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討論:無(wú)源元件—電容為何不是真的“無(wú)源”

發(fā)布時(shí)間:2014-04-08 責(zé)任編輯:sherryyu

【導(dǎo)讀】很多事情不是只有對(duì)與錯(cuò)。關(guān)于電子元件也是一樣,有源和無(wú)源元件,在工程設(shè)計(jì)領(lǐng)域真的是非白即黑嗎?很顯然不是,本文就為大家詳解無(wú)源元件——電容,到底有哪些有源特性,這些有源特性是什么原因帶來(lái)的?是不是很困惑?那就看本文的具體講解。
 
有源元件和無(wú)源元件——在工程設(shè)計(jì)領(lǐng)域真的是非白即黑嗎?
 
晶體管和集成電路由于利用來(lái)自電源的能量改變信號(hào),所以被認(rèn)為是有源元件?;谶@個(gè)依據(jù),我們將電容、電阻、電感、連接器,甚至是印刷電路板(PCB)稱為無(wú)源元件,因?yàn)樗鼈兛雌饋?lái)不耗電。然而,由于無(wú)源元件均具有寄生參數(shù),它們實(shí)際上也會(huì)以不可預(yù)知的方式改變信號(hào)。所以,許多所謂的無(wú)源元件并非真的“無(wú)源”。本文將專注于討論電容的有源特性。
 
并非完全無(wú)源的電容
 
無(wú)源可定義為惰性和/或不活躍,但無(wú)源電子元件會(huì)以不可預(yù)知的方式成為有源電路的一部分。所以,純?nèi)菪噪娙輰?shí)際上是不存在的。所有電容在本質(zhì)上都存在一定的寄生成分(圖1)。
電容(C)及其最大的寄生元件。
圖1. 電容(C)及其最大的寄生元件。
 
我們進(jìn)一步觀察圖1所示寄生元件。標(biāo)有“C”的電容是我們的考察對(duì)象,其它所有元件則是不希望存在的寄生元件。并聯(lián)電阻RL引起泄漏,從而改變有源電路的偏置電壓、濾波器的Q因子,并影響采樣-保持電路的保持能力。等效串聯(lián)電阻(ESR)則會(huì)降低電容抑制紋波和通過(guò)高頻信號(hào)的能力,因?yàn)榈刃Т?lián)電感(ESL)形成諧振電路(即自諧電路)。這意味著,在自諧頻率以上時(shí),電容呈現(xiàn)為電感,不再具備電源與地之間的高頻噪聲去耦作用。電容介質(zhì)可能是壓電介質(zhì),增加振動(dòng)產(chǎn)生的噪聲(AC),就好像電容C內(nèi)部嵌入了電池(未繪出)。冷焊應(yīng)力造成的壓電效應(yīng)可以改變電容值。壓電電解電容也具有等效的串聯(lián)寄生二極管(未繪出),這些二極管會(huì)對(duì)高頻信號(hào)進(jìn)行整流,改變偏置或增大信號(hào)失真。
 
較小的電池SB1至SB4表示塞貝克(Seebeck)結(jié),是由不同金屬(寄生熱電偶)在此形成的電壓源。當(dāng)我們連接測(cè)試設(shè)備時(shí),需要考慮共用連接器的塞貝克效應(yīng)。Jim Williams在參考文獻(xiàn)4中指出,BNC和橡膠插頭連接器對(duì)的熱電勢(shì)范圍為0.07μV/℃至1.7μV/℃。這一變化只適合我們?nèi)粘T趯?shí)驗(yàn)室內(nèi)部的簡(jiǎn)單連接。將看起來(lái)較小的失調(diào)增益乘以1000,就達(dá)到1.7mV——這是我們尚未實(shí)際開始操作就存在的。
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SB2和SB3可能是電容內(nèi)部連接引線的箔,或連接至焊盤或表貼元件焊料的金屬化物。SB1和SB4表示器件通過(guò)焊料到PCB銅線的結(jié)。以往的焊料是63%的鉛和37%的錫,但現(xiàn)在使用的符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)鉛焊料成分變化很大,會(huì)影響電容附近的電壓,所以必須查詢合金成分。
 
可對(duì)介質(zhì)吸收(DA)或Bob Pease所稱的“滲透”進(jìn)行建模,等效為無(wú)數(shù)個(gè)RC時(shí)間常數(shù):DA1至DAINFINITY,其中每個(gè)時(shí)間常數(shù)由電阻RDA和電容CDA組成。Bob Pease列舉了一些“滲透”非常重要的實(shí)例,本文附錄中介紹了一段關(guān)于吸收的有趣經(jīng)歷。
 
“如果您關(guān)閉彩色電視機(jī),然后打開后蓋,那么在您開始操作之前首先必須要做的是什么?在螺絲刀上連接一條地線,然后接觸高壓插頭上的橡膠墊圈下方,對(duì)CRT放電。那好,現(xiàn)在電容已經(jīng)放電了,如果讓這一過(guò)程持續(xù)大約10分鐘,那么有多少電壓將“滲透”回顯像管的“電容”?當(dāng)您第二次放電時(shí),足以造成可見的電弧....這就是我所說(shuō)的介質(zhì)吸收。”
 
由此可見,電容會(huì)隨著作用電壓的改變而改變。然后再加上老化、溫度的影響,以及其它可能造成電容器物理?yè)p壞的眾多因素,這種簡(jiǎn)單的無(wú)源元件就變得非常復(fù)雜。
 
現(xiàn)在,我們應(yīng)該討論一下與自激有關(guān)的因素,這是去耦電容以及接地不良的電容最常見的問(wèn)題。如果接地不良,任何電容都不能正常工作。電容自激主要受圖1所示ESL的影響,當(dāng)然,PCB過(guò)孔也會(huì)產(chǎn)生一定的影響。工作在射頻頻段時(shí),這些過(guò)孔將影響小電容的自激點(diǎn)。以圖2為例,討論了1μF電容的曲線。
 
三個(gè)電容的自激頻率(曲線的最低點(diǎn)),圖示表明,電容的性能并不完全一致。在左側(cè),當(dāng)曲線(阻抗)向下移動(dòng)時(shí),電容表現(xiàn)為電容。當(dāng)達(dá)到其最低點(diǎn)時(shí),電容呈現(xiàn)為電感(ESL),不再是有效的去耦電容
圖2. 三個(gè)電容的自激頻率(曲線的最低點(diǎn)),圖示表明,電容的性能并不完全一致。在左側(cè),當(dāng)曲線(阻抗)向下移動(dòng)時(shí),電容表現(xiàn)為電容。當(dāng)達(dá)到其最低點(diǎn)時(shí),電容呈現(xiàn)為電感(ESL),不再是有效的去耦電容。
 
1μF曲線在4.6MHz時(shí)達(dá)到最小,高于該頻率時(shí),ESL占支配地位,電容的工作特性表現(xiàn)為電感。由此,去耦電容在高頻下稱為一個(gè)雙向?qū)w:對(duì)于電源總線上的高頻信號(hào)而言,電源線與地短接,反之亦然。電容模糊了電源和地之間的差異。
 
隨著對(duì)信號(hào)頻率和電容的深入考察,我們可能忘記了所產(chǎn)生的諧波或邊帶。例如,一個(gè)50MHz方波的SPI時(shí)鐘,具有無(wú)限次的奇次諧波。大多數(shù)系統(tǒng)(并非所有系統(tǒng))會(huì)忽略5次以上的諧波,因?yàn)檫@些諧波的能量已經(jīng)非常低,在噪底以下。如果諧波在半導(dǎo)體器件中經(jīng)過(guò)整流,仍可造成負(fù)面的影響,因?yàn)樗鼈儠?huì)轉(zhuǎn)換成新的低頻干擾。
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控制生產(chǎn)誤差
 
從圖2可以看出,電容在生產(chǎn)過(guò)程中存在不一致的問(wèn)題。一般而言,高質(zhì)量電容的重復(fù)性非常好,而一些廉價(jià)電容則會(huì)受成本控制而存在較大的生產(chǎn)誤差。有些廠商按照嚴(yán)格的誤差等級(jí)或標(biāo)準(zhǔn)篩選電容(圖3),并收取高額費(fèi)用。這對(duì)用于設(shè)置系統(tǒng)時(shí)間或頻率的電容并不適合。
 
生產(chǎn)誤差等級(jí)或篩選,會(huì)以不同方式影響電容性能
圖3. 生產(chǎn)誤差等級(jí)或篩選,會(huì)以不同方式影響電容性能。
 
圖3中的實(shí)線(黑色)為一個(gè)好的生產(chǎn)過(guò)程的標(biāo)準(zhǔn)方差,盡管該圖在Maxim Integrated應(yīng)用筆記4301“零晶體管IC,IC設(shè)計(jì)領(lǐng)域的又一里程碑”中用于表示電阻特性,但也同樣適用于電容。當(dāng)生產(chǎn)誤差變化時(shí),每個(gè)“盒子”內(nèi)的器件數(shù)量也隨之變化。誤差曲線可向右移動(dòng)(綠色虛線),結(jié)果是沒有符合1%容限的元件;統(tǒng)計(jì)概率也可以是雙峰曲線(灰色虛線),得到較多的符合5%和10%容限的元件,而符合1%和2%容限的元件數(shù)量很少。
 
從分布特性看,“似乎”能夠保證2%容限的元件只有-1到-2,或+1到+2 (沒有滿足1%容限的器件);“好像”從5%容限的“盒子”里移除了1%和2%容限的器件。我們之所以用“看起來(lái)”和“好像”是因?yàn)殇N售量、人為因素也會(huì)影響分配比例。例如,工廠經(jīng)理可能急需發(fā)貨5%容限的電容,但又沒有足夠的產(chǎn)品滿足本月的需求。而庫(kù)房又存放了過(guò)多的2%容限元件。于是,他將這些元件劃分到5%容限的“盒子”里,然后發(fā)貨。很容易解決了上述問(wèn)題,人為干預(yù)(也確實(shí)這么做了)會(huì)“歪曲”統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)和方法。
 
這樣做對(duì)于無(wú)源電容意味著什么?我們必須了解所預(yù)期容限,比如±5%,其統(tǒng)計(jì)分布可能在±2%中心位置有一個(gè)缺口。電容用于控制關(guān)鍵頻率或定時(shí),我們需要預(yù)先考慮到這點(diǎn)。這也意味著我們需要規(guī)劃,通過(guò)校準(zhǔn)來(lái)修正較寬變化范圍。
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焊接對(duì)無(wú)源器件性能的影響
 
焊接會(huì)對(duì)電容造成應(yīng)力,尤其是表貼元件。應(yīng)力將隨著振動(dòng)產(chǎn)生壓電電壓,甚至損害電容,存在系統(tǒng)故障隱患。
 
大家對(duì)回流焊流程并不陌生,液體焊料的表面張力使元件整齊排列滾動(dòng),好像被磁鐵吸住一樣。如果焊料的溫度特性較差,則有可能損壞器件。您可能在現(xiàn)場(chǎng)看到過(guò),電容像墓碑一樣單腳直立?如果焊料溫度變化出現(xiàn)問(wèn)題,既有可能引發(fā)這種情況。請(qǐng)務(wù)必遵守制造商的焊接建議。有些元件對(duì)溫度更為敏感,所以可能需要用兩種或多種不同溫度的焊料進(jìn)行焊接。首先用高熔點(diǎn)焊料對(duì)電路中的大多數(shù)元件進(jìn)行焊接,然后再用低溫焊接“敏感”元件。必須以正確的順序使用焊料,避免前期焊接的器件不會(huì)隨后“溶化”掉。
 
總結(jié)
 
當(dāng)我們討論電容等無(wú)源元件時(shí),必須注意這些元件均具有寄生效應(yīng),從改變了信號(hào)。當(dāng)然,這種影響取決于信號(hào)強(qiáng)度。當(dāng)測(cè)量微伏級(jí)信號(hào)時(shí),需要謹(jǐn)慎考慮以下因素:接地(星形連接點(diǎn))、屏蔽去耦電容、保護(hù)線、布局、塞貝克效應(yīng)、電纜結(jié)構(gòu),以及連接器。我們的原理圖上往往忽略了這些因素,但當(dāng)我們排查微弱的噪聲干擾或信號(hào)時(shí),將不得不考慮這些因素。
 
注意,無(wú)源電容不僅僅是一個(gè)無(wú)源元件,要比表面看起來(lái)“活躍”得多,寄生成分、誤差、校準(zhǔn)、溫度、老化,甚至組裝方法和操作規(guī)范都會(huì)對(duì)電路產(chǎn)生微妙的影響,從而影響器件性能。了解到這一點(diǎn),我們還需要理解電容器的累積誤差。
 
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