公司事件：

• 飛兆半導體改進型柵極驅(qū)動光耦合器

行業(yè)影響：

• 滿足全球各地的能效標準要求
• 以推動工程師的設(shè)計創(chuàng)新

為了滿足全球各地的能效標準要求，太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)和馬達驅(qū)動等工業(yè)應用的設(shè)計人員需要具備更低功耗和更快開關(guān)速度的性能更高的柵極驅(qū)動光耦合器。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為此開發(fā)出一款輸出電流為3A的高速MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動光耦合器產(chǎn)品FOD3184。該器件適用于工作頻率高達250kHz的功率 MOSFET和IGBT的高頻驅(qū)動，相比常用的FOD3120柵極驅(qū)動器，新器件的傳輸遲延時間縮短了50%，功耗降低了13%。

FOD3184由鋁砷化鎵(AIGaAs)發(fā)光二極管和集成在電路功率級中帶有PMOS和 NMOS輸出功率晶體管的CMOS檢測器以光學方式耦合構(gòu)成，PMOS上拉晶體管具有低 RDS(ON)，能夠降低內(nèi)部功耗和提供接近軌對軌輸出電壓擺幅能力。該器件具有高抗噪能力，最低共模噪聲抑制比(CMR)為35kV/µs，適合嘈雜的工業(yè)應用。

FOD3184還具有15V至30V寬VCC工作電壓范圍 、3A最大峰值輸出電流，并確保-40ºC至+100ºC的工作溫度范圍。還具有專為驅(qū)動IGBT而優(yōu)化的帶有遲滯作用的欠壓鎖定(UVLO)保護功能。

FOD3184采用8腳雙列直插封裝，提供>8.0mm的爬電距離(creepage)和電氣間隙，可配合安全機構(gòu)至關(guān)重要的終端應用要求。此外，封裝符合無鉛焊接標準對260ºC回流焊工藝的要求，F(xiàn)OD3184具有1,414V的額定工作電壓(VIORM)，能夠驅(qū)動1,200V負載，并保持長期可靠的隔離性能。

FOD3184是飛兆半導體提供同級最佳抗噪能力、更快開關(guān)速度和更高功效的全面廣泛的高性能光耦合器產(chǎn)品系列的成員。飛兆半導體將開發(fā)更多同類型解決方案，以推動工程師的設(shè)計創(chuàng)新。