變速電機(jī)驅(qū)動(dòng)器在工業(yè)應(yīng)用中的廣泛使用 要?dú)w功于高效電源開關(guān)和具有成本優(yōu)勢 的電子控制電路。設(shè)計(jì)上的困難則是用 低壓控制電路耦合高功率開關(guān)電路，而不犧牲抗噪性能 或開關(guān)速度。

 

現(xiàn)代開關(guān)逆變器的效率一般超過95%，所用功率晶體管 開關(guān)還可連接高壓直流軌高軌與低軌之間的電機(jī)繞組。 這一過程可以減少逆變器的損耗，因?yàn)楣β示w管工作 于完全飽和模式下，而該模式會(huì)降低傳導(dǎo)時(shí)的壓降和功 率損耗。開關(guān)過程中還存在額外的功率晶體管損耗，因 為在此期間，晶體管上有一較大的電壓，與此同時(shí)，負(fù) 載電流在高、低功率設(shè)備之間進(jìn)行切換。功率半導(dǎo)體公 司設(shè)計(jì)出IGBT之類開關(guān)時(shí)間較短的晶體管，以減少這 種開關(guān)功率損耗。然而，這種較高的開關(guān)速度也會(huì)帶來 一些無用的副作用，比如開關(guān)噪聲增加。

 

在驅(qū)動(dòng)器控制端，VLSI工藝的持續(xù)進(jìn)步改善了混合信號(hào) 控制電路的成本和性能，為高級(jí)數(shù)字控制算法的廣泛應(yīng) 用以及交流電機(jī)效率的提高創(chuàng)造了條件。提升性能付出 的代價(jià)是IC工作電壓從12 V至5 V降低至現(xiàn)在的3.3 V， 結(jié)果提高了對(duì)噪聲的靈敏度。這種傳統(tǒng)的噪聲過濾方法 通常不太適用，因?yàn)橥枰S持驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的帶寬，而 帶寬一般都是一個(gè)關(guān)鍵的性能參數(shù)。

 

電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器環(huán)境

 

三相逆變器是一種功率電子開關(guān)電路，控制功率從直流 供電軌到三個(gè)交流電機(jī)繞組的流動(dòng)。逆變器有三條相同 的腿，每條腿包括兩個(gè)IGBT晶體管和兩個(gè)二極管，如 圖1所示。每個(gè)電機(jī)繞組均連接至通過分流器連接高端 晶體管和低端晶體管的同一節(jié)點(diǎn)。逆變器使電機(jī)繞組在 直流總線的高壓軌和低壓軌之間切換，以控制平均電 壓。繞組具有極高的電感性，將阻擋電流的變化，因 此，當(dāng)功率晶體管關(guān)閉時(shí)，電流將開始在連接至相反電 源軌的二極管中流動(dòng)。這樣，即使逆變器功率設(shè)備和直 流鏈路電容中存在斷續(xù)傳導(dǎo)，也會(huì)有電流連續(xù)流到電機(jī) 繞組中。電機(jī)繞組阻抗充當(dāng)來自逆變器的高壓脈沖寬度 調(diào)制方波輸出電壓的低通濾波器。

 

圖1. 包括寄生元件的逆變器電路。

 

將低壓控制電流連接至逆變器時(shí)存在巨大的困難。一個(gè) 基本問題是，高端晶體管發(fā)射器節(jié)點(diǎn)在高壓總線高供電 軌與低供電軌之間切換。首先，高端驅(qū)動(dòng)器必須能夠驅(qū) 動(dòng)相對(duì)于一個(gè)發(fā)射器(可能比共用輸入信號(hào)高300 V或以 上)的柵極信號(hào)。其次，通過分流器(vsh)的電機(jī)電流信 號(hào)必須從300 V或以上的共模電壓中提取出來。其他問 題將由電源電路中的寄生元件導(dǎo)致。當(dāng)功率晶體管或二 極管的開關(guān)頻率超過1 A/ns時(shí)，即使是10 nH的PCB走線 電感也可能導(dǎo)致顯著的電壓(>10 V)。寄生電感和部件電 感會(huì)導(dǎo)致振鈴，結(jié)果使設(shè)備開關(guān)產(chǎn)生的噪聲脈沖的持續(xù) 時(shí)間變長。甚至電機(jī)電纜的高頻阻抗也可能帶來問題， 因?yàn)槌鲇诎踩紤]，配電板可能離電機(jī)很遠(yuǎn)。其他效應(yīng) 包括噪聲從電機(jī)耦合到反饋傳感器信號(hào)中，其原因是快 速切換的繞組電壓波形。問題將變得更加嚴(yán)重，因?yàn)轵?qū) 動(dòng)電路的功率額定值將增加電路板的物理尺寸，結(jié)果將 進(jìn)一步增加寄生電感，甚至提高電流和電壓開關(guān)速率。

 

通過隔離控制和電源電路消除噪聲耦合現(xiàn)象，是應(yīng)對(duì)這 一問題的主要工具之一。隔離電路的性能是決定驅(qū)動(dòng)性 能的一個(gè)關(guān)鍵因素。在轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，轉(zhuǎn)軸位置編碼器將 產(chǎn)生頻率為100 kHz或以上的數(shù)字脈沖流。然而，在許 多情況下，編碼器上安裝的電路會(huì)提高設(shè)備的精度，并 使數(shù)據(jù)速率增加到10 Mbps以上。另外，跨越分流器的 反饋信號(hào)也可以隔離，方法是先把數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成數(shù)字位 流，然后把該位流與低功耗電路隔離開來。這種情況 下，數(shù)據(jù)速率為10 Mbps至20 Mbps。

 

柵極驅(qū)動(dòng)電路所需要的開關(guān)性能似乎并不高，因?yàn)殡姍C(jī) 驅(qū)動(dòng)逆變器的開關(guān)速率很少超過20 kHz。然而，需要在 高端設(shè)備和低端設(shè)備的開關(guān)信號(hào)之間插入一個(gè)死區(qū)，以 防止發(fā)生直通。死區(qū)為功率開關(guān)的開啟和關(guān)閉延遲以及 隔離電路所致延遲的不確定性的函數(shù)。死區(qū)延長會(huì)給逆 變器傳遞函數(shù)帶來更多非線性，結(jié)果將產(chǎn)生無用的電流 諧波，并可能降低驅(qū)動(dòng)效率。

 

因此，跨越電源電路和控制電路之間的隔離柵發(fā)送數(shù)據(jù) 的方法不得在開關(guān)過程中帶來時(shí)序的不確定性，并須具 備較強(qiáng)的抗噪能力。

 

隔離器技術(shù)傳輸速率比較

 

隔離不得給整體系統(tǒng)性能帶來任何顯著的時(shí)序不確定性 或時(shí)序誤差。標(biāo)準(zhǔn)光耦合器的傳播延遲為微秒級(jí)，可能 因器件而異，因溫度和壽命而異。光耦合器技術(shù)在時(shí)序 性能方面存在一些根本的不足，而現(xiàn)代數(shù)字隔離器采用 完全不同的運(yùn)算原則，其速率也更高。

 

可以在有所折衷的情況下增加光耦合器的速率。光耦合 器的工作原理是，將來自LED的光發(fā)送至一種光學(xué)透明 的隔離材料，并用另一端的光電二極管檢測光。光耦合 器的速度與光電二極管檢波器的速率以及為其二極管電 容充電的時(shí)間直接相關(guān)。減少傳播延遲的一種方法是增 加發(fā)射的光量。通過提高LED電流，可以使延遲減少2 或3倍，但其代價(jià)是設(shè)備功耗會(huì)增加，每個(gè)數(shù)據(jù)通道最 高將達(dá)50 mW。

 

圖2. 光耦合器內(nèi)部結(jié)構(gòu)。

 

提高速度的另一種辦法是通過使用更薄的隔離柵來減少 光傳輸損耗。為了維持相同的隔離能力，需要增加一層 材料，但代價(jià)是成本也將增高。更快的光耦合器比標(biāo)準(zhǔn) 的低成本光耦合器要貴許多倍。

 

相反，數(shù)字隔離器則是采用標(biāo)準(zhǔn)的高速CMOS工藝，并 搭載隔離式片內(nèi)微變壓器。其傳輸速率自然比光耦合器 快很多。較高的速度是電路和設(shè)計(jì)與生俱來的特點(diǎn)，不 需要更復(fù)雜、成本更高的隔離材料也可實(shí)現(xiàn)更高的速 度。變壓器可以以最高150 Mbps的傳輸速率傳遞數(shù)據(jù)， 傳播延遲低至32 ns，功耗<5 mW，開關(guān)速率為25 kHz或 以上。速度更快的另一個(gè)好處是，通道間的匹配優(yōu)于 5 ns，比標(biāo)準(zhǔn)光耦合器高出了一個(gè)數(shù)量級(jí)，僅以大約一 半的單位通道成本即可實(shí)現(xiàn)比光耦合器快3至4倍的卓越 性能。

 

圖3. 基于變壓器的數(shù)字隔離器的結(jié)構(gòu)。

 

隔離的抗噪性

 

在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，隔離還提供了一個(gè)分離噪聲源的機(jī) 會(huì)，方法是以電流方式將噪聲從功率開關(guān)電路和控制電 路之中隔離開來。以下各項(xiàng)之間有安全隔離需求：高壓 總線、線路電壓和用戶界面，以同時(shí)保護(hù)人、保護(hù)其他 設(shè)備。還需要在功能上使高端開關(guān)和低端開關(guān)與控制電 路相隔離。隔離元件必須能提供必要的隔離，同時(shí)也需 對(duì)嘈雜環(huán)境不敏感。

 

衡量隔離器分離地域之間高速噪聲的能力的指標(biāo)一般稱 為共模瞬變抗擾度(CMTI)。CMTI旨在衡量一個(gè)隔離器 在隔離器數(shù)據(jù)通信不被噪聲打斷的情況下，對(duì)隔離柵中 的電壓噪聲的抑制能力。其單位是kV/s瞬變。

 

電壓瞬變噪聲跨越隔離柵的路徑一般是寄生電容跨過隔 離器中的隔離柵。光耦合器的CMTI一般較差，為 15 kV/s。一些現(xiàn)代數(shù)字隔離器采用電容耦合數(shù)據(jù)隔離 技術(shù)，其信號(hào)和共模噪聲使用同一路徑?；谧儔浩鞯?隔離器(如ADI的iCoupler數(shù)字隔離器)的信號(hào)路徑不同于 噪聲路徑，其CMTI的值一般為50 kV/s或以上。 隔

 

隔離材料和可靠性

 

數(shù)字隔離器采用晶圓CMOS工藝制造，僅限于常用的晶 圓材料。非標(biāo)準(zhǔn)材料會(huì)使生產(chǎn)復(fù)雜化，導(dǎo)致可制造性變 差且成本提高。常用的絕緣材料包括聚合物(如聚酰亞 胺PI，它可以旋涂成薄膜)和二氧化硅(SiO2)。二者均具 有眾所周知的絕緣特性，并且已經(jīng)在標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體工藝中 使用多年。聚合物是許多光耦合器的基礎(chǔ)，作為高壓絕 緣體具有悠久的歷史。

 

安全標(biāo)準(zhǔn)通常規(guī)定1分鐘耐壓額定值(典型值2.5 kV rms 至5 kV rms)和工作電壓(典型值125 V rms至400 V rms)。 某些標(biāo)準(zhǔn)也會(huì)規(guī)定更短的持續(xù)時(shí)間、電壓浪涌(如10 kV 峰值并持續(xù)50 μs)作為增強(qiáng)絕緣認(rèn)證的一部分要求。

 

表1. 隔離材料性能比較

 

聚 合物/聚酰亞胺隔離器可提供最好的隔離特性(見表1)。 聚酰亞胺數(shù)字隔離器與光耦合器類似，在典型工作電壓 下，工作壽命超過電機(jī)，額定使用壽命為50年。SiO2隔 離器的工作壽命與之接近，但是，對(duì)高能浪涌的保護(hù)能 力卻較弱。

 

在高溫連續(xù)使用的情況下，影響光耦合器壽命的可能不 是隔離材料的分解而是LED磨損。當(dāng)溫度>85°C時(shí)，工 作1萬小時(shí)，光耦合器的電流傳輸比(CTR)將下降10%至 20%。10萬小時(shí)時(shí)，CTR可能會(huì)下降一半或以上。

 

集成可能性

 

光耦合器LED和優(yōu)化的光檢波器不兼容低成本CMOS技 術(shù)。要集成帶去飽和檢測功能的柵極驅(qū)動(dòng)、用- ADC 實(shí)現(xiàn)隔離電流檢測以及多向數(shù)據(jù)流等其他功能，就必須 采用多芯片解決方案，結(jié)果將使帶這些功能的光耦合器 變得非常昂貴。采用CMOS技術(shù)和隔離式變壓器的數(shù)字 隔離器可以隨著集成度的提高而自然而然地添加這些功 能。由于變壓器也可用來發(fā)射隔離功率，因此，可從相 同的封裝發(fā)射高端功率，而無需會(huì)給某些應(yīng)用帶來問題 的自舉。目前，市場上有基于變壓器的數(shù)字隔離器，在 單個(gè)封裝中集成了dc/dc轉(zhuǎn)換器、- ADC、柵極驅(qū)動(dòng) 器、I2C、RS-485收發(fā)器、RS-232收發(fā)器和CAN收發(fā) 器，使電機(jī)控制系統(tǒng)同時(shí)實(shí)現(xiàn)了尺寸和成本的優(yōu)化。

 

實(shí)用的應(yīng)用電路

 

展示了柵極驅(qū)動(dòng)、通信和反饋信號(hào)隔離的典型驅(qū)動(dòng)電路 如圖4所示。在該系統(tǒng)中，隔離的- ADC用來測量電 機(jī)繞組電流，數(shù)字位流則由電機(jī)控制IC上的數(shù)字過濾電 路進(jìn)行處理。位置編碼器包含一個(gè)ASIC，由其通過一 個(gè)隔離式RS-485接口將位置和速度數(shù)據(jù)發(fā)送給電機(jī)控制 IC。其他隔離式串行接口包括連接PFC的I2C接口以及連 接前面板的隔離式RS-232鏈路。在此例中，PWM信號(hào) 與逆變器模塊隔離，IGBT由一個(gè)嵌入該模塊中的電平 轉(zhuǎn)換柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)。

 

圖4. 典型的中型工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。

 

 

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