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表面貼裝的散熱面積估算和注意事項
到目前為止，我們已經(jīng)介紹過使用熱阻和熱特性參數(shù)來估算TJ的方法。本文將介紹在表面貼裝應(yīng)用中，如何估算散熱面積以確保符合TJ max，以及與熱相關(guān)的元器件布局注意事項。
2022-09-21
表面貼裝 散熱面積 估算
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這個技術(shù)，改善你的電源系統(tǒng)設(shè)計！
隨著技術(shù)的進步，多核架構(gòu)使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速，因此這些器件需要的功率急劇增加。微處理器所需的這種電源由穩(wěn)壓器模塊(VRM)提供。
2022-09-20
電源系統(tǒng) 設(shè)計 ADI
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如何加強對Type-C數(shù)據(jù)線的充電保護？
USB Type-C（USB-C）電纜和連接器規(guī)范極大地簡化了實現(xiàn)互連和為數(shù)碼相機和超薄平板電腦等電子產(chǎn)品供電的方式（圖1）。該規(guī)范支持高達(dá)15W的USB-C充電應(yīng)用，而USB-C功率傳輸（PD）將充電能力擴展至100W，包括各種可互換充電的設(shè)備。USB Type-C在系統(tǒng)保護方面帶來了新的挑戰(zhàn)。新連接器的間距比USB Micr...
2022-09-19
Type-C 數(shù)據(jù)線 充電保護
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以太網(wǎng)供電實現(xiàn)LED照明應(yīng)用
以太網(wǎng)供電（Power over Ethernet，簡稱PoE）也稱PoE供電，可在一條電纜上傳輸數(shù)據(jù)與電源，該技術(shù)的便利性已經(jīng)廣泛吸引眾多智能設(shè)備采用，像是智能建筑中的LED照明應(yīng)用，便是PoE技術(shù)的最佳用例之一。本文將為您介紹PoE技術(shù)的發(fā)展，以及由安森美（onsemi）推出的PoE接口LED驅(qū)動器的產(chǎn)品特性。
2022-09-19
以太網(wǎng)供電 LED照明
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加速工業(yè)自動化升級，貿(mào)澤電子2022技術(shù)創(chuàng)新周第二期活動來襲
2022年9月16日 – 專注于引入新品推動行業(yè)創(chuàng)新?的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)宣布于9月19 - 22日舉辦貿(mào)澤電子技術(shù)創(chuàng)新周第二期專題活動。本期內(nèi)容將重點聚焦工業(yè)自動化，特邀來自Analog Devices, Amphenol, Phoenix Contact, Silicon Labs, TDK (Shanghai) Electronics, Texas In...
2022-09-16
工業(yè)自動化 貿(mào)澤電子 技術(shù)創(chuàng)新
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揭秘SMD保險絲：尺寸雖然小，功能不打折，它們是如何做到的？
熱保險絲是最古老的電路保護裝置，目前仍在廣泛使用。人們已熟知這種產(chǎn)品，它可靠、一致、符合監(jiān)管標(biāo)準(zhǔn)。然而，隨著最終產(chǎn)品的復(fù)雜性增加、尺寸縮小，設(shè)計人員需要為用戶可更換的保險絲和保險絲座找到一種替代產(chǎn)品，以減少外形尺寸，簡化裝配，提高堅固性并進一步增加安全性。
2022-09-16
SMD 保險絲 DigiKey
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安森美成像技術(shù)開啟數(shù)字電影攝影新紀(jì)元
2022年9月15日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON)，宣布為ARRI的ALEXA 35攝像機開發(fā)了定制的高端CMOS傳感器。該攝像機使用了安森美的ALEV 4 Super 35 4.6K CMOS圖像傳感器，分辨率為4608x3164像素（1460萬像素），間距為6.075微米，具有RGB彩色濾鏡，最大幀...
2022-09-15
安森美 攝像機 CMOS傳感器
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Molex與貿(mào)澤聯(lián)手推出射頻連接器內(nèi)容中心，介紹射頻連接器在智能農(nóng)業(yè)等領(lǐng)域中的應(yīng)用
2022年9月15日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Molex合作推出新的內(nèi)容中心，深入探索射頻連接器的功能、挑戰(zhàn)和變革潛力。此內(nèi)容中心提供十多項關(guān)于射頻技術(shù)的豐富資源，包括播客節(jié)目、白皮書、博客文章和產(chǎn)品指南等。每項內(nèi)容都直接鏈接到...
2022-09-15
Molex 貿(mào)澤 射頻連接器
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GaN HEMT 大信號模型
GaN HEMT 為功率放大器設(shè)計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術(shù)的許多改進。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達(dá) 8 W/mm、fT 高達(dá) 25 GHz 和低靜態(tài)電流。另一方面，GaN RF 功率器件具有自加熱特性，并且元件參數(shù)的非線性與信號電平、熱效應(yīng)和環(huán)境條件之間存在復(fù)雜的依賴關(guān)系。這...
2022-09-15
GaN HEMT 功率放大器
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