IR推出高性價(jià)比的AUIRF8736M2車用DirectFET2功率MOSFET
發(fā)布時(shí)間:2013-10-16 責(zé)任編輯:xueqi
【導(dǎo)讀】IR推出AUIRF8736M2 車用DirectFET2功率 MOSFET,提供更高功率密度及更小的系統(tǒng)尺寸和成本。適合需要在緊湊的占位面積內(nèi)提供高功率密度的重載汽車應(yīng)用,包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、剎車系統(tǒng)、水泵等。
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 宣布推出AUIRF8736M2 DirectFET2 功率MOSFET,適合需要在緊湊的占位面積內(nèi)提供高功率密度的重載汽車應(yīng)用,包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、剎車系統(tǒng)、水泵等。
圖1:IR推出AUIRF8736M2 車用DirectFET2功率 MOSFET
由于采用COOLiRFET硅技術(shù),40V AUIRF8736M2與上一代設(shè)備相比,導(dǎo)通電阻(Rds(on))改善了40%,從而可以將傳導(dǎo)損耗降到最低。 雙面冷卻的中罐式DirectFET2 功率封裝提供卓越的熱性能和極低的寄生電感。
IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“AUIRF8736M2將COOLiRFET硅性能和DirectFET2 封裝相結(jié)合, 可在相同的占位面積內(nèi)將導(dǎo)通電阻改善40%,也可以提供與大罐式器件相同的性能,即可以減少50%的封裝面積,為汽車應(yīng)用提供更小的系統(tǒng)尺寸和成本。”
新器件符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),是在IR要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念下研制而成的,采用不含鉛的環(huán)保封裝,并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。
規(guī)格
有關(guān)產(chǎn)品現(xiàn)已接受批量訂單。相關(guān)數(shù)據(jù)、應(yīng)用說明和認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn),請(qǐng)瀏覽IR網(wǎng)站http://www.irf.com。
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