【導讀】繼英飛凌1200V IGBT7 T7芯片在中小功率模塊產品相繼量產并取得客戶認可后，英飛凌最新推出了適用于大功率應用場景的1200V IGBT7 P7芯片，并將其應用在PrimePACK?模塊中，再次刷新了該封裝的功率密度上限。
繼英飛凌1200V IGBT7 T7芯片在中小功率模塊產品相繼量產并取得客戶認可后，英飛凌最新推出了適用于大功率應用場景的1200V IGBT7 P7芯片，并將其應用在PrimePACK?模塊中，再次刷新了該封裝的功率密度上限。
目標應用領域：
1200V P7模塊首發(fā)型號有以下兩個：
相比于以前的IGBT4或IGBT5產品，新的IGBT7產品進一步拓展了PrimePACK?封裝電流等級，而且極大地提升了模塊的功率密度，從下表就可以直觀看出。
以IGBT7 1600A PrimePACK? 2封裝為例，相對于IGBT4的同封裝里最大的900A模塊，其電流密度提升達到77%，而即使相對于IGBT4的PrimePACK? 3封裝里電流最大的1400A模塊，其電流密度也提升了14%。
因此，采用新的IGBT7 P7 PrimePACK?模塊，可以帶來以下三點優(yōu)勢：
同封裝替換IGBT4模塊，實現(xiàn)系統(tǒng)輸出更大的電流（或功率）；
以小的PP2封裝替換大的PP3封裝，實現(xiàn)更緊湊的系統(tǒng)設計；
對于多模塊并聯(lián)的應用場景，減小并聯(lián)模塊的數(shù)量。
與IGBT4的P4相比，P7芯片的Vcesat@Icnom降低了0.75V，降幅達35%，非常適合于大功率模塊的低頻應用場合；
短時過載的最高運行結溫Tvjop 可達175℃，過載時長t≤1分鐘且占空比D≤20%；
通過調整門級電阻Rg，可以很好的控制IGBT開關時的dv/dt
另外，模塊內采用了最新的1200V TRENCHSTOP? IGBT7大功率P7芯片，和上一代的P4芯片相比，P7芯片有以下突出特性：
下面我們以FF1600R12IP7為例，通過與IGBT4的對應模塊在規(guī)格書參數(shù)及實際工況下仿真結果的對比，來看其實際性能表現(xiàn)。
首先，規(guī)格書關鍵參數(shù)對比結果如下，可以看出新模塊的Vcesat和Vf降幅都非常大。比如FF1600R12IP7在1400A電流下的飽和壓降Vcesat，僅有1.31V，比上一代FF1400R12IP4的2.15V，降低了0.84V，而二極管正向壓降VF也降低了0.28V。
其次，我們基于如下的通用變頻器典型工況，對上述三個器件型號在同一工況下仿真其最大輸出電流能力及損耗，得到如下結果：
仿真工況：
仿真結果之最大輸出電流能力對比：
從以上結果可以看出，在開關頻率fsw=1~2.5kHz的范圍內，新的FF1600R12IP7雖然是PP2的小封裝，但其輸出電流能力可以與上一代采用PP3封裝的FF1400R12IP4相媲美，或者能輸出更大的電流，且開關頻率越低FF1600R12IP7的優(yōu)勢越明顯。
總之，搭載1200V IGBT7 P7芯片的PrimePACK?模塊，“小身材大能量”，相比P4模塊，相同封裝額定電流大幅提升，極大拓展了功率密度，甚至可以用單個模塊替代之前需要兩個或三個模塊并聯(lián)的應用場合，解決并聯(lián)不易均流的設計煩惱，使系統(tǒng)設計更加緊湊，縮短產品上市時間，為您的系統(tǒng)設計提供更優(yōu)的方案選擇。
(作者：周利偉，來源： 英飛凌工業(yè)半導體微信公眾號)
免責聲明：本文為轉載文章，轉載此文目的在于傳遞更多信息，版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題，請聯(lián)系小編進行處理。
推薦閱讀：
102CEF—夯實元器件基礎技術，助力產業(yè)高質量發(fā)展
