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雙極型集成電路的ESD保護(hù)

發(fā)布時(shí)間:2011-11-28

中心議題:
  • ESD 傳遞模式
  • IC 內(nèi)部保護(hù)電路
  • ESD 保護(hù)解決方案
解決方案:
  • 雙極型集成電路 ESD 保護(hù)

靜電放電(ESD)會(huì)對(duì)集成電路(IC)造成破壞性的能量沖擊,良好的IC設(shè)計(jì)能夠在IC裝配到應(yīng)用電路的過程中保護(hù)IC免遭ESD沖擊的破壞。安裝后,IC還必須能夠承受ESD穿過靜電防護(hù)電路進(jìn)入最終電路的沖擊。除此之外,機(jī)械防護(hù)、電源去耦電容都有助于提高ESD保護(hù)能力,但是,如果電容選擇不當(dāng)將會(huì)造成IC更容易損壞。為了給IC提供合理的ESD保護(hù),需要考慮以下內(nèi)容:

* 沖擊IC的ESD傳遞模式;
* 內(nèi)部ESD保護(hù);
* 應(yīng)用電路與IC內(nèi)部ESD保護(hù)的相互配合;
* 修改應(yīng)用電路提高IC的ESD保護(hù)能力。

ESD 傳遞模式

靜電放電強(qiáng)度以電壓形式表示,該電壓由電容的儲(chǔ)能電荷產(chǎn)生,最終傳遞到IC。作用到IC的電壓和電流強(qiáng)度與IC和ESD源之間的阻抗有關(guān)。對(duì)電荷來源進(jìn)行評(píng)估后建立了ESD測(cè)試模型。

ESD測(cè)試中一般使用兩種充電模式(圖1),人體模式(HBM)下將電荷儲(chǔ)存在人體內(nèi)(100pF等效電容),通過人體皮膚放電(1.5kΩ等效電阻)。機(jī)器模式(MM)下將電荷儲(chǔ)存在金屬物體,機(jī)器模式中的放電只受內(nèi)部連接電感的限制。
以下概念對(duì)于評(píng)估ESD向IC的傳遞非常有用:

1. 電壓高于標(biāo)稱電源電壓時(shí),IC阻抗較低。

對(duì)于圖1中的HBM模式:ZS=ZHBM=1.5kω

2. 在MM模式下,電流受特征阻抗(約50Ω)的限制。

上述特征阻抗的計(jì)算可以從低阻L-C電路的能量(E)推導(dǎo)出來:

3. 如果ESD電流主要流入電源去耦電容,IC電壓由儲(chǔ)存的電荷量決定:

4. 能夠在瞬間導(dǎo)致IC損壞的能量相當(dāng)于微焦級(jí),有外部電源去耦電容時(shí),考慮這一點(diǎn)非常重要,從電源電容(C1)傳遞到IC的能量是:

5. 耗散功率(P)會(huì)產(chǎn)生一定熱量,假設(shè)能量經(jīng)過一段較長的時(shí)間(t)釋放掉,熱量將隨之降低:

ESD能量傳遞到低阻電路時(shí)需要考慮其電流(上述第1、2條);對(duì)于高阻而言,能量以電壓形式通過電荷轉(zhuǎn)移傳遞到電源去耦電容和寄生電容(第3條)。對(duì) IC造成損壞的典型能量是在不到一個(gè)毫秒的時(shí)間內(nèi)將微焦級(jí)能量釋放到IC(第4、5條)。[page]

IC內(nèi)部保護(hù)電路

標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)方案是限制到達(dá)IC核心電路的電壓和電流。圖1所示保護(hù)器件包括:

* ESD二極管—在信號(hào)引腳與電源或地之間提供一個(gè)低阻通道,與極性有關(guān);
* 電源箝位—連接在電源之間,正常供電條件下不汲取電流,出現(xiàn)ESD沖擊時(shí)呈低阻。

1. ESD二極管

如果對(duì)IC引腳進(jìn)行 HBM測(cè)試,測(cè)試電路的初始電壓是2kV,通過ESD二極管的電流約為1.33A(圖2):

理論上,進(jìn)行HBM測(cè)試時(shí)引腳電壓受限于二極管壓降。大電流會(huì)在ESD二極管和引線上產(chǎn)生I-R壓降,在信號(hào)引腳產(chǎn)生額外的電壓,如圖2所示。
為了確定IC是否能夠承受2kV的ESD沖擊,需要參考廠商提供的資料。IC的額定電壓由最大電壓決定,圖1中的VESD,這是IC能夠承受的一種特定的 ESD源。Maxim IC所能承受的ESD指標(biāo)在可靠性報(bào)告中可以查找到。

2. 電源箝位

雙極型IC的箝位電路類似于在受保護(hù)核電路中提供一個(gè)受沖擊時(shí)擊穿的部件,圖3給出了圖1中箝位功能的詳細(xì)電路。箝位晶體管的過壓導(dǎo)致集電極-基極之間的雪崩電流,發(fā)射結(jié)的正向偏置會(huì)進(jìn)一步提高集電極電流,導(dǎo)致一個(gè)“突變”過程。箝位時(shí)的V-I特性曲線如圖4所示。

箝位二極管在IC其它電路遭到破壞之前導(dǎo)通,箝位管要有足夠的承受力,保證ESD電流不會(huì)導(dǎo)致二次擊穿。2kV HBM測(cè)試的箝位過程如圖5所示,圖5中的電壓包括I-R壓降和突變穩(wěn)定后的箝位電壓。
[page]
ESD保護(hù)與應(yīng)用電路

箝位電壓從第一次擊穿變化到突變穩(wěn)定后的導(dǎo)通電壓,如圖5所示。為保證箝位時(shí)關(guān)閉正常的工作條件,設(shè)計(jì)的箝位電壓一般要略高于IC的絕對(duì)最大電壓。

電源去耦電容會(huì)影響箝位操作,傳遞到去耦電容的電荷會(huì)產(chǎn)生高于IC絕對(duì)最大值的電壓,但還不足以使箝位電路導(dǎo)通。這時(shí)的電容相當(dāng)于一個(gè)能源,迅速向器件注入能量。

對(duì)于一個(gè)給定的去耦電容,ESD測(cè)試中初始電壓的變化遵循電荷守恒原理。例如,使用一個(gè)0.01μF去耦電容,2kV HBM測(cè)試電壓可以達(dá)到20V:



被保護(hù)引腳電容上的能量如圖6所示,對(duì)小的去耦電容,箝位二極管通過進(jìn)入突變穩(wěn)定模式限制電壓(V1)。突變穩(wěn)定后的電壓所產(chǎn)生的能量近似地隨著電容的增大而成比例增大。電源去耦電容增大到一定程度后,電荷傳輸不會(huì)產(chǎn)生導(dǎo)致箝位電路擊穿的電壓。
箝位電壓高于IC所能承受的電壓(典型值6V),低于二極管的擊穿電壓(約10V)時(shí),對(duì)于存在去耦電容的情況,因?yàn)殡娙輧?chǔ)能可能導(dǎo)致某些問題。如果IC 在沒有外部電路的情況下進(jìn)行測(cè)試,引腳上作用10V電壓是可以接受的,對(duì)器件不會(huì)構(gòu)成威脅。

改善ESD保護(hù)

合理選擇去耦電容的大小有助于在電路中提高IC的保護(hù),降低電容儲(chǔ)能,使ESD電荷不會(huì)產(chǎn)生擊穿箝位電路的電壓。我們可以考慮圖1中 C1>>C0的情況:

最初:




將C1加倍,則會(huì)導(dǎo)致:

電容加倍,能量降低一倍。

對(duì)于高速雙極型IC,HBM測(cè)試中吸收的最大能量是1μJ;2kV人體模式下,如果電容小于0.02μF(圖 6),C1>>C0二極管會(huì)產(chǎn)生動(dòng)作。為了使去耦電容的能量低于1μJ,去耦電容有兩種選擇:要么容值大于0.05μF,要么小于 0.005μF。當(dāng)使用更高的測(cè)試電壓時(shí),要按比例增大0.05μF電容的尺寸。

實(shí)際應(yīng)用中,通常不允許使用更大的去耦電容。浪涌電流的要求會(huì)限制電容尺寸。如果不控制電壓擺率,唯一限制浪涌電流的途徑就是限制去耦電容的尺寸:

去耦電容與電源間的引線總是存在一定量的電感,通常也會(huì)接入一個(gè)濾波電感。這種配置下,最大浪涌電流取決于濾波電感與去耦電容的特征阻抗,這個(gè)阻抗(圖7 中的Zo)類似于MM測(cè)試中的電流限制。
通過限制浪涌電流,可以使用較大的濾波電容(C1);發(fā)生ESD沖擊時(shí),使得作用在IC上的電壓低于器件允許的最大額定電壓。[page]
改善ESD保護(hù)的有效途徑有:

* 使用更大的濾波電容,使最大ESD電壓低于IC引腳所能承受的絕對(duì)最大電壓;
* 使用小的濾波電容,使得箝位二極管在低能量時(shí)提供保護(hù);
* 增大串聯(lián)電感限制大電容產(chǎn)生的浪涌電流;
* 增加外部箝位二極管,如圖8所示的齊納二極管,使ESD電壓低于器件所能承受的絕對(duì)最大電壓(圖9)。
本文小結(jié)

IC及其周邊元件需要承受突破應(yīng)用電路鏡電防護(hù)層的ESD能量,電源的去耦電容可能是降低作用到IC上的ESD強(qiáng)度的一條低成本解決途徑,諸多設(shè)計(jì)因素會(huì)影響ESD性能,具體可以歸納為:

* 確定應(yīng)用場(chǎng)合的測(cè)試電壓(VESD),典型值為2kV的HBM或100V MM模式;
* 檢查IC的可靠性報(bào)告,確認(rèn)二極管、鉗位二極管和傳導(dǎo)路徑適合的測(cè)試電壓。Maxim的可靠性報(bào)告中提供了IC的相關(guān)信息;
* 當(dāng)使用外部電容,如電源濾波電容(C1)時(shí),需檢查其產(chǎn)生的電壓,這個(gè)電壓最終作用到IC上;
* 如果出現(xiàn)ESD沖擊時(shí),電壓介于IC的最大額定電壓(典型值為6V)與擊穿電壓(典型值在8V至10V),可以考慮使用較大尺寸的電容來替代電源濾波的方案。
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