三極管比較便宜，用起來方便，常用在數(shù)字電路開關(guān)控制。 

 

MOS管用于高頻高速電路，大電流場合，以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。

 

MOS管不僅可以做開關(guān)電路，也可以做模擬放大，因為柵極電壓在一定范圍內(nèi)的變化會引起源漏間導通電阻的變化。

 

 

雙極型管是電流控制器件（通過基極較小的電流控制較大的集電極電流），MOS管是電壓控制器件（通過柵極電壓控制源漏間導通電阻）。

 

MOS管(場效應管)的導通壓降下，導通電阻小，柵極驅(qū)動不需要電流，損耗小，驅(qū)動電路簡單，自帶保護二極管，熱阻特性好，適合大功率并聯(lián)，缺點開關(guān)速度不高，比較昂貴。

 

三極管開關(guān)速度高，大型三極管的Ic可以做的很大，缺點損耗大，基極驅(qū)動電流大，驅(qū)動復雜。

 

一般來說低成本場合，普通應用的先考慮用三極管，不行的話考慮MOS管。

 

實際上說電流控制慢，電壓控制快這種理解是不對的。要真正理解得了解雙極晶體管和mos晶體管的工作方式才能明白。三極管是靠載流子的運動來工作的，以npn管射極跟隨器為例，當基極加不加電壓時，基區(qū)和發(fā)射區(qū)組成的pn結(jié)為阻止多子（基區(qū)為空穴，發(fā)射區(qū)為電子）的擴散運動，在此pn結(jié)處會感應出由發(fā)射區(qū)指向基區(qū)的靜電場（即內(nèi)建電場），當基極外加正電壓的指向為基區(qū)指向發(fā)射區(qū)，當基極外加電壓產(chǎn)生的電場大于內(nèi)建電場時，基區(qū)的載流子（電子）才有可能從基區(qū)流向發(fā)射區(qū)，此電壓的最小值即pn結(jié)的正向?qū)妷海üこ躺弦话阏J為0.7v）。

 

但此時每個pn結(jié)的兩側(cè)都會有電荷存在，此時如果集電極-發(fā)射極加正電壓，在電場作用下，發(fā)射區(qū)的電子往基區(qū)運動（實際上都是電子的反方向運動），由于基區(qū)寬度很小，電子很容易越過基區(qū)到達集電區(qū)，并與此處的PN的空穴復合（靠近集電極），為維持平衡，在正電場的作用下集電區(qū)的電子加速外集電極運動，而空穴則為pn結(jié)處運動，此過程類似一個雪崩過程。集電極的電子通過電源回到發(fā)射極，這就是晶體管的工作原理。三極管工作時，兩個pn結(jié)都會感應出電荷，當做開關(guān)管處于導通狀態(tài)時，三極管處于飽和狀態(tài)，如果這時三極管截至，pn結(jié)感應的電荷要恢復到平衡狀態(tài)，這個過程需要時間。而mos三極管工作方式不同，沒有這個恢復時間，因此可以用作高速開關(guān)管。

 

（1）場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。

 

（2）場效應管是利用多數(shù)載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導電。被稱之為雙極型器件。

 

（3）有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。

 

（4）場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應用。

 

（5）場效應晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點，因而也被廣泛應用于各種電子設(shè)備中。尤其用場效管做整個電子設(shè)備的輸入級，可以獲得一般晶體管很難達到的性能。 

 

（6）場效應管分成結(jié)型和絕緣柵型兩大類，其控制原理都是一樣的。

 

 

1、三極管是雙極型管子，即管子工作時內(nèi)部由空穴和自由電子兩種載流子參與。

場效應管是單極型管子，即管子工作時要么只有空穴，要么只有自由電子參與導電，只有一種載流子。

 

2、三極管屬于電流控制器件，有輸入電流才會有輸出電流。 

場效應管屬于電壓控制器件，沒有輸入電流也會有輸出電流。

 

3、三極管輸入阻抗小，場效應管輸入阻抗大。

 

4、有些場效應管源極和漏極可以互換，三極管集電極和發(fā)射極不可以互換。

 

5、場效應管的頻率特性不如三極管。

 

6、場效應管的噪聲系數(shù)小，適用于低噪聲放大器的前置級。

 

7、如果希望信號源電流小應該選用場效應管，反之則選用三極管更為合適。