達(dá) 200A 的硅 IGBT 和傳統(tǒng)續(xù)流二極管，SiC MOSFET 和肖特基二極管的最大額定電流迄今為止小于 100A。因此，不得不并聯(lián)大量的 SiC 晶片以實(shí)現(xiàn)大額定功率?？紤]到 SiC 器件的快速開(kāi)關(guān)特性和振蕩趨勢(shì)，需要低電感模塊設(shè)計(jì)和 DCB 基板上優(yōu)化的芯片布局。在下文中，1200V、900A 全 SiC 模塊與 1300A 的常規(guī)硅模塊相對(duì)比。 IGBT 模塊利用 2 塊并聯(lián)的 DCB 基板，每個(gè)基板配有并聯(lián)的 9 個(gè) 75A 溝道 IGBT，連同 5 個(gè) 100A CAL 續(xù)流二極管。為了獲得與 SiC 等效的功率輸出，并且由于可以獲得額定電流較低的 SiC 器件，全 SiC 模塊采用 2 塊 DCB 基板，每個(gè)基板配備有 23 個(gè) 20A SiC-MOSFET 和 34 個(gè) 13.5A SiC 肖特基續(xù)流二極管。全 SiC 模塊中，共有 46 個(gè) SiC MOSFET 和 68 個(gè) SiC 肖特基二極管被并聯(lián)。表 1 示給出了 Si 和全 SiC 模塊基本數(shù)據(jù)的對(duì)比。

 

 

表 3：1200V，900A 全 SiC 模塊和其 1300A IGBT 等效器件的電氣及熱特性數(shù)據(jù)。

 

對(duì)比熱數(shù)據(jù)，全 SiC 模塊顯示出比傳統(tǒng)硅模塊更低的熱阻。這是由于與 Si 相比，SiC 具有更高的熱傳導(dǎo)率和更好的熱擴(kuò)散能力：在此布局中，4 個(gè) SiC 二極管芯片在相同的空間上代替 1 個(gè)硅二極管。SiC 器件更低的熱阻是特別重要的，因?yàn)樵谶@種情況下硅芯片使用了 21 cm2 的總面積，而全 SiC 模塊只用了 10 cm2。與硅模塊的通態(tài)損耗相比，全 SiC 模塊的通態(tài)損耗更高。SiC 肖特基二極管的正向壓降也是這樣。全 SiC 模塊的動(dòng)態(tài)損耗非常低：SiC MOSFET 的開(kāi)關(guān)損耗比硅 IGBT 低 4 倍，SiC 肖特基二極管的損耗低 8-9 倍。

 

較低的動(dòng)態(tài)損耗和更好的散熱帶來(lái)相當(dāng)高的功率輸出，如圖 5 所示。

 

圖 5：1200V，900A 全 SiC 模塊和 1300A IGBT 模塊輸出電流的對(duì)比。熱損耗計(jì)算基于為風(fēng)冷散熱器，60°C 的環(huán)境溫度。

 

即使在 4kHz 的低開(kāi)關(guān)頻率下，全 SiC 模塊的優(yōu)點(diǎn)也是顯而易見(jiàn)的：可用輸出電流可提高 85%。再次，認(rèn)識(shí)到 SiC 并不局限于非常高開(kāi)關(guān)頻率是很重要的。換句話說(shuō)，與采用傳統(tǒng)硅 IGBT 技術(shù)相比，逆變器的模塊部分可小近 2 倍，這是一個(gè)優(yōu)點(diǎn)，特別是在高功率應(yīng)用中，如風(fēng)力發(fā)電。多年來(lái)，風(fēng)力渦輪機(jī)的功率在增加，隨著標(biāo)準(zhǔn)功率約為 2-4MW，風(fēng)電已裝機(jī)容量達(dá) 7.5MW。可用于電源逆變器的空間仍然是受限的，減少逆變器的尺寸，不僅解決了空間問(wèn)題，同時(shí)也減少了運(yùn)輸和安裝成本。

 

總結(jié)

在模塊層面上，SiC 主要有兩個(gè)好處：更小的芯片尺寸和更低的動(dòng)態(tài)損耗。在系統(tǒng)層面上，這些優(yōu)勢(shì)可被以多種方式利用。低動(dòng)態(tài)損耗帶來(lái)輸出功率的顯著增加，將提供減輕重量和減小體積的機(jī)會(huì)。值得一提的是，無(wú)需額外的冷卻能力就可實(shí)現(xiàn)功率的增加。因?yàn)榕c硅器件相比，SiC 帶來(lái)實(shí)際的損耗減少，可能在相同的冷卻條件下得到更高的輸出功率。低的功率損耗能提高能效，允許設(shè)計(jì)高效率的逆變器，例如用于太陽(yáng)能和 UPS 應(yīng)用。

 

此外，低動(dòng)態(tài)損耗使得 SiC 器件非常適用于 20kHz 以上的較高開(kāi)關(guān)頻率。利用高開(kāi)關(guān)頻率，可以減少 LC 濾波器的成本和尺寸。根據(jù)所使用的芯片面積，在 4kHz 的低開(kāi)關(guān)頻率下也可以展示 SiC 的優(yōu)點(diǎn)。SiC 的其它優(yōu)點(diǎn)涉及到增強(qiáng)的散熱和正溫度系數(shù)，這對(duì)并聯(lián)的的 SiC 芯片很重要。所有這一切都使得 SiC 在廣泛的可能應(yīng)用范圍內(nèi)成為非常有吸引力的材料。然而，SiC 功率器件的價(jià)格仍然較高，造成混合和全 SiC 模塊的價(jià)格比傳統(tǒng)的硅解決方案要高得多。這些較高的成本限制了市場(chǎng)準(zhǔn)入，SiC 解決方案主要應(yīng)用于高端應(yīng)用中。成本評(píng)估表明，在許多應(yīng)用中，為了實(shí)現(xiàn)積極的商業(yè)案例，SiC 模塊的價(jià)格必須高 2-3 倍。

 

在某些應(yīng)用中，較高的價(jià)格可能是可以承受的，因?yàn)橄耋w積小、重量輕、效率高等好處能勝過(guò)較高的成本。由于成本遠(yuǎn)超過(guò)傳統(tǒng)硅解決方案，用 SiC 的總體擁有成本需要仔細(xì)考慮。一些優(yōu)勢(shì)并不直接與更高的功率輸出或更高的效率相關(guān)。例如，減小風(fēng)能逆變器的尺寸和重量，不僅節(jié)省了風(fēng)力發(fā)電機(jī)組的內(nèi)部空間，同時(shí)也減少了運(yùn)輸和安裝工作。

 

SiC 提供了大量的好處，迫使電力系統(tǒng)的設(shè)計(jì)有不同的想法，回顧傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)，并尋找新的方法來(lái)充分利用 SiC 技術(shù)。在模塊層面，需要針對(duì)大量芯片并聯(lián)的低電感設(shè)計(jì)和優(yōu)化的 DCB 布局，當(dāng)然還有新的封裝技術(shù)，如賽米控針對(duì)高可靠性和高運(yùn)行溫度的燒結(jié)技術(shù)。賽米控通過(guò)深入細(xì)致的研究支持 SiC 解決方案，SiC 器件可以采用所有的標(biāo)準(zhǔn)封裝進(jìn)行組裝。優(yōu)化的解決方案和拓?fù)湓诳蛻舻拿芮信浜舷卤辉u(píng)估，這確實(shí)是有必要。定制的解決方案是一種具有成本競(jìng)爭(zhēng)力的方式。

 

不過(guò)，價(jià)格問(wèn)題仍然存在，需要針對(duì)電力電子市場(chǎng)中的廣泛突破性的 SiC 器件進(jìn)行解決。前景是樂(lè)觀的：根據(jù)市場(chǎng)研究，SiC 肖特基二極管的價(jià)格預(yù)計(jì)下降約 30%，SiC MOSFET 的價(jià)格預(yù)計(jì)在未來(lái)幾年下降約 40%，這顯著增加了 SiC 的競(jìng)爭(zhēng)力?？梢灶A(yù)見(jiàn)的是，混合 SiC 和全 SiC 模塊的價(jià)格將不但適用于高端應(yīng)用，而且未來(lái) 3 年內(nèi)也將用于標(biāo)準(zhǔn)解決方案。事實(shí)上，SiC 進(jìn)入電力電子是一個(gè)漫長(zhǎng)的過(guò)程，尋求廣泛的市場(chǎng)準(zhǔn)入尚未完成。但種種跡象都積極表明，未來(lái)幾年 SiC 將成為用于電力電子應(yīng)用的一項(xiàng)成熟技術(shù)。