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互連技術

華為、中芯國際亮相，大灣區(qū)迎來“新”風潮！

如今，他們作為深圳市“20+8”產業(yè)相關展會，正致力于帶動產業(yè)鏈創(chuàng)新要素集聚，助推深圳加快形成“新質生產力”。2024年4月9日至11日，這個備受矚目的科技盛會再度拉開帷幕，屆時華為、TCL、中芯國際、聯發(fā)科、海信、潮州三環(huán)等知名企業(yè)都將集結亮相。

2024-03-21

華為中芯國際

電動汽車無線電池管理革命已經開始，投資回報潛力巨大

隨著電動汽車電池組的壽命周期進一步延長，在從制造到服務再到退役的過程中，每個wBMS模塊都要維持嚴格安全協議的必要性越來越大。OEM必須始終保持電池模塊的完整性，如果無法獨立驗證其安全狀態(tài)，模塊二次使用的價值就有被否定的風險。

2024-03-19

電動汽車無線電池管理

雙脈沖測試（DPT）的方法解析

雙脈沖測試（DPT）是一種被廣泛接受的評估功率器件動態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應用為例，如下圖，通過調節(jié)直流母線電壓和第一個脈沖持續(xù)時間，可以在第一個脈沖結束和第二個脈沖開始時捕捉到被測器件在任何所需的電壓和電流條件下的開關瞬態(tài)行為。

2024-03-19

雙脈沖測試

800V架構下，給連接器帶來了哪些“改變”？

眾所周知，新能源汽車用連接器的作用主要是保證整車高壓互聯系統，即在內部電路被阻斷或孤立不通處架起橋梁從而使電流流通，通過獨立或與線纜一起，為器件、組件、設備、子系統之間傳輸電流或光信號，并且保持各系統之間不發(fā)生信號失真和能量損失的變化，是構成整個完整系統連接所必須的基礎元件。...

2024-03-13

架構連接器

功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？

在關斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數量級。之前我們討論過功率MOSFET的雪崩效應，今天，我們將繼續(xù)分享相...

2024-03-12

功率MOSFET UIS

人工智能已悄然成為 RECOM工程師的最強大腦

乍一看，人工智能 (AI) 和電源設計似乎沒有太多共同之處。然而，RECOM 已經在至少三個不同領域積極應用人工智能技術，旨在提升我們的產品和服務質量。請繼續(xù)閱讀，了解人工智能、電力和 RECOM 如何變得密不可分。

2024-03-06

人工智能電源設計

使用大面積分析提升半導體制造的良率

設計規(guī)則檢查 (DRC) 技術用于芯片設計，可確保以較高的良率制造出所需器件。設計規(guī)則通常根據所使用設備和工藝技術的限制和變異性制定。DRC可確保設計符合制造要求，且不會導致芯片故障或DRC違規(guī)。常見的DRC規(guī)則包括最小寬度和間隔要求、偏差檢查以及其他規(guī)格，以避免在制造過程中出現短路、斷路、...

2024-03-05

半導體制造芯片

輕松了解功率MOSFET的雪崩效應

在關斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數量級。

2024-03-04

功率MOSFET 雪崩效應

多通道優(yōu)先級放大器的設計與應用

模擬優(yōu)先級放大器最初是作為多輸出電源的一部分進行設計，其中穩(wěn)壓操作基于最高優(yōu)先級通道的電壓。該放大器的另一個應用是帶電子節(jié)氣門控制的引擎控制系統，其中引擎需要對多個輸入命令中優(yōu)先級最高的一個作出響應。

2024-03-01

多通道放大器

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