【導(dǎo)讀】隨著電子設(shè)備在家庭、辦公室和工業(yè)中的普及,對(duì)高速、緊湊、低成本、可復(fù)位和可調(diào)節(jié)電路保護(hù)器件的需求越來越重要,以確保用戶安全和最長(zhǎng)的正常設(shè)備運(yùn)行時(shí)間。傳統(tǒng)熔斷方法的熔斷電流不準(zhǔn)確、響應(yīng)時(shí)間慢,而且通常保險(xiǎn)絲更換不方便。
隨著電子設(shè)備在家庭、辦公室和工業(yè)中的普及,對(duì)高速、緊湊、低成本、可復(fù)位和可調(diào)節(jié)電路保護(hù)器件的需求越來越重要,以確保用戶安全和最長(zhǎng)的正常設(shè)備運(yùn)行時(shí)間。傳統(tǒng)熔斷方法的熔斷電流不準(zhǔn)確、響應(yīng)時(shí)間慢,而且通常保險(xiǎn)絲更換不方便。
雖然從頭設(shè)計(jì)一個(gè)合適的保護(hù)方案是可以的,但要在可重置的設(shè)備中滿足苛刻的延遲和精度要求并非易事。此外,同樣的解決方案現(xiàn)在也有望具備可調(diào)過流保護(hù)、可調(diào)浪涌電流壓擺率、過壓鉗位、反向電流阻斷和熱保護(hù)等功能。這種設(shè)計(jì)需要大量的分立元件和數(shù)個(gè) IC,這樣不僅會(huì)占據(jù) PC 板的上很大面積,提高成本,還會(huì)延遲上市時(shí)間。不斷增加難度是為了滿足高可靠性要求,滿足諸如 IEC/UL62368-1 和 UL2367 等國(guó)際安全標(biāo)準(zhǔn)要求。
為此,設(shè)計(jì)人員可以轉(zhuǎn)向使用電子保險(xiǎn)絲 (eFuse) IC 來提供納秒 (ns) 級(jí)短路保護(hù),這比傳統(tǒng)的保險(xiǎn)絲或 PPTC 器件要快一百萬倍。
本文在介紹 eFuse 及其工作原理之前,說明為什么需要更快速、更堅(jiān)固、更緊湊、更可靠和更經(jīng)濟(jì)的電路保護(hù)。然后,介紹 Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 提供的幾種 eFuse,并說明這些器件在經(jīng)濟(jì)實(shí)惠、結(jié)構(gòu)緊湊和堅(jiān)固耐用方面是如何滿足設(shè)計(jì)者的電路保護(hù)需求的。
電路保護(hù)需求
過電流狀況、短路、過載和過電壓是電子系統(tǒng)的一些基本電路保護(hù)需求。過流狀態(tài)下,會(huì)有過量的電流流經(jīng)導(dǎo)體。這可能會(huì)導(dǎo)致高水平發(fā)熱、火災(zāi)或設(shè)備損壞的風(fēng)險(xiǎn)。短路、過載、設(shè)計(jì)故障、部件故障以及電弧或接地故障都可能造成過流故障。為了保護(hù)電路和設(shè)備用戶,過流保護(hù)需要瞬時(shí)動(dòng)作。
存在過載時(shí),過大的電流不會(huì)立即產(chǎn)生危險(xiǎn),但長(zhǎng)期過載造成的后果與高過流同樣不安全。過載保護(hù)是根據(jù)過載程度通過各種時(shí)間延遲來實(shí)現(xiàn)的。隨著過載情況的加重,延遲會(huì)隨之縮短。過載保護(hù)可以用延遲或慢速保險(xiǎn)絲來實(shí)現(xiàn)。
過電壓情況會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)運(yùn)行不穩(wěn)定,還可能導(dǎo)致產(chǎn)生過多熱量,增大火災(zāi)風(fēng)險(xiǎn)。過電壓也會(huì)給系統(tǒng)用戶或操作員帶來直接危險(xiǎn)。與過電流一樣,過壓保護(hù)也需要快速動(dòng)作,切斷電源。
為確保運(yùn)行安全、穩(wěn)定,有些應(yīng)用受還益于除基本保護(hù)功能以外的其他保護(hù)功能,具體包括可調(diào)級(jí)別的過壓和過流保護(hù)、啟動(dòng)涌流控制、熱保護(hù)和反向電流阻斷功能。各種不同的電路保護(hù)裝置可以滿足這些保護(hù)功能的不同組合需求。
eFuses 如何工作
與傳統(tǒng)保險(xiǎn)絲和 PPTC 器件相比,eFuse IC 實(shí)現(xiàn)了更廣泛的保護(hù)功能和更高的控制水平(圖 1)。除高速短路保護(hù)外,eFuse 還提供精確的過壓箝位、可調(diào)過流保護(hù)、可調(diào)電壓和電流壓擺率控制,以便盡可能減少浪涌電流和熱關(guān)斷。各個(gè)不同的版本還包括內(nèi)置反向電流阻斷功能。
圖 1:eFuse 可以取代傳統(tǒng)保險(xiǎn)絲或 PPTC 設(shè)備,并具有更多的保護(hù)功能和更高的控制水平。(圖片來源:Toshiba)
eFuse 性能的關(guān)鍵因素之一是內(nèi)部功率 MOSFET,其“導(dǎo)通”電阻通常在毫歐 (mΩ) 范圍內(nèi),并能處理高輸出電流(圖 2)。正常工作期間,功率 MOSFET 的極低導(dǎo)通電阻確保 VOUT 端電壓與 VIN 端電壓幾乎相同。當(dāng)檢測(cè)到短路時(shí),MOSFET 會(huì)非常迅速斷開,而當(dāng)系統(tǒng)恢復(fù)正常時(shí),MOSFET 則用來控制浪涌電流。
圖 2:低導(dǎo)通電阻功率 MOSFET(頂部中心)是 eFuse 實(shí)現(xiàn)快速動(dòng)作和受控啟動(dòng)能力的關(guān)鍵。(圖片來源:Toshiba)
除了功率 MOSFET 之外,eFuse 的有源性質(zhì)也有助于實(shí)現(xiàn)眾多的性能優(yōu)勢(shì)(表 1)。傳統(tǒng)保險(xiǎn)絲和 PPTC 是無源器件,跳閘電流的精度很低。它們都依靠焦耳加熱且耗費(fèi)時(shí)間,從而增加了其反應(yīng)時(shí)間。另一方面,eFuse 會(huì)不斷監(jiān)測(cè)電流,一旦電流達(dá)到可調(diào)限流值的 1.6 倍,就會(huì)啟動(dòng)短路保護(hù)。一旦啟動(dòng),eFuse 的超高速短路保護(hù)技術(shù)只需 150 至 320 納秒即可將電流降至接近零,而保險(xiǎn)絲和 PPTC 的反應(yīng)時(shí)間則為 1 秒或更長(zhǎng)。這種快速反應(yīng)時(shí)間減少了系統(tǒng)應(yīng)力,從而增強(qiáng)了穩(wěn)健性。由于 eFuse 電子保險(xiǎn)絲不會(huì)被短路破壞,因此可以多次使用。
表 1:與保險(xiǎn)絲和 PPTC(聚合開關(guān))器件相比,eFuse IC 的保護(hù)速度更快、精度更高、保護(hù)功能更全。(表格來源:Toshiba)
與作為一次性設(shè)備的傳統(tǒng)保險(xiǎn)絲相比,eFuse 有助于降低維護(hù)成本,縮短恢復(fù)和維修時(shí)間。eFuse 有自動(dòng)恢復(fù)和鎖定保護(hù)兩種故障恢復(fù)方式:前者是在故障條件消除后自動(dòng)恢復(fù)正常運(yùn)行,后者是在故障消除后被施加外部信號(hào)時(shí)恢復(fù)。eFuse 還提供過壓和熱保護(hù),這對(duì)傳統(tǒng)保險(xiǎn)絲或 PPTC 來說是不可能的。
選擇 eFuses
選擇合適的 eFuse 通常要從應(yīng)用的電源軌開始。對(duì)于 5 至 12 伏電源軌,TCKE8xx系列 eFuse是不錯(cuò)的選擇。該系列的額定輸入電壓高達(dá) 18 V,電流 5 A,通過了 IEC 62368-1 認(rèn)證,符合 UL2367 要求,采用 WSON10B 封裝,尺寸為 3.0 mm x 3.0 mm x 0.7 mm 高,間距為 0.5 mm(圖 3)。
圖 3:Toshiba 的 eFuses 采用 3 mm x 3 mm、0.7 mm 高的 WSON10B 表面貼裝封裝。(圖片來源:Toshiba)
對(duì)于設(shè)計(jì)者來說,TCKE8xx 系列提高了靈活性,包括由外部電阻設(shè)置調(diào)節(jié)過流值、由外部電容設(shè)置調(diào)節(jié)壓擺率控制,提供過壓和欠壓保護(hù)、熱關(guān)斷功能以及一個(gè)針對(duì)選用型外部反向電流阻斷 FET 的控制引腳。
設(shè)計(jì)者還可以選擇三種不同的過壓鉗位:用于 5 V 系統(tǒng)的 6.04 V 鉗位(例如 TCKE805NL, RF),用于 12 V 系統(tǒng)的 15.1 V鉗位(包括 TCKE812NL, RF),以及無鉗位電壓(例如 TCKE800NL, RF)(圖 4)。根據(jù)不同的型號(hào),過壓保護(hù)分為自動(dòng)重試和鉗位兩種方式,鉗位水平的設(shè)定精度為 7%。欠壓鎖定可通過一個(gè)外部電阻設(shè)定。熱關(guān)斷可在 eFuse 的溫度超過 160℃ 時(shí)將其斷開,從而保護(hù) IC 免受超溫影響。具有自動(dòng)恢復(fù)熱保護(hù)的型號(hào)在溫度下降 20°C 時(shí)重新啟動(dòng)。
圖 4:TCKE8xx 系列電子保險(xiǎn)絲包括多種型號(hào),鉗位電壓為 6.04 V 的 TCKE805 適用于 5 V 系統(tǒng),鉗位電壓為 15.1 V 的 TCKE812 適用于 12 V 系統(tǒng),而 TCKE800 則沒有鉗位電壓。(圖片來源:Toshiba)
為確保穩(wěn)定運(yùn)行,這些 eFuse 具有供設(shè)計(jì)者在啟動(dòng)時(shí)設(shè)置電流和電壓斜率的選項(xiàng)(圖 5)。當(dāng)接通電源時(shí),巨大的浪涌電流會(huì)流入輸出電容并使 eFuse 跳閘,從而導(dǎo)致運(yùn)行不穩(wěn)定。eFuse 的 dV/dT 引腳上的外部電容器可用來設(shè)定電壓和電流的啟動(dòng)斜坡,以防止出現(xiàn)無跳閘。
圖 5:設(shè)計(jì)者可以設(shè)置電壓和電流的啟動(dòng)斜坡,以確保eFuse 穩(wěn)定運(yùn)行。(圖片來源:Toshiba)
根據(jù)應(yīng)用要求,設(shè)計(jì)者可以添加一個(gè)外部 N 溝道功率 MOS,用于阻斷反向電流;添加一個(gè)瞬態(tài)電壓抑制 (TVS) 二極管,用于輸入瞬態(tài)電壓保護(hù);添加一個(gè)肖特基勢(shì)壘二極管 (SBD),用于 eFuse 輸出的負(fù)電壓尖峰保護(hù)(圖 6)。反向電流阻斷在熱插拔式磁盤驅(qū)動(dòng)器和電池充電器等應(yīng)用中非常有用。外部 MOSFET 通過 EFET 引腳控制。
在電源總線上會(huì)出現(xiàn)超過 eFuse 最大額定值的瞬時(shí)電壓的系統(tǒng)中,需要添加 TVS 二極管。在有些應(yīng)用中,eFuse 的輸出端可能會(huì)出現(xiàn)負(fù)電壓尖峰,而選用型 SBD 可以保護(hù)負(fù)載側(cè)的 IC 和其他設(shè)備以及 eFuse 本身。Toshiba 推薦將 SSM6K513NU, LF 作為外部 MOSFET,DF2S23P2CTC, L3F 作為 TVS 二極管,而 CUHS20S30, H3F 作為 SBD。
內(nèi)置反向電流阻斷 MOSFET 的 eFuse
對(duì)于要求解決方案盡可能小且具有反向電流阻斷功能的應(yīng)用,設(shè)計(jì)者可以使用具有兩個(gè)內(nèi)部 MOSFET 的 TCKE712BNL, RF eFuse(圖 7)。第二個(gè)內(nèi)部 MOSFET 沒有任何性能損失;兩個(gè) MOSFET 的合并導(dǎo)通電阻只有 53 mΩ,與使用外部阻斷 MOSFET 時(shí)差不多。
圖 7:TCKE712BNL, RF eFuse 包括兩個(gè) MOSFET(頂部中間),可實(shí)現(xiàn)反向電流阻斷,無需外部 MOSFET。(圖片來源:Toshiba)
與 TCKE8xx 系列的固定電壓設(shè)計(jì)相比,TCKE712BNL, RF 的輸入電壓范圍為 4.4 至 13.2 V。為了支持這種可能的輸入電壓范圍,該器件有一個(gè)過壓保護(hù) (OVP) 引腳,使設(shè)計(jì)者能夠設(shè)置過壓保護(hù)水平,以適應(yīng)特定的系統(tǒng)需求。此外,TCKE712BNL還增加了一個(gè) FLAG 引腳,用于提供開漏信號(hào)輸出,表明存在故障狀況。
結(jié)語
確保電子系統(tǒng)的電路和用戶保護(hù)功能至關(guān)重要,在目前設(shè)備激增、故障可能性增加的情況下尤其如此。同時(shí),設(shè)計(jì)者必須將成本和封裝降到最小,同時(shí)還要具有最大的保護(hù)靈活性,滿足適當(dāng)?shù)谋Wo(hù)標(biāo)準(zhǔn)。
eFuse具有超快的動(dòng)作速度、出色的精確性、可靠性和可重復(fù)使用性。這類器件性能優(yōu)良、高度靈活,不僅成為傳統(tǒng)保險(xiǎn)絲和 PPTC 器件的替代品,而且還具有多種內(nèi)置功能,可大大簡(jiǎn)化電路和用戶保護(hù)的設(shè)計(jì)工作。
(作者:Jacob Beningo,來源:得捷電子DigiKey微信公眾號(hào))
免責(zé)聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題,請(qǐng)聯(lián)系小編進(jìn)行處理。
推薦閱讀:
千兆多媒體串行鏈路(GMSL)相機(jī)用作GigE Vision相機(jī)的替代方案
解決角雷達(dá)系統(tǒng)的 3 大電源設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
超聲技術(shù)在醫(yī)療領(lǐng)域的發(fā)展趨勢(shì)和應(yīng)用
一文讀懂:為什么碰撞檢測(cè)是協(xié)作機(jī)器人的底層技術(shù)
意法半導(dǎo)體推出車規(guī)人工智能慣性測(cè)量單元,適合環(huán)境溫度高達(dá)125°C的始終感知應(yīng)用