【導讀】鋰離子電池保護電路中常用的MOSFET有很多，很多都還被常用到。但是在不同的鋰離子電池保護電路中不同的MOSFET會發(fā)揮不同的作用，而選對正確的MOSFET可以讓保護電路設計達到事半功倍的效果。這里就分享下幾種常見的鋰離子電池保護電路的MOSFET選取。
PMOS和NMOS在鋰離子電池保護電路中都有著廣泛的應用。通常PMOS 放到正端，NMOS放到負端。在正端，PMOS正常時候，G極低電平，保護時候高電平；而在負端，NMOS正常時候G極高電平，保護時候低電平。而最近新出1芯片，將NMOS放到了正端，通常NMOS會比PMOS成本低，導通阻值會偏小（NMOS導電溝道依靠電子），當然目前也有一些PMOS的導通阻值做到很小，比如TPC8107，做到了5.5個mohm左右。采用什么樣的MOS，就需要有什么樣的芯片來驅(qū)動。
在1-2串的鋰離子電池保護電路中幾乎都用到了NMOS，單cell的比如手機電池內(nèi)用一個復合NMOS，而常用的保護芯片有S8241,S8261,R5426，MM3077等。2串鋰離子電池的比如一些DV電池同樣用到了NMOS，而2串鋰離子電池常用保護芯片用S8232，MM1412等。
3-4串主要用筆記本電池，此前所見到的都是在正端用PMOS，那為什么NMOS相對廉價卻不采用呢？通常NMOS一般放到負端，這樣便于芯片驅(qū)動，但是因為筆記本電池需要通訊，包括SMBUS和HDQ都需要用到地線，因此，當電池保護的時候，負端中斷，通訊無法進行。當然，我們可以為了保證通訊而將通訊所用到的地線獨立出來，直接可以連接到B-，而主機端通訊的結(jié)構(gòu)為開漏極，這樣在充電的時候，當MOSFET 關閉的時候，會有漏電流從下圖的D1 D2流過。
當然也有解決此問題的方法，但是會帶來不穩(wěn)定，具體方法，請參看下圖。
因此在3-4串的筆記本電池中，通常是用到PMOS，當保護的時候，驅(qū)動會在B+ 和P+處拉電。但是最近新出的一個筆記本電池解決方案中，在正端是采用NMOS。我們知道NMOS，高電平導通，因此驅(qū)動就需要做到比B+ 和P+ 還要高，芯片內(nèi)部的驅(qū)動必須用到charge pumps。
下面羅列一些常用到的3-4串的筆記本電池管理/保護芯片。
MM1414，S8254，bq2040,2060,208x家族,20zx0家族。Maxim 有1780 1781 據(jù)說最近推出了1785，Atmel 也出1款ATmega406，Microchip PS401 PS501，瑞薩M37517家族，微電通道 GC1318+x3100,還有IC新銳凹凸的oz930等等。
在5串以上的多串鋰離子電池保護電路方面，因為目前的應用中只是輸出1正1負，還很少見到有通訊電路的，所以相對來講，大部分都采用了NMOS。而且鑒于動力鋰離子電池在應用中電流較大，一般都采用了充放電路相對分開，盡量減少在放電過程中回路阻抗。當然，在一些高端的應用中，采用了通訊的功能，在解決共地的問題上，采用了光偶隔離的方法，將發(fā)出指令與接受指令分開，采用4線結(jié)構(gòu)。
